ZnO薄膜的性质对水热生长ZnO纳米线阵列的影响

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ZnO薄膜的性质对水热生长ZnO纳米线阵列的影响

器件制备及器件物理 | 更新时间：2020-08-12

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- ZnO薄膜的性质对水热生长ZnO纳米线阵列的影响
- Influences of ZnO Film Characteristics on ZnO Nanowire Arrays Prepared by Hydrothermal Method
- 发光学报 2012年33卷第5期页码：549-552
- 作者机构：
  
  1. 发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春,130033
  2. 中国科学院研究生院北京,100039
  3. 长春理工大学材料科学与工程学院,吉林长春,130022
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(21101146)();国家"();973"();计划(2011CB302004)资助项目()
- DOI：10.3788/fgxb20123305.0549
  中图分类号： O484.4
- 纸质出版日期：2012-5-10，
  
  网络出版日期：2012-5-10，
  
  收稿日期：2012-1-25，
  
  修回日期：2012-3-24，
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徐志堃, 赵东旭, 孙兰兰, 鄂书林, 张振中, 秦杰明, 申德振. ZnO薄膜的性质对水热生长ZnO纳米线阵列的影响[J]. 发光学报, 2012,(5): 549-552

XU Zhi-kun, ZHAO Dong-xu, SUN Lan-lan, E Shu-lin, ZHANG Zhen-zhong, QIN Jie-ming, SHEN De-zhen. Influences of ZnO Film Characteristics on ZnO Nanowire Arrays Prepared by Hydrothermal Method[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2012,(5): 549-552
徐志堃, 赵东旭, 孙兰兰, 鄂书林, 张振中, 秦杰明, 申德振. ZnO薄膜的性质对水热生长ZnO纳米线阵列的影响[J]. 发光学报, 2012,(5): 549-552 DOI： 10.3788/fgxb20123305.0549.

XU Zhi-kun, ZHAO Dong-xu, SUN Lan-lan, E Shu-lin, ZHANG Zhen-zhong, QIN Jie-ming, SHEN De-zhen. Influences of ZnO Film Characteristics on ZnO Nanowire Arrays Prepared by Hydrothermal Method[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2012,(5): 549-552 DOI： 10.3788/fgxb20123305.0549.

摘要

用水热法在ZnO薄膜上制备了直径、密度及取向可控的ZnO纳米线阵列。ZnO薄膜是通过原子层沉积(ALD)方法制备并在不同温度下退火处理得到的

退火温度对ZnO薄膜的晶粒尺寸、结晶质量和缺陷性质有很大的影响。而ZnO薄膜的性质对随后生长的ZnO纳米线的直径、密度及取向能起到调节控制的作用。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪和光致发光(PL)测试对ZnO薄膜和ZnO纳米线进行了表征。最后得到的垂直取向的ZnO纳米线阵列适合在发光二极管和太阳能电池等领域使用。

Abstract

ZnO nanowire arrays with controlled diameter

density and orientation were prepared on the ZnO film coated substrates via hydrothermal method. The ZnO film were fabricated by atomic layer deposition (ALD) method and annealed at different temperatures. The annealing temperature has strong influences on the grain size

crystalline structure and defect property of the ZnO film. The diameter

density and orientation of ZnO nanowires depended on the features of the ZnO film. Field-emission scanning electron microscopy (SEM)

X-ray diffraction (XRD) and photoluminescence (PL) were applied to analyze the ZnO film and ZnO nanowire arrays. The as-prepared vertical aligned ZnO nanowires are highly suitable for use in nanodevices

such as light-emitting diodes and solar cells.

关键词

ZnO水热法纳米线阵列直径密度

Keywords

ZnOhydrothermal methodnanowire arraydiameterdensity

references

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