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1.中国科学院半导体研究所 宽禁带半导体研发中心,北京 100083
2.中国科学院大学,材料科学与光电技术学院,北京 100049
[ "董婧楠(2001-),女,山西长治人,硕士研究生,2023 年于太原理工大学获得学士学位,主要从事氮化物材料生长和器件制备的研究。E-mail:dongjingnan@semi.ac.cn" ]
[ "王军喜(1975-),男,陕西西安人,博士,研究员,2003年于中国科学院半导体研究所获得博士学位,主要从事III族氮化物发光材料与器件的研究。 E-mail:jxwang@semi.ac.cn" ]
[ "魏同波(1978-),男,山东潍坊人,博士,研究员,2007年于中国科学院半导体研究所获得博士学位,主要从事宽禁带半导体材料生长及器件制备的研究。 E-mail:tbwei@semi.ac.cn" ]
网络出版日期:2025-06-07,
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董婧楠,多亦威,羊建坤等.六方氮化硼的外延生长与器件应用[J].发光学报,
Dong Jingnan,Duo Yiwei,Yang Jiankun,et al.Epitaxial growth of hexagonal boron nitride and device application[J].Chinese Journal of Luminescence,
董婧楠,多亦威,羊建坤等.六方氮化硼的外延生长与器件应用[J].发光学报, DOI:10.37188/CJL.20250128 CSTR: 32170.14.CJL.20250128.
Dong Jingnan,Duo Yiwei,Yang Jiankun,et al.Epitaxial growth of hexagonal boron nitride and device application[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI:10.37188/CJL.20250128 CSTR: 32170.14.CJL.20250128.
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