Гексагональный нитрид бора (h-BN) является представительной широкозонной двумерной слоистой материалой, поверхность которой атомарно гладкая без подвешенных связей и заряженных примесей, обладает превосходной механической стабильностью, термической стабильностью и химической инертностью. Благодаря выдающимся свойствам в областях оптоэлектроники, квантовой оптики и электроники, он в настоящее время стал низкоразмерным подложечным материалом для различных приложений. В данной статье систематически представлен основной структурный состав h-BN, а также его оптоэлектронные, механические и тепловые свойства; затем описаны новейшие методы синтеза, включая механическое отшелушивание, химическое и физическое осаждение из паровой фазы, молекулярно-пучковую эпитаксию, с подробным изложением роста тонких пленок h-BN на переходных металлических и диэлектрических подложках с использованием химического осаждения из паровой фазы, а также анализируются их уникальные преимущества. Далее рассматриваются новейшие исследования по применению устройств на основе h-BN с различных аспектов, таких как переносной материал, диэлектрический слой FET, глубоко ультрафиолетовые оптоэлектронные устройства, источники одиночных фотонов и нейтронные детекторы. В заключение, на основе текущего состояния исследований и ключевых проблем, анализируются вызовы и ограничения, с которыми сталкивается h-BN, а также представлены перспективы будущего развития.

двумерные материалы; гексагональный нитрид бора; методы синтеза; оптоэлектронные применения