Гексагональный нитрид бора (h-BN) является типичным широкозонным двухмерным слоистым материалом с атомно-плоской поверхностью, не имеющей подвешенных связей и заряженных примесей, обладает превосходной механической стабильностью, термостойкостью и химической инертностью. Благодаря выдающимся свойствам в областях оптоэлектроники, квантовой оптики и электроники, он в настоящее время служит низмерной подложкой для различных применений. В данной статье систематически представлены базовая структура h-BN и его фотоэлектрические, механические и тепловые характеристики; далее описаны новейшие методы производства, включая литье, химическое и физическое осаждение из паровой фазы, молекулярно-лучевую эпитаксию, с подробным рассмотрением роста пленок h-BN методом химического осаждения из паровой фазы на подложках из переходных металлов и диэлектриков, а также анализом их уникальных преимуществ. Затем представлены последние достижения в применении устройств на основе h-BN с различных аспектов, таких как переносная среда, диэлектрический слой затвора FET, устройства глубокоуф-оптоэлектроники, одиночные фотонные источники и нейтронные детекторы. В заключение, основываясь на текущем состоянии исследований и ключевых проблемах, проанализированы вызовы и узкие места, а также предложены перспективы дальнейшего развития.

двумерные материалы;гексагональный нитрид бора;методы подготовки;оптоэлектронные приложения