Croissance épitaxiale du nitrure de bore hexagonal et applications des dispositifs

DONG Jingnan ,  

DUO Yiwei ,  

YANG Jiankun ,  

WANG Junxi ,  

WEI Tongbo ,  

摘要

Le nitrure de bore hexagonal (h-BN) est un matériau bidimensionnel en couches à large bande interdite caractéristique, dont la surface atomique est parfaitement plane et exempte de liaisons pendantes et d'impuretés chargées, possédant une excellente stabilité mécanique, thermique et chimique. En raison de ses propriétés remarquables en optoélectronique, optique quantique et électronique, il est devenu actuellement un support de substrat basse dimension pour diverses applications. Cet article présente d'abord une introduction systématique à la structure de base de h-BN ainsi qu'à ses propriétés optoélectroniques, mécaniques et thermiques ; ensuite, les dernières méthodes de préparation sont expliquées, y compris l'exfoliation, les dépôts chimique et physique en phase vapeur, l'épitaxie par faisceau moléculaire, avec une description détaillée de la croissance de couches minces h-BN sur des substrats métalliques de transition et des substrats diélectriques par dépôt chimique en phase vapeur, en analysant leurs avantages uniques. Puis, les progrès récents dans les applications de dispositifs basés sur h-BN sont présentés sous différents aspects, tels que les milieux de transfert, la couche diélectrique de grille FET, les dispositifs optoélectroniques DUV, les sources de photons uniques et la détection de neutrons. Enfin, à partir de l'état actuel de la recherche et des questions clés, les défis et les obstacles rencontrés par h-BN sont analysés, et des perspectives pour le développement futur sont proposées.

关键词

matériaux bidimensionnels; nitrure de bore hexagonal; méthodes de préparation; applications optoélectroniques

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