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稀土掺杂金属氧化物薄膜晶体管研究进展
特邀报告 | 更新时间：2025-03-24

    • 稀土掺杂金属氧化物薄膜晶体管研究进展

      增强出版

    • Research Progress on Rare Earth Doped Metal Oxide Thin Film Transistors

    • “据最新报道，稀土掺杂氧化物材料在金属氧化物薄膜晶体管领域取得突破，有望实现高迁移率和高稳定性，为高端显示应用提供新方案。”
    • 发光学报   2025年46卷第3期 页码：436-451

    • DOI：10.37188/CJL.20240268    

      中图分类号： TN321.5;O482.31
    • CSTR：32170.14.CJL.20240268    

    • 收稿：2024-10-20，

      修回：2024-11-06，

      纸质出版：2025-03-25

    移动端阅览

  • 黄湘兰,彭俊彪.稀土掺杂金属氧化物薄膜晶体管研究进展[J].发光学报,2025,46(03):436-451. DOI： 10.37188/CJL.20240268. CSTR： 32170.14.CJL.20240268.

    HUANG Xianglan,PENG Junbiao.Research Progress on Rare Earth Doped Metal Oxide Thin Film Transistors[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(03):436-451. DOI： 10.37188/CJL.20240268. CSTR： 32170.14.CJL.20240268.

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