Metalldioxid-Dünnfilmtransistoren (Metal oxide thin film transistors, MOTFTs) verfügen aufgrund ihrer hohen Ladungsträgerbeweglichkeit und guten elektrischen Stabilität über ein großes Potenzial für den Einsatz in großformatigen Leuchtdisplay-Treibermatrizen. Zudem ist der Herstellungsprozess von MOTFTs mit amorphen Silizium-Dünnfilmtransistoren kompatibel, was die Produktionskosten senkt und ihnen einen großen Wettbewerbsvorteil auf dem Markt verschafft. Die widersprüchlichen Anforderungen der beiden Schlüsselkennzahlen – Beweglichkeit und Stabilität – schränken jedoch die Anwendung in High-End-Displays ein. Daher ist die Entwicklung von MOTFTs mit hoher Beweglichkeit und hoher Stabilität ein Forschungsschwerpunkt und zentraler Wirtschaftsfokus. Zahlreiche Studien zeigen, dass Materialien auf Basis von seltenen Erden dotierten Oxid-Halbleitern vielversprechend sind, um dieses Ziel zu erreichen. Diese Arbeit gibt einen Überblick über die Materialgestaltung seltener Erden-dotierter Oxide mit hoher Beweglichkeit und Stabilität sowie über die erreichten MOTFT-Leistungen und diskutiert die Herausforderungen und Entwicklungspotenziale seltener Erden dotierter Metalloxid-Dünnfilmtransistoren (RE-MOTFTs).

Metalldioxid-Dünnfilmtransistoren;Seltene Erden;Beweglichkeit;Stabilität