Metalloxid-Dünnschichttransistoren (Metal oxide thin film transistors, MOTFTs) zeichnen sich durch eine hohe Ladungsträgerbeweglichkeit und gute elektrische Stabilität aus und sind daher vielversprechend für Anwendungen in großformatigen hintergrundbeleuchteten Displays. Zudem ist der Herstellungsprozess von MOTFTs kompatibel mit amorphen Silizium-Dünnschichttransistoren, was die Produktionskosten senkt und einen erheblichen Wettbewerbsvorteil auf dem Markt bietet. Allerdings begrenzt der Zielkonflikt zwischen zwei wichtigen Leistungskennzahlen — Beweglichkeit und Stabilität — ihre Verwendung in High-End-Displays. Deshalb ist die Entwicklung von MOTFTs mit hoher Beweglichkeit und hoher Stabilität ein Schwerpunkt der Forschung und ein Wettbewerbsschwerpunkt der Industrie geworden. Zahlreiche Studien zeigen, dass Halbleitermaterialsystems mit Seltene-Erden-dotierten Oxiden das Potenzial haben, dieses Ziel zu erreichen. Dieser Artikel gibt einen Überblick über das Design von Seltene-Erden-dotierten Oxidmaterialien mit hoher Beweglichkeit und Stabilität sowie die bisher erzielten Leistungen von MOTFTs und diskutiert Herausforderungen und Entwicklungspotenziale von Seltene-Erden-dotierten Metalloxid-Dünnschichttransistoren (RE-MOTFTs).

Metalloxid-Dünnschichttransistoren;Seltene Erden;Beweglichkeit;Stabilität