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NH3/N2复合热退火技术改善高浓度Mg掺杂GaN材料性能
材料合成及性能 | 更新时间：2026-09-12

    • NH3/N2复合热退火技术改善高浓度Mg掺杂GaN材料性能

      增强出版

    • Enhanced Properties of Heavily Mg-doped GaN by Combining Thermal Annealing Processes in NH3/N2

    • 发光学报   2024年45卷第8期 页码：1325-1333

    • DOI：10.37188/CJL.20240130    

      中图分类号： O482.31

    • 收稿：2024-05-10，

      修回：2024-05-19，

      纸质出版：2024-08-25

    移动端阅览

  • 蒋宗霖,闫丹,张宁等.NH3/N2复合热退火技术改善高浓度Mg掺杂GaN材料性能[J].发光学报,2024,45(08):1325-1333. DOI: 10.37188/CJL.20240130. DOI：

    JIANG Zonglin,YAN Dan,ZHANG Ning,et al.Enhanced Properties of Heavily Mg-doped GaN by Combining Thermal Annealing Processes in NH3/N2[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(08):1325-1333. DOI: 10.37188/CJL.20240130. DOI：

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