Исследовано влияние комбинированной технологии термического отжига NH₃/N₂ на кристаллическое качество, светоизлучающие свойства и электропроводность материалов GaN с высокой концентрацией легирования Mg. Экспериментальные результаты показали, что по сравнению с традиционной термообработкой при высокой температуре в атмосфере N₂, высокотемпературная термообработка в атмосфере NH₃ улучшает кристаллическое качество материалов GaN с высокой концентрацией Mg, а также способствует эффективному легированию атомов Mg-примесей, что приводит к усилению интенсивности пика синего излучения в спектре фотолюминесценции. Использование комбинированной технологии, сочетающей высокотемпературный отжиг в атмосфере NH₃ и низкотемпературный отжиг в атмосфере N₂, позволило значительно снизить внутреннюю концентрацию фоновых электронов в материалах GaN с высокой концентрацией Mg. Это объясняется тем, что термические продукты разложения NH₃ при высокотемпературном отжиге эффективно снижают концентрацию легких донорных дефектов, таких как вакансии азота и атомы галлия на межузельных позициях, что в конечном итоге улучшает электропроводность материалов GaN с высокой концентрацией Mg.

нитрид галлия;легирование Mg;термообработка;аммиак