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NH3/N2复合热退火技术改善高浓度Mg掺杂GaN材料性能
更新时间：2024-05-31
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    • NH3/N2复合热退火技术改善高浓度Mg掺杂GaN材料性能

      增强出版

    • Enhanced Properties of Heavily Mg-doped GaN by Combining Thermal Annealing Processes in NH3/N2

    • “最新研究揭示，NH3/N2复合热退火技术显著提升高浓度Mg掺杂GaN材料晶体质量与导电性能，为半导体照明与电子器件领域带来突破。”
      ”
    • 发光学报   2024年 页码：1-9

    • DOI：10.37188/CJL.20240130    

      中图分类号： O482.31

    • 网络出版日期：2024-05-31，

    扫 描 看 全 文

  • 蒋宗霖,闫丹,张宁等.NH3/N2复合热退火技术改善高浓度Mg掺杂GaN材料性能[J].发光学报, DOI：10.37188/CJL.20240130

    JIANG Zonglin,YAN Dan,ZHANG Ning,et al.Enhanced Properties of Heavily Mg-doped GaN by Combining Thermal Annealing Processes in NH3/N2[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI：10.37188/CJL.20240130

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