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Zn2+掺杂MgGa2O4∶Ni2+近红外二区发光材料制备、表征及其成像应用研究
材料合成及性能 | 更新时间：2024-09-25
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    • Zn2+掺杂MgGa2O4∶Ni2+近红外二区发光材料制备、表征及其成像应用研究

      增强出版

    • Preparation and Characterization of Zn2+-doped MgGa2O4∶Ni2+ NIR-Ⅱ Phosphors and Their Application in Imaging

    • “在最新研究中，科学家们采用水热法和真空热处理制备了新型近红外二区荧光粉，实现了高效夜视成像和生物组织成像。”
    • 发光学报   2024年45卷第8期 页码：1311-1324

    • DOI：10.37188/CJL.20240119    

      中图分类号：

    • 纸质出版日期：2024-08-25，

      修回日期：2024-05-06，

    移动端阅览

  • 张琳,杨健,李胜男等.Zn2+掺杂MgGa2O4∶Ni2+近红外二区发光材料制备、表征及其成像应用研究[J].发光学报,2024,45(08):1311-1324. DOI： 10.37188/CJL.20240119.

    ZHANG Lin,YANG Jian,LI Shengnan,et al.Preparation and Characterization of Zn2+-doped MgGa2O4∶Ni2+ NIR-Ⅱ Phosphors and Their Application in Imaging[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(08):1311-1324. DOI： 10.37188/CJL.20240119.

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