Herstellung, Charakterisierung und Anwendungsstudie von Zn2+-dotierten MgGa2O4∶Ni2+-Materialien mit Emission im zweiten nahen Infrarotfenster
摘要
Ein Znx Mg0,993-x Ga2O4∶0,7 %Ni2+ (x =0~0,5) (ZMGO∶Ni2+) Leuchtstoff mit inverser Spinellstruktur wurde mittels Hydrothermalmethode kombiniert mit nachfolgender Vakuum-Wärmebehandlung hergestellt. Mit zunehmendem Zn2+-Dotierungsgehalt vergrößerte sich die Partikelgröße der Pulverprobe ZMGO∶Ni2+ allmählich. Unter einer 635-nm-Laseranregung wurde ein breites Emissionsband bei etwa 1279 nm beobachtet, das der charakteristischen Emission von Ni2+ zugeordnet werden kann. Außerdem verringerte das Zn2+-Dotieren die thermische Aktivierungsenergie der Fluoreszenzlöschung von 244 meV auf 224 meV. Ein NIR-Ⅱ-Phosphor-konvertierter LED (NIR-Ⅱ pc-LED) wurde durch Einkapselung der Pulverprobe ZMGO∶Ni2+ mit der höchsten Leuchtintensität und einem 620-nm-Rotlicht-LED-Chip hergestellt. Basierend auf der starken Lichtdurchdringung von NIR-Ⅱ und dem Fehlen von Autofluoreszenz biologischer Gewebe wurde der NIR-Ⅱ pc-LED als Lichtquelle verwendet, um seine Anwendung in verdeckten Nachtsichtbildern und biologischem Gewebeabbildung zu untersuchen.
关键词
Photolumineszenz;Übergangsmetallionen;zweites nahes Infrarotfenster;Leuchtstoff
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