Preparación, caracterización y estudio de aplicaciones en imágenes de materiales emisores dopados con Zn2+ MgGa2O4∶Ni2+ en la segunda ventana del infrarrojo cercano

ZHANG Lin ,  

YANG Jian ,  

LI Shengnan ,  

WANG Shuai ,  

ZHU Hancheng ,  

YAN Duanting ,  

XU Changshan ,  

LIU Yuxue ,  

摘要

Se preparó un fósforo ZnxMg0.993-xGa2O4∶0.7%Ni2+ (x=0~0.5) (ZMGO∶Ni2+) con estructura de espinela invertida mediante un método hidrotermal combinado con un tratamiento térmico al vacío posterior. Con el aumento del contenido de dopaje de Zn2+, el tamaño de las partículas de la muestra en polvo ZMGO∶Ni2+ aumentó gradualmente. Bajo excitación con láser de 635 nm, se observó un pico de emisión de banda ancha alrededor de ~1279 nm, atribuible a la emisión característica de Ni2+. Además, el dopaje con Zn2+ redujo la energía de activación térmica de la desactivación de la fluorescencia de 244 meV a 224 meV. Se fabricó un LED con conversión de fósforo NIR-Ⅱ (NIR-Ⅱ pc-LED) encapsulando la muestra de polvo ZMGO∶Ni2+ con la mayor intensidad de emisión junto con un chip LED rojo de 620 nm. Basándose en la fuerte capacidad de penetración de la luz NIR-Ⅱ y la ausencia de autofluorescencia de los tejidos biológicos, se utilizó el NIR-Ⅱ pc-LED como fuente de luz para estudiar sus aplicaciones en imágenes nocturnas con obstrucción y en imágenes de tejidos biológicos.

关键词

fotoluminiscencia;iones de metales de transición;segunda ventana del infrarrojo cercano;fósforo

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