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通过诱导载流子的V坑传输提升GaN基绿光LED的空穴注入效率
器件制备及器件物理 | 更新时间:2024-07-10
    • 通过诱导载流子的V坑传输提升GaN基绿光LED的空穴注入效率

      增强出版
    • Enhanced Hole Injection of GaN Based Green LEDs by Inducing Carrier Transport Through V-pits

    • 最新研究揭示了提升GaN基多量子阱LED空穴注入效率的机制,通过优化最后势垒层结构,增强了载流子传输,为LED技术发展提供了新思路。
    • 发光学报   2024年45卷第5期 页码:800-808
    • DOI:10.37188/CJL.20240027    

      中图分类号: TN383+.1
    • 纸质出版日期:2024-05-25

      收稿日期:2024-01-31

      修回日期:2024-02-15

    扫 描 看 全 文

  • 张东皓,杨东锴,徐畅等.通过诱导载流子的V坑传输提升GaN基绿光LED的空穴注入效率[J].发光学报,2024,45(05):800-808. DOI: 10.37188/CJL.20240027.

    ZHANG Donghao,YANG Dongkai,XU Chang,et al.Enhanced Hole Injection of GaN Based Green LEDs by Inducing Carrier Transport Through V-pits[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(05):800-808. DOI: 10.37188/CJL.20240027.

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相关作者

张东皓
杨东锴
徐畅
刘信佑
包立君
刘诗涛
王立
伍菲菲

相关机构

厦门大学 电子科学与技术学院 电子科学系
南昌大学 材料科学与工程学院
南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心
南昌大学 光伏研究院
太原理工大学 新材料界面科学与工程教育部重点实验室
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