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1.5 μm高功率超辐射发光二极管的制备和性能
器件制备及器件物理 | 更新时间：2024-04-26
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    • 1.5 μm高功率超辐射发光二极管的制备和性能

      增强出版

    • Preparation and Performance of 1.5 μm High-power Superluminescent Diodes

    • “最新研究突破：采用InP/InGaAsP增益材料的超辐射发光二极管，通过优化外延结构，显著提升了光纤陀螺核心元件的性能和可靠性。”
      ”
    • 发光学报   2024年45卷第4期 页码：644-650

    • DOI：10.37188/CJL.20230321    

      中图分类号： TN312.8;O472

    • 纸质出版日期：2024-04-05，

      收稿日期：2023-12-16，

      修回日期：2024-01-11，

    扫 描 看 全 文

  • 薛正群,王凌华,陈玉萍.1.5 μm高功率超辐射发光二极管的制备和性能[J].发光学报,2024,45(04):644-650. DOI： 10.37188/CJL.20230321.

    XUE Zhengqun,WANG Linghua,CHEN Yuping.Preparation and Performance of 1.5 μm High-power Superluminescent Diodes[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(04):644-650. DOI： 10.37188/CJL.20230321.

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