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基于InGaAs/GaAs量子阱结构的辐射标定因子实验研究
器件制备及器件物理 | 更新时间：2024-01-05
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    • 基于InGaAs/GaAs量子阱结构的辐射标定因子实验研究

      增强出版

    • Experimental Study of Emission Scaling Factor Based on InGaAs/GaAs Quantum Well Structure

    • 发光学报   2023年44卷第12期 页码：2258-2264

    • DOI：10.37188/CJL.20230249    

      中图分类号： O482.31

    • 纸质出版日期：2023-12-05，

      收稿日期：2023-10-22，

      修回日期：2023-11-08，

    扫 描 看 全 文

  • 王伟,杨舒婷,汪雅欣等.基于InGaAs/GaAs量子阱结构的辐射标定因子实验研究[J].发光学报,2023,44(12):2258-2264. DOI： 10.37188/CJL.20230249.

    WANG Wei,YANG Shuting,WANG Yaxin,et al.Experimental Study of Emission Scaling Factor Based on InGaAs/GaAs Quantum Well Structure[J].Chinese Journal of Luminescence,2023,44(12):2258-2264. DOI： 10.37188/CJL.20230249.

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南开大学 泰达应用物理学院 弱光非线性教育部重点实验室
重庆师范大学 物理学与信息技术学院
重庆市高校光学工程重点实验室
浙江工业大学理学院, 浙江, 杭州, 310023
台湾交通大学, 应用化学系
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