您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
交流驱动无电学接触GaN基Micro⁃LED器件光电特性研究
更新时间:2023-11-14
    • 交流驱动无电学接触GaN基Micro⁃LED器件光电特性研究

      增强出版
    • Photoelectric Characteristics of AC-Driven Non-electrical Contact GaN-based Micro-LED Device

    • 发光学报   2023年 页码:1-8
    • DOI:10.37188/CJL.20230234    

      中图分类号:

    扫 描 看 全 文

  • 郭韫韵,翁书臣,邹振游等.交流驱动无电学接触GaN基Micro⁃LED器件光电特性研究[J].发光学报, DOI:10.37188/CJL.20230234

    GUO Yunyun,WENG Shuchen,ZOU Zhenyou,et al.Photoelectric Characteristics of AC-Driven Non-electrical Contact GaN-based Micro-LED Device[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI:10.37188/CJL.20230234

  •  

0

浏览量

0

下载量

0

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

无电学接触型氮化镓基Micro⁃LED器件光电性能
基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列
MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响
氮化镓基绿光LED中V坑对空穴电流分布的影响

相关作者

暂无数据

相关机构

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 多功能材料与轻巧系统重点实验室
中国科学技术大学 纳米技术与纳米仿生学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室
北京工业大学微电子学院 光电技术教育部重点实验室
武汉大学 动力与机械学院
0