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交流驱动无电学接触GaN基Micro⁃LED器件光电特性
器件制备及器件物理 | 更新时间：2024-01-05
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    • 交流驱动无电学接触GaN基Micro⁃LED器件光电特性

      增强出版

    • Photoelectric Characteristics of AC-driven Non-electrical Contact GaN-based Micro-LED Device

    • 发光学报   2023年44卷第12期 页码：2242-2249

    • DOI：10.37188/CJL.20230234    

      中图分类号： TN303;TN304.2

    • 纸质出版日期：2023-12-05，

      收稿日期：2023-10-09，

      修回日期：2023-10-24，

    扫 描 看 全 文

  • 郭韫韵,翁书臣,邹振游等.交流驱动无电学接触GaN基Micro⁃LED器件光电特性[J].发光学报,2023,44(12):2242-2249. DOI： 10.37188/CJL.20230234.

    GUO Yunyun,WENG Shuchen,ZOU Zhenyou,et al.Photoelectric Characteristics of AC-driven Non-electrical Contact GaN-based Micro-LED Device[J].Chinese Journal of Luminescence,2023,44(12):2242-2249. DOI： 10.37188/CJL.20230234.

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相关作者

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相关机构

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 多功能材料与轻巧系统重点实验室
中国科学技术大学 纳米技术与纳米仿生学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室
北京工业大学微电子学院 光电技术教育部重点实验室
武汉大学 动力与机械学院
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