您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
新型二维SiO2结构及面内应变对其光电性质影响的第一性原理研究
理论计算及光谱分析 | 更新时间:2023-09-06
    • 新型二维SiO2结构及面内应变对其光电性质影响的第一性原理研究

      增强出版
    • A Novel Two-dimensional SiO2 Structure and Influence of In-plane Strain on Its Photoelectric Properties: First-principles Study

    • 发光学报   2023年44卷第8期 页码:1496-1504
    • DOI:10.37188/CJL.20230072    

      中图分类号:

    扫 描 看 全 文

  • 刘雪婷,刘禹成,赵子昂等.新型二维SiO2结构及面内应变对其光电性质影响的第一性原理研究[J].发光学报,2023,44(08):1496-1504. DOI: 10.37188/CJL.20230072.

    LIU Xueting,LIU Yucheng,ZHAO Ziang,et al.A Novel Two-dimensional SiO2 Structure and Influence of In-plane Strain on Its Photoelectric Properties: First-principles Study[J].Chinese Journal of Luminescence,2023,44(08):1496-1504. DOI: 10.37188/CJL.20230072.

  •  

0

浏览量

26

下载量

0

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

无机钙钛矿太阳能电池Cs2SnI6的电子结构和光学性质的第一性原理研究
CdSexS1-x电子学结构及光学性质的第一性原理研究
溶剂依赖的MoS2量子点光学性质
点缺陷对Al0.5Ga0.5N纳米片的电子性质和光学性质影响:第一性原理研究

相关作者

暂无数据

相关机构

青海大学 基础教学研究部
青海大学 新能源光伏产业研究中心
四川大学 材料科学与工程学院
国家超级计算深圳中心
宜春学院
0