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AlGaN基深紫外LED的NiAu透明电极及其接触特性
发光产业及技术前沿 | 更新时间:2023-06-15
    • AlGaN基深紫外LED的NiAu透明电极及其接触特性

      增强出版
    • Ohmic Contact Characteristics of AlGaN-based Deep-ultraviolet Light-emitting-diodes with NiAu Transparent Electrode

    • 发光学报   2023年44卷第5期 页码:898-903
    • DOI:10.37188/CJL.20220385    

      中图分类号: TN312.8
    • 纸质出版日期:2023-05-05

      收稿日期:2022-11-07

      修回日期:2022-11-25

    扫 描 看 全 文

  • 王雪,刘乃鑫,王兵等.AlGaN基深紫外LED的NiAu透明电极及其接触特性[J].发光学报,2023,44(05):898-903. DOI: 10.37188/CJL.20220385.

    WANG Xue,LIU Naixin,WANG Bing,et al.Ohmic Contact Characteristics of AlGaN-based Deep-ultraviolet Light-emitting-diodes with NiAu Transparent Electrode[J].Chinese Journal of Luminescence,2023,44(05):898-903. DOI: 10.37188/CJL.20220385.

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