沉积参数对铯铅溴钙钛矿薄膜中CsPb<sub>2</sub>Br<sub>5</sub>相结构演变和发光特性的影响

林淑地; 吴海霞; 宋捷; 黄锐; 吕有明

doi:10.37188/CJL.20220335

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沉积参数对铯铅溴钙钛矿薄膜中CsPb₂Br₅相结构演变和发光特性的影响

材料合成及性能 | 更新时间：2023-05-10

- 沉积参数对铯铅溴钙钛矿薄膜中CsPb₂Br₅相结构演变和发光特性的影响
  增强出版
- Effect of Deposition Parameters on Luminescence Properties and Structure Evolution of CsPb₂Br₅ Phase in Cesium Lead Bromide Perovskite Films
- 发光学报 2023年44卷第4期页码：634-640
- 作者机构：
  
  1.深圳大学材料学院，广东深圳　518060
  2.韩山师范学院材料科学与工程学院，广东潮州　521041
- 作者简介：
  
  [ "林淑地（1997-），女，广东揭阳人，硕士研究生，2020年于韩山师范学院获得学士学位，主要从事全无机钙钛矿薄膜发光性能的研究。 E-mail： 2361062029@qq.com" ]
  [ "黄锐（1978-），男，广东潮州人，博士，教授，2008年于南京大学获得博士学位，主要从事量子点发光材料、稀土发光材料与应用、硅基材料光电特性的研究。 E-mail: rhuangnju@126.com" ]
  [ "吕有明（1963-），男，吉林长春人，博士，教授，博士生导师，2000年于日本长冈技术科学大学获得博士学位，主要从事氧化锌基半导体发光材料与器件、日盲紫外光电探测材料及器件、氧化物半导体透明电子学材料与器件、纳米半导体材料的制备及其光电器件的研究。" ]
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(12104117);广东省自然科学基金(2020A1515010432)
- DOI：10.37188/CJL.20220335
  中图分类号： O482.31
- 纸质出版日期：2023-04-05，
  
  收稿日期：2022-09-15，
  
  修回日期：2022-10-04，
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林淑地,吴海霞,宋捷等.沉积参数对铯铅溴钙钛矿薄膜中CsPb₂Br₅相结构演变和发光特性的影响[J].发光学报,2023,44(04):634-640.

LIN Shudi,WU Haixia,SONG Jie,et al.Effect of Deposition Parameters on Luminescence Properties and Structure Evolution of CsPb₂Br₅ Phase in Cesium Lead Bromide Perovskite Films[J].Chinese Journal of Luminescence,2023,44(04):634-640.
林淑地,吴海霞,宋捷等.沉积参数对铯铅溴钙钛矿薄膜中CsPb₂Br₅相结构演变和发光特性的影响[J].发光学报,2023,44(04):634-640. DOI： 10.37188/CJL.20220335.

LIN Shudi,WU Haixia,SONG Jie,et al.Effect of Deposition Parameters on Luminescence Properties and Structure Evolution of CsPb₂Br₅ Phase in Cesium Lead Bromide Perovskite Films[J].Chinese Journal of Luminescence,2023,44(04):634-640. DOI： 10.37188/CJL.20220335.

摘要

基于化学气相沉积（CVD）法制备的铯铅溴钙钛矿薄膜具有优异的光电特性，然而薄膜通常存在CsPbBr

和CsPb

两个不同的相结构区域。本文通过CVD法制备了铯铅溴钙钛矿薄膜，并利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、电子能谱仪（EDS）及荧光光谱仪研究了反应气压与N

流量对其中的CsPb

相结构的影响。实验结果表明，反应气压的变化对CsPb

相结构无影响；与此不同，随着N

流量的减少，薄膜中部分CsPb

相结构逐渐转变为CsPbBr

相结构，其发光也由以~630 nm为主的宽带发射转变为以~530 nm为主的窄带发射。实验表明，N

流量是调控CsPb

相结构和发光特性的有效手段。

Abstract

The cesium lead bromide perovskite thin films prepared by chemical vapor deposition （CVD） have excellent optoelectronic properties， but the thin films generally have two different phase structures， CsPbBr

and CsPb

. In our work， CVD method is considered to prepare cesium lead bromide perovskite thin films， and the effects of reaction pressure and N

flow on CsPb

in the thin films were studied by X-ray diffraction （XRD）， scanning electron microscopy（SEM）， energy dispersive spectroscopy（EDS） and fluorescence spectrometer. The results show that the change of the reaction pressure has no effect on the CsPb

phase. However， with the decrease of the N

flow， part of the CsPb

phase in the film gradually transforms into the CsPbBr

phase， and its luminescence also converts from a broadband emission dominated by ~630 nm to a narrowband emission dominated by ~530 nm. Experimental results reveal that N

flow is an effective means to control the phase structure and luminescence properties of CsPb

关键词

化学气相沉积铯铅溴钙钛矿薄膜CsPb2Br5相结构

Keywords

chemical vapor deposition（CVD）cesium lead bromide perovskite filmCsPb2Br5 phase

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