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基于外延层转移的超薄垂直结构深紫外LED
器件制备及器件物理 | 更新时间:2023-03-13
    • 基于外延层转移的超薄垂直结构深紫外LED

      增强出版
    • An Ultra-thin Vertical Deep Ultraviolet LED Realized by Epilayer Transfer

    • 发光学报   2023年44卷第2期 页码:321-327
    • DOI:10.37188/CJL.20220305    

      中图分类号:

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  • 严嘉彬,孙志航,房力等.基于外延层转移的超薄垂直结构深紫外LED[J].发光学报,2023,44(02):321-327. DOI: 10.37188/CJL.20220305.

    YAN Jiabin,SUN Zhihang,FANG Li,et al.An Ultra-thin Vertical Deep Ultraviolet LED Realized by Epilayer Transfer[J].Chinese Journal of Luminescence,2023,44(02):321-327. DOI: 10.37188/CJL.20220305.

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