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无电学接触型氮化镓基Micro⁃LED器件光电性能
器件制备及器件物理 | 更新时间:2022-11-04
    • 无电学接触型氮化镓基Micro⁃LED器件光电性能

      增强出版
    • Photoelectric Characteristics of Non-electric Contact GaN-based Micro-LED Device

    • 发光学报   2022年43卷第10期 页码:1592-1600
    • DOI:10.37188/CJL.20220237    

      中图分类号:

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  • 许海龙, 陈孔杰, 陈培崎, 等. 无电学接触型氮化镓基Micro⁃LED器件光电性能[J]. 发光学报, 2022,43(10):1592-1600. DOI: 10.37188/CJL.20220237.

    XU Hai-long, CHEN Kong-jie, CHEN Pei-qi, et al. Photoelectric Characteristics of Non-electric Contact GaN-based Micro-LED Device[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2022,43(10):1592-1600. DOI: 10.37188/CJL.20220237.

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