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电子阻挡层Al组分对GaN基蓝光激光二极管光电性能的影响
器件制备及器件物理 | 更新时间:2022-05-23
    • 电子阻挡层Al组分对GaN基蓝光激光二极管光电性能的影响

      增强出版
    • Effect of Al Composition of Electron Blocking Layer on Photoelectric Performance of GaN-based Blue Laser Diode

    • 发光学报   2022年43卷第5期 页码:773-785
    • DOI:10.37188/CJL.20220016    

      中图分类号:

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  • 杜小娟, 刘晶, 董海亮, 等. 电子阻挡层Al组分对GaN基蓝光激光二极管光电性能的影响[J]. 发光学报, 2022,43(5):773-785. DOI: 10.37188/CJL.20220016.

    Xiao-juan DU, Jing LIU, Hai-liang DONG, et al. Effect of Al Composition of Electron Blocking Layer on Photoelectric Performance of GaN-based Blue Laser Diode[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2022,43(5):773-785. DOI: 10.37188/CJL.20220016.

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