您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性
研究报告 | 更新时间：2020-08-11

    • MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性

    • Processing and Characteristics of InGaN/AlGaN Double Heterojunction Structure and of GaN Buffer Layer Grown by MOCVD Techniques

    • 发光学报   2000年21卷第4期 页码：324-329
    • 中图分类号： O472.3

    • 收稿：2000-10-20，

      纸质出版：2000-11-30

    移动端阅览

  • 林秀华. MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性[J]. 发光学报, 2000,21(4): 324-329 DOI：

    LIN Xiu-hua. Processing and Characteristics of InGaN/AlGaN Double Heterojunction Structure and of GaN Buffer Layer Grown by MOCVD Techniques[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(4): 324-329 DOI：

  •  
  •  
icon
试读结束，您可以激活您的VIP账号继续阅读。
去激活 >
icon
试读结束，您可以通过登录账户，到个人中心，购买VIP会员阅读全文。
已是VIP会员？
去登录 >

0

浏览量

267

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

氮和硼元素共掺杂对碳点荧光的调控机制
晶相对碳点多色发光的调制及其在白光发光二极管器件中的应用
邻苯二甲酸结晶诱导荧光碳点制备及其在白光发光二极管中的应用
植物生长LED用Sr2MgAl22O36∶Mn4+荧光玻璃的制备与发光性质
InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱

相关作者

刘子江
苗润泽
任卫杰
张宇飞
宋凯
孟帅
张瑞
李坤

相关机构

太原科技大学 应用科学学院， 山西省光场调控与融合应用技术创新中心
山西量界数字科技有限公司
太原科技大学 应用科学学院
太原科技大学 应用科学学院
湖南师范大学 化学化工学院
0