单晶Si Nd：YAG激光连续退火的数值计算

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稀土发光材料 | 更新时间：2020-08-11

- 单晶Si Nd：YAG激光连续退火的数值计算
- Numerical Calculation of Continuous Nd：YAG Laser-Annealing of Monocrystalline Silicon
- 发光学报 2000年21卷第4期页码：320-323
- 作者机构：
  
  1. 厦门大学物理系
  2. 白俄罗斯科学院电子学研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金重大项目(69887002)
- DOI：
  中图分类号： O472.3
- 收稿：2000-10-20，
  
  纸质出版：2000-11-30
- 稿件说明：
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傅仁武, 陈朝, Markevich M I. 单晶Si Nd：YAG激光连续退火的数值计算[J]. 发光学报, 2000,21(4): 320-323

FU Ren-wu, CHEN Chao, Markevich M I. Numerical Calculation of Continuous Nd：YAG Laser-Annealing of Monocrystalline Silicon[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(4): 320-323
傅仁武, 陈朝, Markevich M I. 单晶Si Nd：YAG激光连续退火的数值计算[J]. 发光学报, 2000,21(4): 320-323 DOI：

FU Ren-wu, CHEN Chao, Markevich M I. Numerical Calculation of Continuous Nd：YAG Laser-Annealing of Monocrystalline Silicon[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(4): 320-323 DOI：

应用固相外延模型来模拟单晶Si的连续Nd:YAG激光退火过程

在低功率密度连续激光退火下

用准静态模型模拟辐照区向非辐照区的径向传导散热。在数值计算中

应用部分线性法处理非线性非齐次热传导方程

得到相应的隐格式差分方程

再用追赶法求解隐格式差分方程

得出绝热边界条件下的温度的时间和空间分布

从而得出激光退火的再结晶厚度。当激光波长=1.06m、功率密度#em/em#

=700W/cm

预热温度T

=523K时

经过0.7秒

表面温度度升到1290K左右

再结晶厚度约为0.5m。

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