氧、硼、磷掺杂对氢化非晶硅中铒1.54μm发光的作用

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论文 | 更新时间：2020-08-11

- 氧、硼、磷掺杂对氢化非晶硅中铒1.54μm发光的作用
- Influence of O, B, P on 1.54μm Luminescence of Erbium doped Hydrogenated Amorphous Silicon
- 发光学报 2000年21卷第3期页码：196-199
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室, 上海200083
  2. 中国科学院半导体研究所, 北京100083
  3. 中国科学院凝聚态物理中心和表面物理国家重点实验室, 北京100080
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助课题(69976028;69636040)
- DOI：
  中图分类号： O472.3
- 收稿：1999-12-17，
  
  修回：2000-5-12，
  
  纸质出版：2000-08-30
- 稿件说明：
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梁建军, 王永谦, 陈维德, 王占国, 常勇. 氧、硼、磷掺杂对氢化非晶硅中铒1.54μm发光的作用[J]. 发光学报, 2000,21(3): 196-199

LIANG Jian-jun, WANG Yong-qian, CHEN Wei-de, WANG Zhan-guo, CHANG Yong. Influence of O, B, P on 1.54μm Luminescence of Erbium doped Hydrogenated Amorphous Silicon[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(3): 196-199
梁建军, 王永谦, 陈维德, 王占国, 常勇. 氧、硼、磷掺杂对氢化非晶硅中铒1.54μm发光的作用[J]. 发光学报, 2000,21(3): 196-199 DOI：

LIANG Jian-jun, WANG Yong-qian, CHEN Wei-de, WANG Zhan-guo, CHANG Yong. Influence of O, B, P on 1.54μm Luminescence of Erbium doped Hydrogenated Amorphous Silicon[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(3): 196-199 DOI：

利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术生长氧、硼、磷掺杂的氢化非晶硅薄膜.在室温下注入铒离子后研究三种掺杂元素对铒离子发光的作用.室温下观察到很强的光致发光现象.氧的引入并且和铒离子形成发光中心

提高了铒离子的发光强度.退火实验表明氧、硼、磷的掺杂补偿了材料中的缺陷

提高了氢的逃逸温度

改善材料的热稳定性

使材料的退火温度因掺杂元素的加入而提高

铒的发光得到增强.讨论了铒离子的发光机制.

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