GaP：NLED外延片微区光致发光和拉曼散射研究

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稀土发光材料 | 更新时间：2020-08-11

- GaP：NLED外延片微区光致发光和拉曼散射研究
- Study on GaP：NLED Epitaxial Layer by Microscopical Photoluminescence and Raman Spectroscopy
- 发光学报 2000年21卷第3期页码：200-204
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林长春130021
  2. 南昌746厂, 江西南昌330012
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家重大“863”基金资助项目(863-715-Z34-01)
- DOI：
  中图分类号： O472.3
- 收稿：2000-03-30，
  
  修回：2000-5-31，
  
  纸质出版：2000-08-30
- 稿件说明：
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高瑛, 高汉江, 骆永石, 刘和初, 董跃进, 章厚琪. GaP：NLED外延片微区光致发光和拉曼散射研究[J]. 发光学报, 2000,21(3): 200-204

GAO Ying, GAO Han-jiang, LUO Yong-shi, LIU He-chu, DONG Yao-jin, ZHANG Hou-qi. Study on GaP：NLED Epitaxial Layer by Microscopical Photoluminescence and Raman Spectroscopy[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(3): 200-204
高瑛, 高汉江, 骆永石, 刘和初, 董跃进, 章厚琪. GaP：NLED外延片微区光致发光和拉曼散射研究[J]. 发光学报, 2000,21(3): 200-204 DOI：

GAO Ying, GAO Han-jiang, LUO Yong-shi, LIU He-chu, DONG Yao-jin, ZHANG Hou-qi. Study on GaP：NLED Epitaxial Layer by Microscopical Photoluminescence and Raman Spectroscopy[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(3): 200-204 DOI：

在国内首次通过微区光致发光结合拉曼散射的方法研究了GaP:N五层结构的绿色发光外延片

用非破坏性的光学方法得到了载流子浓度的纵向分布

确定了发光最强的部位在P

区而且不同的样品有不同的光致发光强度随厚度的衰减曲线

以此为表征

从国内外样品的比较中查找出提高国产样品的改进方向.

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