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温度对Si衬底上低压MOCVD外延生长ZnS薄膜质量的影响
研究报告 | 更新时间：2020-08-11

    • 温度对Si衬底上低压MOCVD外延生长ZnS薄膜质量的影响

    • Effect of Substrate Temperature on the Epilayer Quality of ZnS Grown on the Si Substrate by LP-MOCVD

    • 发光学报   2000年21卷第1期 页码：6-10
    • 中图分类号： O484.1

    • 收稿：1999-02-09，

      修回：2000-1-12，

      纸质出版：2000-02-29

    移动端阅览

  • 赵晓薇, 张吉英, 杨宝均, 范希武, 羊亿, 申德振. 温度对Si衬底上低压MOCVD外延生长ZnS薄膜质量的影响[J]. 发光学报, 2000,21(1): 6-10 DOI：

    ZHAO Xiao-wei, ZHANG Ji-ying, YANG Bao-jun, Fan X W, YANG Yi, SHEN De-zhen. Effect of Substrate Temperature on the Epilayer Quality of ZnS Grown on the Si Substrate by LP-MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(1): 6-10 DOI：

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申德振
刘益春
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相关机构

中国科学院激发态物理重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心
南昌大学 材料科学与工程学院
北京工业大学电子信息与控制工程学院 光电子技术省部共建教育部重点实验室
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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