不同偏压下Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格室温电调制反射谱研究

于广辉; 范希武; 关郑平; 杨春雷; 张吉英; 申德振; 胡德宝

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不同偏压下Zn_1-xCd_xSe-ZnSe超晶格室温电调制反射谱研究

研究报告 | 更新时间：2020-08-11

- 不同偏压下Zn_1-xCd_xSe-ZnSe超晶格室温电调制反射谱研究
- Bias Dependence of Electroreflectance Spectra of Zn_1-xCd_xSe/ZnSe Supperlattices at Room Temperature
- 发光学报 2000年21卷第1期页码：1-5
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所
  2. 吉林大学电子工程系, 吉林长春130023
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家攀登计划;国家自然科学重大基金(No.69896260);国家自然科学基金(No.59772036,No.69886003,No.69977019);中国科学院激发态物理开放实验室资助
- DOI：
  中图分类号： O484.4+1
- 收稿：1999-02-05，
  
  修回：2000-1-7，
  
  纸质出版：2000-02-29
- 稿件说明：
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于广辉, 范希武, 关郑平, 杨春雷, 张吉英, 申德振, 胡德宝. 不同偏压下Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格室温电调制反射谱研究[J]. 发光学报, 2000,21(1): 1-5

YU Guang-hui, FAN X W, GUAN Zheng-ping, YANG Chun-lei, ZHANG Ji-ying, SHEN De-zhen, HU De-bao. Bias Dependence of Electroreflectance Spectra of Zn1-xCdxSe/ZnSe Supperlattices at Room Temperature[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(1): 1-5
于广辉, 范希武, 关郑平, 杨春雷, 张吉英, 申德振, 胡德宝. 不同偏压下Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格室温电调制反射谱研究[J]. 发光学报, 2000,21(1): 1-5 DOI：

YU Guang-hui, FAN X W, GUAN Zheng-ping, YANG Chun-lei, ZHANG Ji-ying, SHEN De-zhen, HU De-bao. Bias Dependence of Electroreflectance Spectra of Zn1-xCdxSe/ZnSe Supperlattices at Room Temperature[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000,21(1): 1-5 DOI：

摘要

首次研究了在室温和不同直流偏压下Zn

1-x

Se-ZnSe超晶格结构的电调制反射谱(ER)的变化。当器件处于弱场范围时

随着电场的增加

ER谱的信号幅度增加

而线型不变;在强场区

随着电场的增加

ER谱的线型发生变化

激子跃迁能量红移

继续增加反向偏压出现来自于1c-2hh的禁戒跃迁

且其强度随反向偏压的增加迅速增加。不同偏压下组合超晶格结构的ER谱研究表明

势垒高度较低的超晶格结构中的激子较易受到电场的调制。

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不同偏压下Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格室温电调制反射谱研究

Bias Dependence of Electroreflectance Spectra of Zn1-xCdxSe/ZnSe Supperlattices at Room Temperature

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不同偏压下Zn_1-xCd_xSe-ZnSe超晶格室温电调制反射谱研究

Bias Dependence of Electroreflectance Spectra of Zn_1-xCd_xSe/ZnSe Supperlattices at Room Temperature