分子束外延高Mg掺杂GaN的发光特性

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分子束外延高Mg掺杂GaN的发光特性

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 分子束外延高Mg掺杂GaN的发光特性
- OPTICAL PROPERTY OF HEAVILY Mg DOPED GaN GROWN BY MBE
- 发光学报 1999年20卷第2期页码：148-151
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所
  2. Department of Physics, Dongguk University
  3. Department of Physics, Kwangwoon University
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  中国科学院出国人员回国择优支持基金
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1998-08-01，
  
  纸质出版：1999-05-30
- 稿件说明：
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宋航, Park S H, Kang T W, Kim T W. 分子束外延高Mg掺杂GaN的发光特性[J]. 发光学报, 1999,20(2): 148-151

Song Hang, Park S H, Kang T W, Kim T W. OPTICAL PROPERTY OF HEAVILY Mg DOPED GaN GROWN BY MBE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(2): 148-151
宋航, Park S H, Kang T W, Kim T W. 分子束外延高Mg掺杂GaN的发光特性[J]. 发光学报, 1999,20(2): 148-151 DOI：

Song Hang, Park S H, Kang T W, Kim T W. OPTICAL PROPERTY OF HEAVILY Mg DOPED GaN GROWN BY MBE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(2): 148-151 DOI：

采用分子束外延技术在蓝宝石衬底上制备Mg掺杂的立方相p-GaN

并对其不同温度下的光致发光光谱进行了研究。实验观察到高Mg掺杂GaN中施主受主对发光的反常温度行为。理论分析表明

高Mg掺杂GaN中施主受主对的发光受到陷阱与受主间竞争俘获非平衡空穴过程和空穴隧穿输运过程的影响。

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