GaN外延层中的缺陷对光学性质的影响

康俊勇; 黄启圣; 小川智哉

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GaN外延层中的缺陷对光学性质的影响

论文 | 更新时间：2020-08-11

- GaN外延层中的缺陷对光学性质的影响
- INFLUENCE OF DEFECTS ON THE OPTICAL PROPERTIES OF GaN EPILAYERS
- 发光学报 1999年20卷第1期页码：29-31
- 作者机构：
  
  1. 厦门大学物理系,福建厦门,361005
  2. 学习院大学理学部, 东京都,日本,171
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金;福建省自然科学基金
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1999-2-28，
  
  收稿日期：1998-5-30，
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康俊勇, 黄启圣, 小川智哉. GaN外延层中的缺陷对光学性质的影响[J]. 发光学报, 1999,20(1): 29-31

Kang Junyong, Huang Qisheng, Ogawa Tomoya. INFLUENCE OF DEFECTS ON THE OPTICAL PROPERTIES OF GaN EPILAYERS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 29-31
康俊勇, 黄启圣, 小川智哉. GaN外延层中的缺陷对光学性质的影响[J]. 发光学报, 1999,20(1): 29-31 DOI：

Kang Junyong, Huang Qisheng, Ogawa Tomoya. INFLUENCE OF DEFECTS ON THE OPTICAL PROPERTIES OF GaN EPILAYERS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 29-31 DOI：

摘要

用金属有机化合物气相外延(MOVEP)方法生长具有不同表面形貌的非掺杂GaN

并对部分样品的外延层表面进行镜面加工。用阴极射线发光、光散射和拉曼散射方法观察GaN中深能级发光、缺陷散射光分布和拉曼散射光频移。结果表明

缺陷不但影响GaN的发光和光散射

而且影响拉曼频移

Abstract

Undoped GaN epilayers with different surface morphologies were grown by MOVPE

and surfaces of part of epilayers were polished. Luminescence distribution of deep levels

scattering light of defects

and Raman shift were measured by cathodoluminescence

light scattering

and Raman scattering

respectively. The results show that the defects in GaN epilayers influence not only on the luminescence and light scattering properties but also on the Raman shifts.

关键词

GaN缺陷光学性质

Keywords

GaNdefectoptical property

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相关机构

北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室

泉州师范学院物理与信息工程学院福建省先进微纳光子技术与器件重点实验室

福州大学先进制造学院

福建师范大学光电与信息工程学院

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