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中国科学院长春物理研究所
纸质出版:1998-08-30
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宋航. MOCVD生长GaN中带尾和激子发光特性研究[J]. 发光学报, 1998,19(3): 263-266
Song Hang. PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF BAND TAIL AND EXCITON ON GaN GROWN BY MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1998,19(3): 263-266
宋航. MOCVD生长GaN中带尾和激子发光特性研究[J]. 发光学报, 1998,19(3): 263-266 DOI:
Song Hang. PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF BAND TAIL AND EXCITON ON GaN GROWN BY MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1998,19(3): 263-266 DOI:
采用低压MOCVD生长技术制备GaN
对其界面附近的发光特性及其温度行为进行了研究。实验表明界面附近GaN的发光呈一宽带发射。并对叠加于宽带发射上的尖锐发光峰及其温度行为进行了讨论。
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