王鑫炜; 刘宏伟; 高克; 张赞允; 李晓云; 宁平凡; 王笃祥; 牛萍娟

doi:10.37188/CJL.20200285

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Nano-LED半极性面InGaN/GaN单量子阱结构极化和光谱仿真分析

理论计算及光谱分析 | 更新时间：2021-01-12

- Nano-LED半极性面InGaN/GaN单量子阱结构极化和光谱仿真分析封面论文增强出版
- Polarization and Spectral Simulation of Nano-LED Semi-polarized InGaN/GaN Single Quantum Well
- 发光学报 2021年 42卷第1期 (2021)
- 作者机构：
  
  天津工业大学电子与信息工程学院,天津,300387;天津市光电检测与系统重点实验室,天津,300387;天津三安光电有限公司,天津,300384
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(61504093);国家留学基金委资助访问学者项目(201809345004);天津市科技计划(19JCTPJC48000);天津市科技计划(18ZXCLGX00090);天津市科技计划(18JCYBJC85400);天津市教委科研计划(2017ZD06);天津市高等学校创新团队培养计划(TD13-5035)
- DOI：10.37188/CJL.20200285 中图分类号： O482.31
- 纸质出版日期：2021-1，
  
  网络出版日期：，
  
  收稿日期：2020-9-26，
  
  修回日期：，
  
  录用日期：2020-10-29
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引用本文
王鑫炜, 刘宏伟, 高克, 等. Nano-LED半极性面InGaN/GaN单量子阱结构极化和光谱仿真分析[J]. 发光学报, 2021, 42(1):111-117.

Xin-wei WANG, Hong-wei LIU, Ke GAO, et al. Polarization and Spectral Simulation of Nano-LED Semi-polarized InGaN/GaN Single Quantum Well[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2021, 42(1):111-117.
王鑫炜, 刘宏伟, 高克, 等. Nano-LED半极性面InGaN/GaN单量子阱结构极化和光谱仿真分析[J]. 发光学报, 2021, 42(1):111-117. DOI： 10.37188/CJL.20200285.

Xin-wei WANG, Hong-wei LIU, Ke GAO, et al. Polarization and Spectral Simulation of Nano-LED Semi-polarized InGaN/GaN Single Quantum Well[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2021, 42(1):111-117. DOI： 10.37188/CJL.20200285.

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