InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长

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材料合成及性能 | 更新时间：2021-04-23

- InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长封面论文增强出版
- Growth of InGaAs/GaAsP Strain-compensated Multiple Quantum Wells via MOCVD Technology
- 发光学报 2021年 42卷第4期 (2021)
- 作者机构：
  
  长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  吉林省科技发展计划(20190302052GX)
- DOI：10.37188/CJL.20200379 中图分类号： TN304.2
- 纸质出版日期：2021-04-01，
  
  网络出版日期：，
  
  收稿日期：2020-12-12，
  
  修回日期：2021-01-04，
  
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王旭, 王海珠, 张彬, 等. InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长[J]. 发光学报, 2021, 42(4):448-454.

Xu WANG, Hai-zhu WANG, Bin ZHANG, et al. Growth of InGaAs/GaAsP Strain-compensated Multiple Quantum Wells via MOCVD Technology[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2021, 42(4):448-454.
王旭, 王海珠, 张彬, 等. InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长[J]. 发光学报, 2021, 42(4):448-454. DOI： 10.37188/CJL.20200379.

Xu WANG, Hai-zhu WANG, Bin ZHANG, et al. Growth of InGaAs/GaAsP Strain-compensated Multiple Quantum Wells via MOCVD Technology[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2021, 42(4):448-454. DOI： 10.37188/CJL.20200379.

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