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InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长
材料合成及性能 | 更新时间:2021-04-23
    • InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长

    • Growth of InGaAs/GaAsP Strain-compensated Multiple Quantum Wells via MOCVD Technology

    • 发光学报   2021年42卷第4期 页码:448-454
    • DOI:10.37188/CJL.20200379    

      中图分类号: TN304.2
    • 纸质出版日期:2021-04-01

      收稿日期:2020-12-12

      修回日期:2021-01-04

    扫 描 看 全 文

  • 王旭, 王海珠, 张彬, 等. InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长[J]. 发光学报, 2021,42(4):448-454. DOI: 10.37188/CJL.20200379.

    Xu WANG, Hai-zhu WANG, Bin ZHANG, et al. Growth of InGaAs/GaAsP Strain-compensated Multiple Quantum Wells via MOCVD Technology[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2021,42(4):448-454. DOI: 10.37188/CJL.20200379.

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相关作者

王旭
王海珠
张彬
王曲惠
范杰
邹永刚
马晓辉
黄佳琳

相关机构

长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室
中国农业大学 应用物理系
中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室
广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室 华南师范大学光电子材料与技术研究所
中国科学院长春物理研究所
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