GaN基白光二极管漏电失效分析

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GaN基白光二极管漏电失效分析

发光产业及技术前沿 | 更新时间：2020-11-10

- GaN基白光二极管漏电失效分析封面论文增强出版
- Failure Mechanism Analysis of Reverse Leakage in GaN-based White LED
- 发光学报 2020年 41卷第11期 (2020)
- 作者机构：
  
  华南理工大学材料科学与工程学院,广东,广州,中国,510640;广东金鉴检测科技有限公司,广东,广州,中国,511300
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  广东省扬帆计划(2015YT02C093);Huizhou Science and Technology Planning Project(2019SX0111011);广东省科技计划(2017B010114001);中山市科技计划(2017C1011);中山市科技计划(2018A10013)
- DOI：10.37188/CJL.20200211 中图分类号： TN383.1
- 纸质出版日期：2020-11，
  
  网络出版日期：，
  
  收稿日期：2020-7-17，
  
  修回日期：，
  
  录用日期：2020-8-20
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引用本文
左文财, 文尚胜, 周悦, 等. GaN基白光二极管漏电失效分析[J]. 发光学报, 2020, 41(11):1431-1437.

Weng-cai ZUO, Shang-sheng WEN, Yue ZHOU, et al. Failure Mechanism Analysis of Reverse Leakage in GaN-based White LED[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020, 41(11):1431-1437.
左文财, 文尚胜, 周悦, 等. GaN基白光二极管漏电失效分析[J]. 发光学报, 2020, 41(11):1431-1437. DOI： 10.37188/CJL.20200211.

Weng-cai ZUO, Shang-sheng WEN, Yue ZHOU, et al. Failure Mechanism Analysis of Reverse Leakage in GaN-based White LED[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020, 41(11):1431-1437. DOI： 10.37188/CJL.20200211.

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华南师范大学美术学院

广东金鉴实验室科技有限公司

华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室, 广东广州 510640

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