纸质出版日期:2020-6,
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收稿日期:2020-3-18,
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录用日期:2020-4-15
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曹子坤, 刘宗顺, 江德生, 等. 高增益GaN基PIN雪崩二极管的制备及p-GaN层载流子浓度的估算[J]. 发光学报, 2020, 41(6):707-713.
Zi-kun CAO, Zong-shun LIU, De-sheng JIANG, et al. Fabrication of High Gain GaN Based PIN Avalanche Diode and Estimation of p-GaN Layer Carrier Concentration[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020, 41(6):707-713.
曹子坤, 刘宗顺, 江德生, 等. 高增益GaN基PIN雪崩二极管的制备及p-GaN层载流子浓度的估算[J]. 发光学报, 2020, 41(6):707-713. DOI: 10.3788/fgxb20204106.0707.
Zi-kun CAO, Zong-shun LIU, De-sheng JIANG, et al. Fabrication of High Gain GaN Based PIN Avalanche Diode and Estimation of p-GaN Layer Carrier Concentration[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020, 41(6):707-713. DOI: 10.3788/fgxb20204106.0707.
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