曹子坤; 刘宗顺; 江德生; 朱建军; 陈平; 赵德刚

doi:10.3788/fgxb20204106.0707

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高增益GaN基PIN雪崩二极管的制备及p-GaN层载流子浓度的估算

器件制备及器件物理 | 更新时间：2020-09-15

- 高增益GaN基PIN雪崩二极管的制备及p-GaN层载流子浓度的估算封面论文增强出版
- Fabrication of High Gain GaN Based PIN Avalanche Diode and Estimation of p-GaN Layer Carrier Concentration
- 发光学报 2020年 41卷第6期 (2020)
- 作者机构：
  
  中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;中国科学院大学材料科学与光电技术学院;中国科学院大学材料科学与光电工程中心
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  National Key R＆D Program of China;National Key R＆D Program of China;National Key R＆D
- DOI：10.3788/fgxb20204106.0707 中图分类号： TN36
- 纸质出版日期：2020-6，
  
  网络出版日期：，
  
  收稿日期：2020-3-18，
  
  修回日期：，
  
  录用日期：2020-4-15
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引用本文
曹子坤, 刘宗顺, 江德生, 等. 高增益GaN基PIN雪崩二极管的制备及p-GaN层载流子浓度的估算[J]. 发光学报, 2020, 41(6):707-713.

Zi-kun CAO, Zong-shun LIU, De-sheng JIANG, et al. Fabrication of High Gain GaN Based PIN Avalanche Diode and Estimation of p-GaN Layer Carrier Concentration[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020, 41(6):707-713.
曹子坤, 刘宗顺, 江德生, 等. 高增益GaN基PIN雪崩二极管的制备及p-GaN层载流子浓度的估算[J]. 发光学报, 2020, 41(6):707-713. DOI： 10.3788/fgxb20204106.0707.

Zi-kun CAO, Zong-shun LIU, De-sheng JIANG, et al. Fabrication of High Gain GaN Based PIN Avalanche Diode and Estimation of p-GaN Layer Carrier Concentration[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020, 41(6):707-713. DOI： 10.3788/fgxb20204106.0707.

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