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高功率半导体激光阵列的高温特性机理

器件制备及器件物理 | 更新时间：2020-09-10

- 高功率半导体激光阵列的高温特性机理封面论文增强出版
- Analysis on High Temperature Characteristic of High Power Semiconductor Laser Array
- 发光学报 2020年 41卷第9期 (2020)
- 作者机构：
  
  中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西,西安,中国,710119;中国科学院大学,北京,中国,100049
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(61504167)
- DOI：10.37188/fgxb20204109.1158 中图分类号： TN248.4
- 纸质出版日期：2020-9，
  
  网络出版日期：，
  
  收稿日期：2020-6-9，
  
  修回日期：，
  
  录用日期：2020-7-1
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引用本文
李波, 王贞福, 仇伯仓, 等. 高功率半导体激光阵列的高温特性机理[J]. 发光学报, 2020, 41(9):1158-1164.

Bo LI, Zhen-fu WANG, Bo-cang QIU, et al. Analysis on High Temperature Characteristic of High Power Semiconductor Laser Array[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020, 41(9):1158-1164.
李波, 王贞福, 仇伯仓, 等. 高功率半导体激光阵列的高温特性机理[J]. 发光学报, 2020, 41(9):1158-1164. DOI： 10.37188/fgxb20204109.1158.

Bo LI, Zhen-fu WANG, Bo-cang QIU, et al. Analysis on High Temperature Characteristic of High Power Semiconductor Laser Array[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020, 41(9):1158-1164. DOI： 10.37188/fgxb20204109.1158.

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