部分阳离子取代优化铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池性能研究进展 增强出版

{ "defaultlang": "zh", "titlegroup": { "articletitle": [ { "lang": "zh", "data": [ { "name": "text", "data": "部分阳离子取代优化铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池性能研究进展" } ] }, { "lang": "en", "data": [ { "name": "text", "data": "Research Progress on Optimizing Performance of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "Thin-film Solar Cells by Partial Cation Substitutions" } ] } ] }, "contribgroup": { "author": [ { "name": [ { "lang": "zh", "surname": "米", "givenname": "亚金", "namestyle": "eastern", "prefix": "" }, { "lang": "en", "surname": "MI", "givenname": "Ya-jin", "namestyle": "eastern", "prefix": "" } ], "stringName": [], "aff": [ { "rid": "aff1", "text": "1" }, { "rid": "aff2", "text": "2" } ], "role": [ "first-author" ], "bio": [ { "lang": "zh", "text": [ "米亚金(1998-)，男，内蒙古二连浩特人，硕士研究生，2020年于内蒙古师范大学获得学士学位，主要从事阳离子掺杂优化铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池性能的研究。E-mail: 1787938204@qq.com" ], "graphic": [ { "print": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623160&type=", "small": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623162&type=", "big": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623163&type=" } ], "data": [ [ { "name": "text", "data": "米亚金" }, { "name": "text", "data": "(1998-)，男，内蒙古二连浩特人，硕士研究生，2020年于内蒙古师范大学获得学士学位，主要从事阳离子掺杂优化铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池性能的研究。E-mail: " }, { "name": "text", "data": "1787938204@qq.com" } ] ] } ], "email": "1787938204@qq.com", "deceased": false }, { "name": [ { "lang": "zh", "surname": "杨", "givenname": "艳春", "namestyle": "eastern", "prefix": "" }, { "lang": "en", "surname": "YANG", "givenname": "Yan-chun", "namestyle": "eastern", "prefix": "" } ], "stringName": [], "aff": [ { "rid": "aff1", "text": "1" }, { "rid": "aff2", "text": "2" }, { "rid": "aff3", "text": "3" } ], "role": [ "corresp" ], "corresp": [ { "rid": "cor1", "lang": "en", "text": "*Corresponding Author, E-mail: 20170020@imnu.edu.cn", "data": [ { "name": "text", "data": "*Corresponding Author, E-mail: 20170020@imnu.edu.cn" } ] } ], "bio": [ { "lang": "zh", "text": [ "杨艳春(1989-)，女，山西应县人，博士，副教授、硕士生导师，2017年于中国科学院长春应用化学研究所获得博士学位，主要从事溶液法制备铜基薄膜太阳能电池及其性能优化的研究。E-mail: 20170020@imnu.edu.cn" ], "graphic": [ { "print": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623168&type=", "small": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623173&type=", "big": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623177&type=" } ], "data": [ [ { "name": "text", "data": "杨艳春" }, { "name": "text", "data": "(1989-)，女，山西应县人，博士，副教授、硕士生导师，2017年于中国科学院长春应用化学研究所获得博士学位，主要从事溶液法制备铜基薄膜太阳能电池及其性能优化的研究。E-mail: " }, { "name": "text", "data": "20170020@imnu.edu.cn" } ] ] } ], "email": "20170020@imnu.edu.cn", "deceased": false }, { "name": [ { "lang": "zh", "surname": "王", "givenname": "晓宁", "namestyle": "eastern", "prefix": "" }, { "lang": "en", "surname": "WANG", "givenname": "Xiao-ning", "namestyle": "eastern", "prefix": "" } ], "stringName": [], "aff": [ { "rid": "aff1", "text": "1" } ], "role": [], "deceased": false }, { "name": [ { "lang": "zh", "surname": "朱", "givenname": "成军", "namestyle": "eastern", "prefix": "" }, { "lang": "en", "surname": "ZHU", "givenname": "Cheng-jun", "namestyle": "eastern", "prefix": "" } ], "stringName": [], "aff": [ { "rid": "aff3", "text": "3" } ], "role": [], "deceased": false } ], "aff": [ { "id": "aff1", "intro": [ { "lang": "zh", "label": "1", "text": "内蒙古师范大学物理与电子信息学院　内蒙古自治区功能材料物理与化学重点实验室，内蒙古　呼和浩特　010020", "data": [ { "name": "text", "data": "内蒙古师范大学物理与电子信息学院　内蒙古自治区功能材料物理与化学重点实验室，内蒙古　呼和浩特　010020" } ] }, { "lang": "en", "label": "1", "text": "Inner Mongolian Key Laboratory for Physics and Chemistry of Functional Materials, School of Physics and Electronic Information, Inner Mongolia Normal University, Hohhot 010020, China", "data": [ { "name": "text", "data": "Inner Mongolian Key Laboratory for Physics and Chemistry of Functional Materials, School of Physics and Electronic Information, Inner Mongolia Normal University, Hohhot 010020, China" } ] } ] }, { "id": "aff2", "intro": [ { "lang": "zh", "label": "2", "text": "内蒙古自治区稀土功能和新能源储能材料工程研究中心，内蒙古　呼和浩特　010020", "data": [ { "name": "text", "data": "内蒙古自治区稀土功能和新能源储能材料工程研究中心，内蒙古　呼和浩特　010020" } ] }, { "lang": "en", "label": "2", "text": "Inner Mongolia Autonomous Region Engineering Research Center for Rare Earth Functions and New Energy Storage Materials, Hohhot 010020, China", "data": [ { "name": "text", "data": "Inner Mongolia Autonomous Region Engineering Research Center for Rare Earth Functions and New Energy Storage Materials, Hohhot 010020, China" } ] } ] }, { "id": "aff3", "intro": [ { "lang": "zh", "label": "3", "text": "内蒙古大学　物理科学与技术学院，内蒙古　呼和浩特　010021", "data": [ { "name": "text", "data": "内蒙古大学　物理科学与技术学院，内蒙古　呼和浩特　010021" } ] }, { "lang": "en", "label": "3", "text": "School of Physics Science and Technology, Inner Mongolia University, Hohhot 010021, China", "data": [ { "name": "text", "data": "School of Physics Science and Technology, Inner Mongolia University, Hohhot 010021, China" } ] } ] } ] }, "abstracts": [ { "lang": "zh", "data": [ { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "作为无机化合物薄膜太阳能电池中具有代表性的一类电池，铜锌锡硫硒(Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "，简称CZTSSe)薄膜太阳能电池因其组成元素地壳含量丰富、低毒等优点受到广泛关注。目前，吸收层的高缺陷密度和器件的低开路电压被认为是限制该类电池效率的两个关键因素。为了突破这两大困境，科研人员发展了阳离子取代方法，即通过引入其他阳离子取代CZTSSe晶格中的铜离子(Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": ")/锌离子(Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": ")/锡离子(Sn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": ")，改善薄膜中的有害缺陷、晶体结构、能带结构等性质，从而优化电池器件的性能。为了详细阐述阳离子取代措施在铜锌锡硫硒薄膜电池中的研究进展，本文从等价阳离子取代和不等价阳离子取代两方面进行分类介绍，并总结了各种阳离子取代措施在优化电池性能方面的优缺点。" } ] } ] }, { "lang": "en", "data": [ { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "As a representative of inorganic thin film solar cells, Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "(CZTSSe) thin film solar cells have attracted much extensive attention, since the constituent elements are rich in earth, low toxic, " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "etc" } ] }, { "name": "text", "data": ". At present, high defect density of the absorber layer and low open circuit voltage of device are both considered as two key factors limiting the efficiency of device. In order to break though the two difficulties, the researchers developed the substitutions of Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "/Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "/Sn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": " by another cation. This can optimize the film properties of the harmful defects, crystal structure, and band structure, improving the performance of devices. Here, we classify by equivalent and inequivalent cation substitutions to elaborate current research development of CZTSSe thin film solar cells by cation substitution, and summarize their advantage and disadvantage in optimizing performance of devices." } ] } ] } ], "keyword": [ { "lang": "zh", "data": [ [ { "name": "text", "data": "薄膜太阳能电池" } ], [ { "name": "text", "data": "铜锌锡硫硒" } ], [ { "name": "text", "data": "阳离子取代" } ] ] }, { "lang": "en", "data": [ [ { "name": "text", "data": "thin film solar cell" } ], [ { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] } ], [ { "name": "text", "data": "cation substitutions" } ] ] } ], "highlights": [], "body": [ { "name": "sec", "data": [ { "name": "sectitle", "data": { "label": [ { "name": "text", "data": "1" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "引言" } ], "level": "1", "id": "s1" } }, { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "针对当前传统能源的危机，合理地开发和利用可再生能源将是人类不得不履行的职责。现已开发出来的可再生能源包括太阳能、风能、水能、生物能、地热能等。相比水能、地热能等这种受地域限制的能源，太阳能具有极大的优势。太阳能的利用不受地域的限制，只要有光照的地方就有太阳能" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "1", "type": "bibr", "rid": "R1", "data": [ { "name": "text", "data": "1" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。因此，开发和利用太阳能对人类的生态文明建设更具有实用价值。太阳能的利用其实就是将光能转化为其他形式的能源，供人类使用，而将光能转化为电能则是人类利用太阳能最多的形式，这也使得将光能转化为电能的重要媒介——太阳能电池备受人们关注。就目前的研究现状而言，已经发展起来的太阳能电池的种类有：硅系电池、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜电池、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳能电池、铜基太阳能电池、染料敏化电池、有机太阳能电池以及钙钛矿太阳能电池等" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "2", "type": "bibr", "rid": "R2", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。这里，我们主要讨论的是化合物半导体薄膜电池中的铜锌锡硫硒(Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "，简称CZTSSe)薄膜太阳能电池的研究进展。" } ] }, { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "由于CZTSSe 薄膜太阳能电池具有组成元素在地壳中储存丰富、低毒环保、具有可调的吸收层带隙、理论转换效率较高以及吸光系数超过10" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " cm" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "-1" } ] }, { "name": "text", "data": " 等优点" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "blockXref", "data": { "data": [ { "name": "xref", "data": { "text": "3", "type": "bibr", "rid": "R3", "data": [ { "name": "text", "data": "3" } ] } }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "xref", "data": { "text": "30", "type": "bibr", "rid": "R30", "data": [ { "name": "text", "data": "30" } ] } } ], "rid": [ "R3", "R4", "R5", "R6", "R7", "R8", "R9", "R10", "R11", "R12", "R13", "R14", "R15", "R16", "R17", "R18", "R19", "R20", "R21", "R22", "R23", "R24", "R25", "R26", "R27", "R28", "R29", "R30" ], "text": "3-30", "type": "bibr" } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "，所以被认为更适合于未来大规模工业化生产。当前，已报道的CZTSSe薄膜电池最高转化效率仍旧比较低，只有13%" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "31", "type": "bibr", "rid": "R31", "data": [ { "name": "text", "data": "31" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。究其原因，吸收层薄膜中阳离子的无序性和PN异质结能带偏移值较大被公认为是限制电池器件效率的两大因素。由于Cu与Zn在元素周期表中是邻近的元素，二者的离子半径大约都是0.074 nm" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "blockXref", "data": { "data": [ { "name": "xref", "data": { "text": "32", "type": "bibr", "rid": "R32", "data": [ { "name": "text", "data": "32" } ] } }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "xref", "data": { "text": "33", "type": "bibr", "rid": "R33", "data": [ { "name": "text", "data": "33" } ] } } ], "rid": [ "R32", "R33" ], "text": "32-33", "type": "bibr" } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "，在CZTSSe材料里很容易发生Cu/Zn排列的乱序" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "34", "type": "bibr", "rid": "R34", "data": [ { "name": "text", "data": "34" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "，且Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "Zn" } ] }, { "name": "text", "data": "反位缺陷形成能较低，也容易形成Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "Zn" } ] }, { "name": "text", "data": "缺陷，成为复合中心，降低薄膜太阳能电池的光电转换效率" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "blockXref", "data": { "data": [ { "name": "xref", "data": { "text": "35", "type": "bibr", "rid": "R35", "data": [ { "name": "text", "data": "35" } ] } }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "xref", "data": { "text": "40", "type": "bibr", "rid": "R40", "data": [ { "name": "text", "data": "40" } ] } } ], "rid": [ "R35", "R36", "R37", "R38", "R39", "R40" ], "text": "35-40", "type": "bibr" } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。为此，科研人员提出了阳离子掺杂的优化措施概念，即加入其他阳离子来限制薄膜里的Cu/Zn乱序、优化薄膜的性质。传统的CZTSSe薄膜太阳能电池结构为钠钙玻璃(SLG)/钼电极(Mo)/CZTSSe/缓冲层(CdS)/窗口层(i-ZnO)/窗口层(ITO)/铝电极(Al)" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "41", "type": "bibr", "rid": "R41", "data": [ { "name": "text", "data": "41" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "，衬底——钠钙玻璃可以作为Na源，对薄膜进行Na掺杂来优化薄膜的性质，因此Na掺杂被认为是一种优化CZTSSe薄膜性质的最普遍方法" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "blockXref", "data": { "data": [ { "name": "xref", "data": { "text": "42", "type": "bibr", "rid": "R42", "data": [ { "name": "text", "data": "42" } ] } }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "xref", "data": { "text": "43", "type": "bibr", "rid": "R43", "data": [ { "name": "text", "data": "43" } ] } } ], "rid": [ "R42", "R43" ], "text": "42-43", "type": "bibr" } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。同时，这种方式在优化电沉积法制备CZTSSe薄膜性质方面体现出其独特的魅力。众所周知，Zn和Cu的标准电位分别为-0.76 V和+0.342 V，二者较大的标准电位差致使阳离子掺杂在共沉积法方面存在技术性的难题" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "blockXref", "data": { "data": [ { "name": "xref", "data": { "text": "26", "type": "bibr", "rid": "R26", "data": [ { "name": "text", "data": "26" } ] } }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "xref", "data": { "text": "28", "type": "bibr", "rid": "R28", "data": [ { "name": "text", "data": "28" } ] } } ], "rid": [ "R26", "R27", "R28" ], "text": "26-28", "type": "bibr" } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。采用钠钙玻璃衬底作为Na源进行阳离子掺杂" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "blockXref", "data": { "data": [ { "name": "xref", "data": { "text": "42", "type": "bibr", "rid": "R42", "data": [ { "name": "text", "data": "42" } ] } }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "xref", "data": { "text": "43", "type": "bibr", "rid": "R43", "data": [ { "name": "text", "data": "43" } ] } } ], "rid": [ "R42", "R43" ], "text": "42-43", "type": "bibr" } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "，无疑是优化电沉积法的CZTSSe薄膜性质的最好选择；除此之外，通过其他阳离子取代CZTSSe材料中的Cu或Zn也可以降低吸收层薄膜中阳离子的无序性" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "blockXref", "data": { "data": [ { "name": "xref", "data": { "text": "44", "type": "bibr", "rid": "R44", "data": [ { "name": "text", "data": "44" } ] } }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "xref", "data": { "text": "46", "type": "bibr", "rid": "R46", "data": [ { "name": "text", "data": "46" } ] } } ], "rid": [ "R44", "R45", "R46" ], "text": "44-46", "type": "bibr" } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。CZTSSe与CdS能带偏移值较大被公认为是限制电池器件效率的另一大因素。铜锌锡硫硒的导带顶位置(CBM)由Sn 5s和S 3p轨道相互作用决定，价带顶位置(VBM)由Cu 3d和S 3p轨道相互作用决定" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "blockXref", "data": { "data": [ { "name": "xref", "data": { "text": "47", "type": "bibr", "rid": "R47", "data": [ { "name": "text", "data": "47" } ] } }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "xref", "data": { "text": "48", "type": "bibr", "rid": "R48", "data": [ { "name": "text", "data": "48" } ] } } ], "rid": [ "R47", "R48" ], "text": "47-48", "type": "bibr" } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。因此，其他阳离子的进入势必会影响CZTSSe的能带结构，从而影响CZTSSe/CdS的带边偏离值。基于以上两点，采取部分阳离子取代措施来提高铜锌锡硫硒太阳能电池性能是十分有效的" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "49", "type": "bibr", "rid": "R49", "data": [ { "name": "text", "data": "49" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "，并且这一措施也已被实验性地证实了能很好地解决以上两个问题。" }, { "name": "xref", "data": { "text": "表1", "type": "table", "rid": "T1", "data": [ { "name": "text", "data": "表1" } ] } }, { "name": "text", "data": "总结了各种阳离子取代措施在 CZTSSe 薄膜太阳能电池器件上所取得的最佳成绩。从" }, { "name": "xref", "data": { "text": "表1", "type": "table", "rid": "T1", "data": [ { "name": "text", "data": "表1" } ] } }, { "name": "text", "data": "中可以看出，当属Cd" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "部分取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "措施的有效性最为明显，可以将纯硫的CZTS 电池效率提高到12.6%，与CZTSSe电池的世界性记录十分接近。" } ] }, { "name": "table", "data": { "id": "T1", "caption": [ { "lang": "zh", "label": [ { "name": "text", "data": "表1" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "采用不同阳离子取代措施获得的最佳CZTSSe薄膜太阳能电池参数" } ] }, { "lang": "en", "label": [ { "name": "text", "data": "Tab. 1" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "The parameters of the optimal CZTSSe thin film solar cells by different cation substitutions" } ] } ], "note": [], "table": [ { "head": [ [ { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "style": "border-top:1px solid #000;border-bottom:1px solid #000;", "data": [ { "name": "text", "data": "薄膜太阳能电池器件" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "style": "border-top:1px solid #000;border-bottom:1px solid #000;", "data": [ { "name": "text", "data": "光电转换效率/%" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "style": "border-top:1px solid #000;border-bottom:1px solid #000;", "data": [ { "name": "text", "data": "开路电压/mV" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "style": "border-top:1px solid #000;border-bottom:1px solid #000;", "data": [ { "name": "text", "data": "短路电流密度/(mA·cm" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "-2" } ] }, { "name": "text", "data": ")" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "style": "border-top:1px solid #000;border-bottom:1px solid #000;", "data": [ { "name": "text", "data": "填充因子/%" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "style": "border-top:1px solid #000;border-bottom:1px solid #000;", "data": [ { "name": "text", "data": "Ref." } ] } ] ], "body": [ [ { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "left", "data": [ { "name": "text", "data": "(Li" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.06" } ] }, { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.94" } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "11.6" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "531" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "33.7" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "64.8" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "51", "type": "bibr", "rid": "R51", "data": [ { "name": "text", "data": "51" } ] } }, { "name": "text", "data": "］" } ] } ], [ { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "left", "data": [ { "name": "text", "data": "(Ag" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.05" } ] }, { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.95" } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "12.5" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "540" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "32.1" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "72.0" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "52", "type": "bibr", "rid": "R52", "data": [ { "name": "text", "data": "52" } ] } }, { "name": "text", "data": "］" } ] } ], [ { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "left", "data": [ { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Mg" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.0357" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.9643" } ] }, { "name": "text", "data": "Sn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "7.76" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "400" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "33.5" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "57.9" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "53", "type": "bibr", "rid": "R53", "data": [ { "name": "text", "data": "53" } ] } }, { "name": "text", "data": "］" } ] } ], [ { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "left", "data": [ { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Ba" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.01" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.99" } ] }, { "name": "text", "data": "Sn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "9.14" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "424" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "32.3" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "66.8" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "54", "type": "bibr", "rid": "R54", "data": [ { "name": "text", "data": "54" } ] } }, { "name": "text", "data": "］" } ] } ], [ { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "left", "data": [ { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Mn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.05" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.95" } ] }, { "name": "text", "data": "SnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "8.90" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "418" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "33.7" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "63.3" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "55", "type": "bibr", "rid": "R55", "data": [ { "name": "text", "data": "55" } ] } }, { "name": "text", "data": "］" } ] } ], [ { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "left", "data": [ { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.6" } ] }, { "name": "text", "data": "Cd" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.4" } ] }, { "name": "text", "data": "SnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "12.6" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "640" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "27.8" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "71.0" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "56", "type": "bibr", "rid": "R56", "data": [ { "name": "text", "data": "56" } ] } }, { "name": "text", "data": "］" } ] } ], [ { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "left", "data": [ { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.78" } ] }, { "name": "text", "data": "Ge" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.22" } ] }, { "name": "text", "data": "S" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "12.3" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "527" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "32.2" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "72.7" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "57", "type": "bibr", "rid": "R57", "data": [ { "name": "text", "data": "57" } ] } }, { "name": "text", "data": "］" } ] } ], [ { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "left", "data": [ { "name": "text", "data": "5%Ga" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "3+" } ] }, { "name": "text", "data": "- Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(Ga)(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "12.3" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "515" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "34.8" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "68.6" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "58", "type": "bibr", "rid": "R58", "data": [ { "name": "text", "data": "58" } ] } }, { "name": "text", "data": "］" } ] } ], [ { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "left", "style": "border-bottom:1px solid #000;", "data": [ { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "In" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.4" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.6" } ] }, { "name": "text", "data": "Sn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "style": "border-bottom:1px solid #000;", "data": [ { "name": "text", "data": "4.76" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "style": "border-bottom:1px solid #000;", "data": [ { "name": "text", "data": "364" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "style": "border-bottom:1px solid #000;", "data": [ { "name": "text", "data": "28.8" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "style": "border-bottom:1px solid #000;", "data": [ { "name": "text", "data": "45.4" } ] }, { "colspan": "1", "rowspan": "1", "align": "center", "style": "border-bottom:1px solid #000;", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "59", "type": "bibr", "rid": "R59", "data": [ { "name": "text", "data": "59" } ] } }, { "name": "text", "data": "］" } ] } ] ], "foot": [] } ] } }, { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "本文就部分阳离子取代措施在优化CZTSSe薄膜太阳能电池性能方面的应用进展进行了整理和总结，并给出一些具有建设性的意见。方便起见，本文将这些措施进行分类讨论：一是等价阳离子取代，例如四价锗离子(Ge" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": ")取代Sn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+ [" }, { "name": "xref", "data": { "text": "44", "type": "bibr", "rid": "R44", "data": [ { "name": "text", "data": "44" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "、一价银离子(Ag" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": ")取代Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+ [" }, { "name": "xref", "data": { "text": "45", "type": "bibr", "rid": "R45", "data": [ { "name": "text", "data": "45" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "、二价镉离子(Cd" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": ")取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+ [" }, { "name": "xref", "data": { "text": "46", "type": "bibr", "rid": "R46", "data": [ { "name": "text", "data": "46" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "等；二是不等价阳离子取代，例如三价铟离子(In" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "3+" } ] }, { "name": "text", "data": ")取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "等" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "50", "type": "bibr", "rid": "R50", "data": [ { "name": "text", "data": "50" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。" } ] } ] }, { "name": "sec", "data": [ { "name": "sectitle", "data": { "label": [ { "name": "text", "data": "2" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "阳离子等价取代" } ], "level": "1", "id": "s2" } }, { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "这里，我们将离子半径尺寸相差不大、价电荷数相等的离子取代CZTSSe晶胞中的阳离子命名为阳离子等价取代，例如Ag" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "、Cd" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "、Ge" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Sn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": "。下面将进行详细介绍。" } ] }, { "name": "sec", "data": [ { "name": "sectitle", "data": { "label": [ { "name": "text", "data": "2.1" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "一价阳离子等价取代一价铜离子" } ], "level": "2", "id": "s2a" } }, { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "我们知道碱金属族的阳离子都是属于一价阳离子，要实现CZTSSe中Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "的等价取代，碱金属离子应该是首选。Maeda等采用第一性原理计算发现：锂离子(Li" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": ")、钠离子(Na" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": ")、钾离子(K" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": ")可以实现等价取代Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "，但是由于Na" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "、K" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "部分取代Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "后，其产物(Cu,Na)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "与(Cu,K)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "均不稳定，极易分解，使其在实验上不易获得；而Li" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "的取代能比较低(0.25 eV)，且其产物(Cu,Li)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "比较稳定，实验上容易实现" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "blockXref", "data": { "data": [ { "name": "xref", "data": { "text": "60", "type": "bibr", "rid": "R60", "data": [ { "name": "text", "data": "60" } ] } }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "xref", "data": { "text": "63", "type": "bibr", "rid": "R63", "data": [ { "name": "text", "data": "63" } ] } } ], "rid": [ "R60", "R61", "R62", "R63" ], "text": "60-63", "type": "bibr" } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。除了Li" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "离子，Gershon等也证实Ag" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "部分取代Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "，也有助于高效率电池器件的获得" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "64", "type": "bibr", "rid": "R64", "data": [ { "name": "text", "data": "64" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。" } ] }, { "name": "sec", "data": [ { "name": "sectitle", "data": { "label": [ { "name": "text", "data": "2.1.1" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "Li" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] } ], "level": "3", "id": "s2a1" } }, { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "除了Li" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "Cu" } ] }, { "name": "text", "data": "的能量较低(0.25 eV)这一因素，Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "的离子半径(0.074 nm)和Li" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "的离子半径(0.090 nm)相差比较大，理论上可以有效抑制Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "Zn" } ] }, { "name": "text", "data": "缺陷，同时Li" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "部分取代Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "也会增大CZTSSe晶体的晶格常数" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "33", "type": "bibr", "rid": "R33", "data": [ { "name": "text", "data": "33" } ] } }, { "name": "text", "data": "," }, { "name": "xref", "data": { "text": "41", "type": "bibr", "rid": "R41", "data": [ { "name": "text", "data": "41" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。在2017年，Yang等首次实验性地证实了Li" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "确实可以进入CZTSSe薄膜的晶格中替代原本的Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "，并拓宽CZTSSe材料的禁带宽度；另外，也证实了锂离子的取代不会明显地影响薄膜晶体的生长" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "41", "type": "bibr", "rid": "R41", "data": [ { "name": "text", "data": "41" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。与此同时，Xin等报道了Li" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "的加入会提高CZTS薄膜晶界处的导电性，使晶界对于薄膜中的少数载流子电子发生排斥作用，进而抑制了薄膜中的Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "Zn" } ] }, { "name": "text", "data": "缺陷" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "65", "type": "bibr", "rid": "R65", "data": [ { "name": "text", "data": "65" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。之后，Cabas-Vidani等利用LiCl作为Li源制备出 (Li" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S, Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "吸收层，并发现，当" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] }, { "name": "text", "data": "=0.07时，晶粒尺寸与形貌有明显的改善，这主要是由于在300 ℃恒温保持退火时，生成的Li" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Se相可以改善晶体的生长。通过调节Li" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "的掺杂量，制备出光电转换效率为11.6%(照明面积为(0.285±0.003) cm" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": ")的太阳能电池" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "51", "type": "bibr", "rid": "R51", "data": [ { "name": "text", "data": "51" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。吸收层性质的改善和器件性能的提高都证明了锂离子取代的可行性和有效性" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "blockXref", "data": { "data": [ { "name": "xref", "data": { "text": "66", "type": "bibr", "rid": "R66", "data": [ { "name": "text", "data": "66" } ] } }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "xref", "data": { "text": "68", "type": "bibr", "rid": "R68", "data": [ { "name": "text", "data": "68" } ] } } ], "rid": [ "R66", "R67", "R68" ], "text": "66-68", "type": "bibr" } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。然而，我们发现，锂离子取代的有效性都是建立在无钠扩散的情况下。当Li离子掺杂的薄膜直接沉积在钠钙玻璃衬底时，Li" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "不会取代Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "，反而会发生Li/Na交换的现象(如" }, { "name": "xref", "data": { "text": "图1", "type": "fig", "rid": "F1", "data": [ { "name": "text", "data": "图1" } ] } }, { "name": "text", "data": "所示)" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "69", "type": "bibr", "rid": "R69", "data": [ { "name": "text", "data": "69" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。钠钙玻璃衬底的使用是获得高效率CZTSSe薄膜太阳能电池的另一重要保障，但这两者的不兼容性也限制了Li" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "措施的实施。" } ] }, { "name": "fig", "data": { "id": "F1", "caption": [ { "lang": "zh", "label": [ { "name": "text", "data": "图1" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "(a)无Na石英玻璃衬底制备的(Li" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn-(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "薄膜；(b)钠钙玻璃衬底制备的(Li" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "-" } ] }, { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "薄膜" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "69", "type": "bibr", "rid": "R69", "data": [ { "name": "text", "data": "69" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。" } ] }, { "lang": "en", "label": [ { "name": "text", "data": "Fig.1" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "(Li" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin film deposited on quartz(a) and soda lime(b) glass substrates" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": " [" }, { "name": "xref", "data": { "text": "69", "type": "bibr", "rid": "R69", "data": [ { "name": "text", "data": "69" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] } ] } ], "subcaption": [], "note": [], "graphics": [ { "print": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623181&type=", "small": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623188&type=", "big": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623185&type=" } ] } } ] }, { "name": "sec", "data": [ { "name": "sectitle", "data": { "label": [ { "name": "text", "data": "2.1.2" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "Ag" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] } ], "level": "3", "id": "s2a2" } }, { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "采用Ag" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "措施，不仅能够抑制或消除CZTSSe材料中的Cu/Zn乱序，降低有害缺陷的密度；也能调节CZTSSe的能带结构，改变CZTSSe薄膜的光学带隙，改善电池PN异质结的能带偏离值，增加电子跃迁的能力，优化电池的开路电压" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "33", "type": "bibr", "rid": "R33", "data": [ { "name": "text", "data": "33" } ] } }, { "name": "text", "data": "," }, { "name": "xref", "data": { "text": "49", "type": "bibr", "rid": "R49", "data": [ { "name": "text", "data": "49" } ] } }, { "name": "text", "data": "," }, { "name": "blockXref", "data": { "data": [ { "name": "xref", "data": { "text": "70", "type": "bibr", "rid": "R70", "data": [ { "name": "text", "data": "70" } ] } }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "xref", "data": { "text": "73", "type": "bibr", "rid": "R73", "data": [ { "name": "text", "data": "73" } ] } } ], "rid": [ "R70", "R71", "R72", "R73" ], "text": "70-73", "type": "bibr" } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。Gershon等在研究Ag" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "的最佳掺杂量时发现，随着Ag离子掺杂量的增加，薄膜的光学带隙能增加到1.33 eV；当掺入Ag/(Ag + Cu)=10%时，CZTSSe薄膜太阳能电池器件的最高光电转换效率可以达到10.2%" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "64", "type": "bibr", "rid": "R64", "data": [ { "name": "text", "data": "64" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。在此基础上，Wu等首次提出了采用Ag离子掺杂措施，构建具有“V”型能带结构的CZTSSe吸收层薄膜，优化PN结的能带偏离值(如" }, { "name": "xref", "data": { "text": "图2", "type": "fig", "rid": "F2", "data": [ { "name": "text", "data": "图2" } ] } }, { "name": "text", "data": "所示)，制备出光电转换效率为11.2%的电池器件" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "74", "type": "bibr", "rid": "R74", "data": [ { "name": "text", "data": "74" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。最近，Xin等采用Ag离子掺杂措施，控制晶体晶粒的生长，抑制Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "Zn" } ] }, { "name": "text", "data": "有害缺陷的产生，再次将CZTSSe电池效率提高到12.5%" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "52", "type": "bibr", "rid": "R52", "data": [ { "name": "text", "data": "52" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。尽管多项研究已经证实了Ag" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "措施能有效地优化CZTSSe电池器件，但是，Ag本身的稀少性以及易氧化性也限制了该措施未来的发展。" } ] }, { "name": "fig", "data": { "id": "F2", "caption": [ { "lang": "zh", "label": [ { "name": "text", "data": "图2" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "(a)和(Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Ag" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "(b)薄膜太阳能电池界面处的带边偏离示意图" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "74", "type": "bibr", "rid": "R74", "data": [ { "name": "text", "data": "74" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] } ] }, { "lang": "en", "label": [ { "name": "text", "data": "Fig.2" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "Schematic diagram of the band alignment for Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn-(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "(a) and (Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Ag" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "(b) thin film solar cells" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "74", "type": "bibr", "rid": "R74", "data": [ { "name": "text", "data": "74" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] } ] } ], "subcaption": [], "note": [], "graphics": [ { "print": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623192&type=", "small": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623199&type=", "big": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623196&type=" } ] } } ] } ] }, { "name": "sec", "data": [ { "name": "sectitle", "data": { "label": [ { "name": "text", "data": "2.2" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "二价阳离子等价取代二价锌离子" } ], "level": "2", "id": "s2b" } }, { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "除了Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "可以被Li" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "、Ag" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "等价取代外，其实Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "也可以被多种阳离子等价取代。碱土金属铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)元素都属于第二主族元素，其化合价一般呈现正二价，都可以作为等价取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "的候选离子。但是，铍(Be)及其化合物都有剧毒，这与我们研究CZTSSe材料的初衷相悖，因此，对Be离子不做考虑；而Ca" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "等价取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "时，其kesterite相的形成能变高，其相结构也不稳定，故也不作为适合元素考虑" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "75", "type": "bibr", "rid": "R75", "data": [ { "name": "text", "data": "75" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "；同时，考虑到同位素锶-90有放射性，Sr" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "等价取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "这一措施也被摒弃了" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "blockXref", "data": { "data": [ { "name": "xref", "data": { "text": "76", "type": "bibr", "rid": "R76", "data": [ { "name": "text", "data": "76" } ] } }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "xref", "data": { "text": "77", "type": "bibr", "rid": "R77", "data": [ { "name": "text", "data": "77" } ] } } ], "rid": [ "R76", "R77" ], "text": "76-77", "type": "bibr" } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。因此，科研人员更多地是采用Mg" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "和Ba" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "来部分取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "从而改善薄膜太阳能电池器件的性能" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "blockXref", "data": { "data": [ { "name": "xref", "data": { "text": "78", "type": "bibr", "rid": "R78", "data": [ { "name": "text", "data": "78" } ] } }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "xref", "data": { "text": "79", "type": "bibr", "rid": "R79", "data": [ { "name": "text", "data": "79" } ] } } ], "rid": [ "R78", "R79" ], "text": "78-79", "type": "bibr" } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。除了Mg" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "和Ba" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "外，一些过渡金属离子也已被证实可以等价取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "，例如二价铁离子(Fe" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "80", "type": "bibr", "rid": "R80", "data": [ { "name": "text", "data": "80" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "、二价铬离子(Cr" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "81", "type": "bibr", "rid": "R81", "data": [ { "name": "text", "data": "81" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "、二价钴离子(Co" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "blockXref", "data": { "data": [ { "name": "xref", "data": { "text": "82", "type": "bibr", "rid": "R82", "data": [ { "name": "text", "data": "82" } ] } }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "xref", "data": { "text": "83", "type": "bibr", "rid": "R83", "data": [ { "name": "text", "data": "83" } ] } } ], "rid": [ "R82", "R83" ], "text": "82-83", "type": "bibr" } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "、二价镍离子(Ni" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "84", "type": "bibr", "rid": "R84", "data": [ { "name": "text", "data": "84" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "、二价锰离子(Mn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "55", "type": "bibr", "rid": "R55", "data": [ { "name": "text", "data": "55" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "、二价镉离子(Cd" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": ")等" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "46", "type": "bibr", "rid": "R46", "data": [ { "name": "text", "data": "46" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "，由于Fe" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "、Cr" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "、Co" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "、Ni" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "离子的取代措施并未实施在高性能的CZTSSe太阳能电池器件上，因此，我们在此不做讨论。下面，我们将分别对Mg" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "、Ba" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "、Mn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "以及Cd" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "等价取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "措施在CZTSSe薄膜太阳能电池上应用的研究进展进行详细介绍。" } ] }, { "name": "sec", "data": [ { "name": "sectitle", "data": { "label": [ { "name": "text", "data": "2.2.1" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "Mg" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] } ], "level": "3", "id": "s2b1" } }, { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "Mg" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "离子半径(0.072 nm)与Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "离子半径(0.074 nm)相似，所以Mg" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "的掺入不会影响CZTSSe晶体结构" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "53", "type": "bibr", "rid": "R53", "data": [ { "name": "text", "data": "53" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。而且，Mg" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "的掺入不仅会减少ZnS杂相产生，形成MgS不稳定相也减少了薄膜的串联电阻" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "85", "type": "bibr", "rid": "R85", "data": [ { "name": "text", "data": "85" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。最近，Lie等指出，当Mg离子的掺入量控制在" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] }, { "name": "text", "data": "≤0.05时，薄膜质量会随着Mg离子掺入而得到改善。当" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] }, { "name": "text", "data": "=0.05时，Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Mg" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.05" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.95" } ] }, { "name": "text", "data": "SnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "薄膜晶粒的大小和薄膜中的空穴迁移率达到了最大(在1.5 cm" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "/(V·s)以上)(如" }, { "name": "xref", "data": { "text": "图3", "type": "fig", "rid": "F3", "data": [ { "name": "text", "data": "图3" } ] } }, { "name": "text", "data": "所示)；当其掺杂量超过0.05时，多余的Mg" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "会形成二元相MgS与MgO，影响薄膜相纯度" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "86", "type": "bibr", "rid": "R86", "data": [ { "name": "text", "data": "86" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。Yang等也发现，随着Mg" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "掺杂量增加，Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "(Mg" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")Sn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "薄膜的光学带隙值将减小，这可能是由于Mg" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "抑制了Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "Cu" } ] }, { "name": "text", "data": "缺陷导致的。而且Mg" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "的掺入也会导致薄膜中大晶粒层的厚度增加(从538 nm增加到662 nm)，提高薄膜的空穴载流子密度(从1.52×10" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "17" } ] }, { "name": "text", "data": " cm" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "-3" } ] }, { "name": "text", "data": "增加到8.79×10" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "17" } ] }, { "name": "text", "data": " cm" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "-3" } ] }, { "name": "text", "data": ")，改善相应器件性能，电池器件的最佳光电转换效率达到7.76%" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "53", "type": "bibr", "rid": "R53", "data": [ { "name": "text", "data": "53" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。另外，Mg" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "也会产生浅的受主缺陷，进一步保证了吸收层材料的P型特征，这也是Mg离子掺杂能优化电池器件性能的另一原因。并且，Mg是一种地壳含量丰富、无毒环保的元素，因此，Mg" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "部分取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "措施适合长期应用在CZTSSe太阳能电池的性能优化上。" } ] }, { "name": "fig", "data": { "id": "F3", "caption": [ { "lang": "zh", "label": [ { "name": "text", "data": "图3" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "不同" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] }, { "name": "text", "data": "值的Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Mg" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Sn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "薄膜带隙值" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "53", "type": "bibr", "rid": "R53", "data": [ { "name": "text", "data": "53" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] } ] }, { "lang": "en", "label": [ { "name": "text", "data": "Fig.3" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "The band values of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Mg" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Sn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin film with different " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] }, { "name": "text", "data": " value" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "53", "type": "bibr", "rid": "R53", "data": [ { "name": "text", "data": "53" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] } ] } ], "subcaption": [], "note": [], "graphics": [ { "print": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623203&type=", "small": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623211&type=", "big": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623207&type=" } ] } } ] }, { "name": "sec", "data": [ { "name": "sectitle", "data": { "label": [ { "name": "text", "data": "2.2.2" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "Ba" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] } ], "level": "3", "id": "s2b2" } }, { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "由于Ba" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "的离子半径(0.156 nm)比Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "的离子半径(0.074 nm)大，当Ba" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "时，Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "Zn" } ] }, { "name": "text", "data": "反位点缺陷也会被抑制。Suresh等通过溶液法制备出Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Ba" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "SnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "薄膜发现，随着Ba离子掺杂量的增加，薄膜的光学带隙增加，薄膜的载流子浓度在2.05×10" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "13" } ] }, { "name": "text", "data": " ~2.60×10" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "15" } ] }, { "name": "text", "data": " cm" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "-3" } ] }, { "name": "text", "data": "之间变化，而空穴迁移率却在降低(如" }, { "name": "xref", "data": { "text": "图4", "type": "fig", "rid": "F4", "data": [ { "name": "text", "data": "图4" } ] } }, { "name": "text", "data": "所示)" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "78", "type": "bibr", "rid": "R78", "data": [ { "name": "text", "data": "78" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。这也有依据表明Ba" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "确实可以抑制Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "Zn" } ] }, { "name": "text", "data": "反位点缺陷，造成Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "数量增多，降低薄膜价带顶的位置，增加薄膜的带隙值。另外，空穴迁移率的下降可能和晶格中较大原子的合金化有关，较大的原子会缩小原子之间的空隙，对于电子的束缚能力加强，导致空穴产生率的降低。Shin等还发现，Ba" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "会克服掉能带偏移值小于0这一不利因素，且薄膜的晶粒尺寸会增加" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "87", "type": "bibr", "rid": "R87", "data": [ { "name": "text", "data": "87" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。Guo等也发现Ba离子微量取代Zn(1%)可以促进薄膜晶粒的生长，优化CZTSSe薄膜吸收层的形貌" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "88", "type": "bibr", "rid": "R88", "data": [ { "name": "text", "data": "88" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。根据我们了解，薄膜的晶粒越大，越能够抑制空穴与电子载流子的复合，促进载流子的运输，这有利于制备出高性能太阳能电池。然而，当Ba" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "的掺杂量超过5%时，CZTSSe薄膜因其晶格膨胀以及畸变，使得 CZTSSe/CdS界面处发生较大的晶格失配，导致错配界面态，易形成复合中心。因此，Ba" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "掺杂量的局限性不利于其在CZTSSe薄膜太阳能电池领域未来的研究前景。" } ] }, { "name": "fig", "data": { "id": "F4", "caption": [ { "lang": "zh", "label": [ { "name": "text", "data": "图4" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Ba" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "SnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "薄膜的载流子浓度、迁移率与Ba掺入量的关系" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "78", "type": "bibr", "rid": "R78", "data": [ { "name": "text", "data": "78" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。" } ] }, { "lang": "en", "label": [ { "name": "text", "data": "Fig.4" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "The relationship of carrier concentration and hole mobility in Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Ba" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "SnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin film with different Ba content" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "78", "type": "bibr", "rid": "R78", "data": [ { "name": "text", "data": "78" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] } ] } ], "subcaption": [], "note": [], "graphics": [ { "print": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623215&type=", "small": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623224&type=", "big": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623221&type=" } ] } } ] }, { "name": "sec", "data": [ { "name": "sectitle", "data": { "label": [ { "name": "text", "data": "2.2.3" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "Mn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] } ], "level": "3", "id": "s2b3" } }, { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "与Ba" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "相比，Mn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "、Co" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "、Ni" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "都是属于地壳含量丰富、低毒环保的金属元素，被认为更适合用于取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "。Yang等已证实，随着Mn掺杂量的增加，Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Mn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Sn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "薄膜的相结构从kesterite相转变到stannite相，这可能是由于Mn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "离子半径(0.080 nm)相对Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "离子半径(0.074 nm)大一些，少量的Mn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "削减了导带中Sn和S/Se的杂化，促使带隙减小(如" }, { "name": "xref", "data": { "text": "图5", "type": "fig", "rid": "F5", "data": [ { "name": "text", "data": "图5" } ] } }, { "name": "text", "data": "所示)，过多Mn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "的加入会促使CZTSSe薄膜的相结构从kesterite相转变到stannite相" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": " [" }, { "name": "xref", "data": { "text": "32", "type": "bibr", "rid": "R32", "data": [ { "name": "text", "data": "32" } ] } }, { "name": "text", "data": "," }, { "name": "xref", "data": { "text": "89", "type": "bibr", "rid": "R89", "data": [ { "name": "text", "data": "89" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。同时，Wong也发现，Mn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "离子的加入能促进晶粒的生长，增加薄膜的大粒子层厚度，降低了薄膜的缺陷密度，提高薄膜的载流子浓度及迁移率" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "90", "type": "bibr", "rid": "R90", "data": [ { "name": "text", "data": "90" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。Zhang等采用机器学习的方法预测Mn离子掺杂可以抑制Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "Zn" } ] }, { "name": "text", "data": "缺陷，产生Cu离子空位缺陷，形成贫铜富锌现象，可以极大地改善薄膜的缺陷；在" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] }, { "name": "text", "data": "≈0.05时，Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Mn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Sn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "薄膜太阳能电池达到了最高的光电转换效率8.9%" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "55", "type": "bibr", "rid": "R55", "data": [ { "name": "text", "data": "55" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。同样，Wong等证实了0.05的Mn离子掺杂可以获得最高光电转换效率(" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "η" } ] }, { "name": "text", "data": "=7.59%)的电池器件，究其原因，主要是CdS与Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Mn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Sn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "形成PN结处的缺陷密度降低，从而提高了载流子的传输能力" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "blockXref", "data": { "data": [ { "name": "xref", "data": { "text": "90", "type": "bibr", "rid": "R90", "data": [ { "name": "text", "data": "90" } ] } }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "xref", "data": { "text": "91", "type": "bibr", "rid": "R91", "data": [ { "name": "text", "data": "91" } ] } } ], "rid": [ "R90", "R91" ], "text": "90-91", "type": "bibr" } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。" } ] }, { "name": "fig", "data": { "id": "F5", "caption": [ { "lang": "zh", "label": [ { "name": "text", "data": "图5" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Mn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Sn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "(0≤" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] }, { "name": "text", "data": "≤1) 薄膜的(" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "αhν" } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "与" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "hν" } ] }, { "name": "text", "data": "关系曲线。插图：伴随着Mn含量与带隙的函数关系" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "91", "type": "bibr", "rid": "R91", "data": [ { "name": "text", "data": "91" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。" } ] }, { "lang": "en", "label": [ { "name": "text", "data": "Fig. 5" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "Relational curve graph of (" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "αhν" } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": " against " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "hν" } ] }, { "name": "text", "data": " for the Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Mn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Sn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "(0≤" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] }, { "name": "text", "data": "≤1) thin films. Inset: band gap variation as a function of the Mn content" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "91", "type": "bibr", "rid": "R91", "data": [ { "name": "text", "data": "91" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "." } ] } ], "subcaption": [], "note": [], "graphics": [ { "print": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623230&type=", "small": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623240&type=", "big": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623236&type=" } ] } } ] }, { "name": "sec", "data": [ { "name": "sectitle", "data": { "label": [ { "name": "text", "data": "2.2.4" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "Cd" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] } ], "level": "3", "id": "s2b4" } }, { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "由于大多数CZTSSe太阳能电池均采用CdS层作为电池器件的缓冲层，CdS层一般采用水浴法沉积在CZTSSe薄膜上面，所以，科研人员认为，在水浴法制备CdS薄膜的过程中，Cd" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "离子也会进入CZTSSe薄膜中，与Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "离子发生等价取代" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "blockXref", "data": { "data": [ { "name": "xref", "data": { "text": "92", "type": "bibr", "rid": "R92", "data": [ { "name": "text", "data": "92" } ] } }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "xref", "data": { "text": "93", "type": "bibr", "rid": "R93", "data": [ { "name": "text", "data": "93" } ] } } ], "rid": [ "R92", "R93" ], "text": "92-93", "type": "bibr" } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。目前，国内外许多课题组都已证实了Cd" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "能成功地等价取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "，这一措施的实施能显著地提高CZTSSe薄膜太阳能电池的光电转换效率。本文按照科研人员发现Cd" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代在CZTSSe材料中所起的作用对其进展进行陈述。2015年，Wong等首次采用Cd" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "等价取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "制备出Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Cd" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "SnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "薄膜太阳能电池器件，将其电池效率由5.30%(" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] }, { "name": "text", "data": "=0)提高到9.24%(" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] }, { "name": "text", "data": "=0.4)，他们发现Cd" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "与Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "之间的置换会导致二元相ZnS减少，从而优化电池的效率" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "94", "type": "bibr", "rid": "R94", "data": [ { "name": "text", "data": "94" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。随后，Hao等发现Cd离子的加入可以将器件的电子空穴复合中心从界面处转移到吸收层体内，提高吸收层的电子输送能力；并且Cd" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "等价取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "还会增加薄膜的晶粒尺寸(如" }, { "name": "xref", "data": { "text": "图6", "type": "fig", "rid": "F6", "data": [ { "name": "text", "data": "图6" } ] } }, { "name": "text", "data": "所示)，促使其相应器件的光电转换效率超过11%" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "95", "type": "bibr", "rid": "R95", "data": [ { "name": "text", "data": "95" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。但是，Wong等发现，过多Cd" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "离子的加入也会使CZTSSe材料发生相变，由稳定的kesterite相转变为stannite相" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "94", "type": "bibr", "rid": "R94", "data": [ { "name": "text", "data": "94" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。Zhao等观察到Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Cd" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "-" } ] }, { "name": "text", "data": "SnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "材料的带隙值可以在1.55 eV(" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] }, { "name": "text", "data": "=0)到1.09 eV(" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] }, { "name": "text", "data": "=1.0)之间连续可调，并且Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "CdSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " (CCTS)导带底和价带顶的位置都要高于Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " (CZTS)的位置" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "96", "type": "bibr", "rid": "R96", "data": [ { "name": "text", "data": "96" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "，这也为CZTS/CCTS多结叠层电池提供了可能性。最近，Liu等进一步通过后热处理的方式将Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Cd" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "SnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "薄膜太阳能电池器件的电池效率提高到12.6%" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "56", "type": "bibr", "rid": "R56", "data": [ { "name": "text", "data": "56" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "，已无比接近CZTSSe电池的记录性效率，这也直接说明了Cd" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "措施在CZTSSe电池优化上的有效性。但是，Cd的剧毒性也将局限CZTSSe薄膜太阳能电池未来实际应用的领域。" } ] }, { "name": "fig", "data": { "id": "F6", "caption": [ { "lang": "zh", "label": [ { "name": "text", "data": "图6" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "(a)与Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.6" } ] }, { "name": "text", "data": "Cd" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.4" } ] }, { "name": "text", "data": "SnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "(b)薄膜的SEM表面图" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "95", "type": "bibr", "rid": "R95", "data": [ { "name": "text", "data": "95" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] } ] }, { "lang": "en", "label": [ { "name": "text", "data": "Fig.6" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "Top-view SEM images of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "(a) and Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.6" } ] }, { "name": "text", "data": "Cd" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "0.4" } ] }, { "name": "text", "data": "SnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "(b) thin film" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "95", "type": "bibr", "rid": "R95", "data": [ { "name": "text", "data": "95" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] } ] } ], "subcaption": [], "note": [], "graphics": [ { "print": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623244&type=", "small": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623253&type=", "big": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623248&type=" } ] } } ] } ] }, { "name": "sec", "data": [ { "name": "sectitle", "data": { "label": [ { "name": "text", "data": "2.3" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "四价阳离子等价取代四价锡离子" } ], "level": "2", "id": "s2c" } }, { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "前面我们已经介绍了CZTSSe中Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "、Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "被其他阳离子部分取代的研究进展，这里，我们继续对阳离子部分取代Sn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": "的研究进展进行阐述。锡元素属于第四主族元素，依据元素周期表的排列顺序，锗原子(Ge)以及硅原子(Si)也都属于第四主族，其最外层电子数与锡原子一样都是4个，Ge" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": "和Si" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": "都被认为可以等价取代Sn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": "。尽管Si" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": "的加入可以改善CZTSSe薄膜的晶粒大小以及致密度，但是获得的相应电池器件的光电转换效率较低" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "97", "type": "bibr", "rid": "R97", "data": [ { "name": "text", "data": "97" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "，因此，本文仅对Ge" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": "等价取代Sn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": "的研究进展作以综述。" } ] }, { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "Ge" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": "等价取代部分Sn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": "可以改良吸收层的载流子收集效率、增加吸收层带隙值、提高电池的开路电压" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "44", "type": "bibr", "rid": "R44", "data": [ { "name": "text", "data": "44" } ] } }, { "name": "text", "data": "," }, { "name": "blockXref", "data": { "data": [ { "name": "xref", "data": { "text": "98", "type": "bibr", "rid": "R98", "data": [ { "name": "text", "data": "98" } ] } }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "xref", "data": { "text": "99", "type": "bibr", "rid": "R99", "data": [ { "name": "text", "data": "99" } ] } } ], "rid": [ "R98", "R99" ], "text": "98-99", "type": "bibr" } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。2013年，Zong等通过热注入法成功地合成了带隙可调的Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn(Sn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Ge" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")Se" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "纳米晶体，通过调节Ge" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": "掺杂的比例，纳米晶体的光学带隙值可以在1.33~1.63 eV范围变化" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "100", "type": "bibr", "rid": "R100", "data": [ { "name": "text", "data": "100" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。在此基础上，Hillhouse 等也发现，Ge" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": "等价取代可以调节CZTSe薄膜太阳能电池的带隙，而且没有二次相产生(如" }, { "name": "xref", "data": { "text": "图7", "type": "fig", "rid": "F7", "data": [ { "name": "text", "data": "图7" } ] } }, { "name": "text", "data": "所示)，并制得光电转换效率为11%的Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn(Sn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Ge" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "太阳能电池器件" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "44", "type": "bibr", "rid": "R44", "data": [ { "name": "text", "data": "44" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。随后，Mitzi等通过基于肼的沉积工艺制备出了光电转换效率为9.1%的Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn(Sn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Ge" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")Se" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "太阳能电池器件" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "101", "type": "bibr", "rid": "R101", "data": [ { "name": "text", "data": "101" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。Kim等采用旋转蒸发法将Cu、Zn、Sn、Ge、Se共沉积在镀Mo的钠钙玻璃片，所制备的Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn(Sn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "-Ge" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")Se" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " (CZTGSe)薄膜太阳能电池的效率提高到12.3%(" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] }, { "name": "text", "data": "=0.22)，同时，这也是目前Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn-(Sn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Ge" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")Se" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "能达到的最高效率" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "57", "type": "bibr", "rid": "R57", "data": [ { "name": "text", "data": "57" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。锗离子取代方式可以说是一个非常有应用前景的方向。因为锗元素无毒、地壳含量丰富，这跟CZTSSe材料相契合，也适合应用于未来的大规模生产。并且，Hillhouse等还发现，掺Ge" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": "后的器件进行低温老化后，开路电压从557 mV增加至583 mV" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "44", "type": "bibr", "rid": "R44", "data": [ { "name": "text", "data": "44" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。" } ] }, { "name": "fig", "data": { "id": "F7", "caption": [ { "lang": "zh", "label": [ { "name": "text", "data": "图7" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn(Sn,Ge)Se" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "薄膜的XRD测试结果" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "44", "type": "bibr", "rid": "R44", "data": [ { "name": "text", "data": "44" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] } ] }, { "lang": "en", "label": [ { "name": "text", "data": "Fig.7" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "XRD measurement results of the Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn(Sn,Ge)Se" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin film" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "44", "type": "bibr", "rid": "R44", "data": [ { "name": "text", "data": "44" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] } ] } ], "subcaption": [], "note": [], "graphics": [ { "print": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623256&type=", "small": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623265&type=", "big": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623261&type=" } ] } } ] } ] }, { "name": "sec", "data": [ { "name": "sectitle", "data": { "label": [ { "name": "text", "data": "3" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "阳离子不等价取代" } ], "level": "1", "id": "s3" } }, { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "在阳离子措施的研究中，多数阳离子取代都是属于等价离子取代，如前面已陈述的Ag" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "、Cd" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "等，但是也有些阳离子会发生不等价取代，它们的加入也可以优化电池的性能。例如，In" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "3+" } ] }, { "name": "text", "data": "不等价取代部分Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "后，薄膜的空穴载流子浓度降低，载流子的传输性能得到了改善" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "59", "type": "bibr", "rid": "R59", "data": [ { "name": "text", "data": "59" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。由于我们着重讨论部分阳离子取代措施对CZTSSe电池器件性能的影响，因此，我们仅对镓离子(Ga" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "3+" } ] }, { "name": "text", "data": ")和In" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "3+" } ] }, { "name": "text", "data": "的不等价取代措施展开介绍。" } ] }, { "name": "sec", "data": [ { "name": "sectitle", "data": { "label": [ { "name": "text", "data": "3.1" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "2 Ga" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "3+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "+ Sn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] } ], "level": "2", "id": "s3a" } }, { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "众所周知，Cu(In,Ga)(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "与Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn-(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "有相似的相结构，且Ga" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "3+" } ] }, { "name": "text", "data": "的离子半径(0.061 nm)与Sn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": "离子半径(0.069 nm)接近" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "102", "type": "bibr", "rid": "R102", "data": [ { "name": "text", "data": "102" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "，因此Ga" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "3+" } ] }, { "name": "text", "data": "离子被认为是取代CZTSSe材料中阳离子的一个良好选择" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": " [" }, { "name": "xref", "data": { "text": "58", "type": "bibr", "rid": "R58", "data": [ { "name": "text", "data": "58" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。最近，Tian等提出了两个Ga" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "3+" } ] }, { "name": "text", "data": "部分取代一个Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "和一个Sn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": "这种新型方式，来限制CZTSSe材料中深能级缺陷Sn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "Zn" } ] }, { "name": "text", "data": "的产生，优化电池器件性能。同时，它们采用第一性原理计算结果也表明，Ga" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "3+" } ] }, { "name": "text", "data": "的加入可以形成Ga" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "Zn" } ] }, { "name": "text", "data": "+Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "Zn" } ] }, { "name": "text", "data": "和Ga" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "Zn" } ] }, { "name": "text", "data": "+Ga" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "Sn" } ] }, { "name": "text", "data": "受主缺陷簇，还能有效地限制带边缺陷的产生，有助于电池开路电压的提高。在此基础上，他们进一步构造吸收层的“三明治”结构(如" }, { "name": "xref", "data": { "text": "图8", "type": "fig", "rid": "F8", "data": [ { "name": "text", "data": "图8" } ] } }, { "name": "text", "data": "所示)，并组装电池器件，优化其制备工艺，最后获得开路电压为515 mV、光电转换效率为12.3%的电池器件" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "58", "type": "bibr", "rid": "R58", "data": [ { "name": "text", "data": "58" } ] } }, { "name": "text", "data": "," }, { "name": "xref", "data": { "text": "10", "type": "bibr", "rid": "R10", "data": [ { "name": "text", "data": "10" } ] } }, { "name": "xref", "data": { "text": "3", "type": "bibr", "rid": "R3", "data": [ { "name": "text", "data": "3" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。这种多阳离子取代方式也为优化CZTSSe太阳能电池性能提供了一种新型路径，未来我们可以继续探索更多种类的多阳离子掺杂，进一步提高电池效率。" } ] }, { "name": "fig", "data": { "id": "F8", "caption": [ { "lang": "zh", "label": [ { "name": "text", "data": "图8" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "掺杂Ga" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "3+" } ] }, { "name": "text", "data": "的Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "器件结构示意图和Ga" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "3+" } ] }, { "name": "text", "data": "掺杂模式图示" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "103", "type": "bibr", "rid": "R103", "data": [ { "name": "text", "data": "103" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] } ] }, { "lang": "en", "label": [ { "name": "text", "data": "Fig.8" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "Schematic diagram of the structure of the Ga" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "3+" } ] }, { "name": "text", "data": " doped Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " device and the diagram of the Ga" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "3+" } ] }, { "name": "text", "data": " doping mode" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "103", "type": "bibr", "rid": "R103", "data": [ { "name": "text", "data": "103" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] } ] } ], "subcaption": [], "note": [], "graphics": [ { "print": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623270&type=", "small": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623283&type=", "big": "http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=24623275&type=" } ] } } ] }, { "name": "sec", "data": [ { "name": "sectitle", "data": { "label": [ { "name": "text", "data": "3.2" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "In" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "3+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] } ], "level": "2", "id": "s3b" } }, { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "和Ga" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "3+" } ] }, { "name": "text", "data": "类似，作为Cu(In,Ga)(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "薄膜中一种元素铟，由于In" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "3+" } ] }, { "name": "text", "data": "的离子半径(0.076 nm)与Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "的离子半径(0.074 nm)大小相近，价态不一样，会产生不等价的取代现象" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "59", "type": "bibr", "rid": "R59", "data": [ { "name": "text", "data": "59" } ] } }, { "name": "text", "data": "," }, { "name": "xref", "data": { "text": "10", "type": "bibr", "rid": "R10", "data": [ { "name": "text", "data": "10" } ] } }, { "name": "xref", "data": { "text": "2", "type": "bibr", "rid": "R2", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] } }, { "name": "text", "data": "," }, { "name": "xref", "data": { "text": "104", "type": "bibr", "rid": "R104", "data": [ { "name": "text", "data": "104" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。最近，Yang等采用凝胶-溶胶法制备出Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "In" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Sn-(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "薄膜太阳能电池，发现随着In/Zn比例的增加，吸收层的光学带隙值会下降，电池的" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "V" } ] }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "oc" } ] }, { "name": "text", "data": "有所增加，相应的电池效率可以从3.92%(" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] }, { "name": "text", "data": "=0)增加到4.76%(" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] }, { "name": "text", "data": "=0.4)。尽管In" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "3+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "措施能有效地改善电池的光电性能，但是In元素的稀少性也限制着该种措施在优化CZTSSe薄膜太阳能电池上的应用" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "[" }, { "name": "xref", "data": { "text": "59", "type": "bibr", "rid": "R59", "data": [ { "name": "text", "data": "59" } ] } }, { "name": "text", "data": "," }, { "name": "xref", "data": { "text": "10", "type": "bibr", "rid": "R10", "data": [ { "name": "text", "data": "10" } ] } }, { "name": "xref", "data": { "text": "5", "type": "bibr", "rid": "R5", "data": [ { "name": "text", "data": "5" } ] } }, { "name": "text", "data": "]" } ] }, { "name": "text", "data": "。" } ] } ] } ] }, { "name": "sec", "data": [ { "name": "sectitle", "data": { "label": [ { "name": "text", "data": "4" } ], "title": [ { "name": "text", "data": "结论" } ], "level": "1", "id": "s4" } }, { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "本文按照等价阳离子取代、不等价阳离子取代分类介绍了多种阳离子部分取代措施在优化铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池性能方面的研究进展。从当前的研究现状来看，部分阳离子取代优化电池性能的作用主要有两方面：一是调节吸收层的禁带宽度、导带底和价带顶的位置，使之与缓冲层的能带匹配度更高，如Ag" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Cu" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "、Ge" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Sn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": "；二是抑制吸收层材料中有害缺陷的产生，对薄膜的光学带隙影响较小，但有效改善了其吸收层薄膜的形貌，如Cd" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "、Mn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "等。不同的阳离子取代措施都有相应的优缺点，对涉及到的不足之处，如元素的有毒性、稀少性，还需要科研人员继续不断去探索新元素来完善。总之，采取部分阳离子取代措施来优化CZTSSe薄膜太阳能电池的光电转换效率可以说是最有效的一种手段。当前的研究结论也为部分阳离子掺杂优化CZTSSe薄膜性质的未来探索起到了引导作用。未来，科研人员可以采用多种阳离子共掺杂的方式进一步优化电池的性能，如采用Ge" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Sn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": "和Cd" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "取代Zn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "两种方式的双重作用，部分阳离子取代的双重作用将会大幅度地提高电池性能。" } ] }, { "name": "p", "data": [ { "name": "text", "data": "本文专家审稿意见及作者回复内容的下载地址：http://cjl.lightpublishing.cn/thesisDetails#10.37188/CJL.20210340." } ] } ] } ], "footnote": [], "reflist": { "title": [ { "name": "text", "data": "参考文献：" } ], "data": [ { "id": "R1", "label": "[1]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "崔国楠" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "杨艳春" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "张婧英" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "等" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "烧结氛围对铜锌锡硫硒薄膜性质的影响" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "text", "data": "内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2020" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "49" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "3" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "209" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "213" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "烧结氛围对铜锌锡硫硒薄膜性质的影响" }, { "lang": "en", "text": [ { "name": "text", "data": "CUI G N" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "YANG Y C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHANG J Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Effect of sintering atmosphere on properties of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin films" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Inner Mongolia Norm. Univ." } ] }, { "name": "text", "data": " (" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Nat. Sci. Ed." } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2020" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "49" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "3" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "209" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "213" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "(in Chinese)" } ], "title": "Effect of sintering atmosphere on properties of Cu2ZnSn(S,Se)4 thin films" } ] }, { "id": "R2", "label": "[2]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "杨艳春" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "碱金属(Li" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": ",Na" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": ")对Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "薄膜太阳能电池性能的影响研究" }, { "name": "text", "data": "[D]. " }, { "name": "text", "data": "长春" }, { "name": "text", "data": ": " }, { "name": "text", "data": "中国科学院长春应用化学研究所" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2017" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "碱金属(Li+,Na+)对Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池性能的影响研究" }, { "lang": "en", "text": [ { "name": "text", "data": "YANG Y C" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Effects of Alkali Metal" } ] }, { "name": "text", "data": " (" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Li" } ] }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Na" } ] }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ") " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "on Performance of Cu" } ] }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "ZnSn" } ] }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "S" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Se" } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Thin Film Solar Cells" } ] }, { "name": "text", "data": "[D]. " }, { "name": "text", "data": "Changchun" }, { "name": "text", "data": ": " }, { "name": "text", "data": "Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Sciences" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2017" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "(in Chinese)" } ], "title": "Effects of Alkali Metal (Li+, Na+) on Performance of Cu2ZnSn(S, Se)4 Thin Film Solar Cells" } ] }, { "id": "R3", "label": "[3]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "崔国楠" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "杨艳春" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "李月敏" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "等" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "溶液法制备铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池的研究进展" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "text", "data": "硅酸盐学报" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2021" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "49" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "3" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "483" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "494" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "溶液法制备铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池的研究进展" }, { "lang": "en", "text": [ { "name": "text", "data": "CUI G N" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "YANG Y C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "LI Y M" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Solution-processed Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin film solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Chem. Ceram. Soc" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2021" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "49" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "3" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "483" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "494" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "(in Chinese)" } ], "title": "Solution-processed Cu2ZnSn(S,Se)4 thin film solar cells" } ] }, { "id": "R4", "label": "[4]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "张艳珠" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "CZTSSe吸光层结晶性的改善及其对电池效率的影响" }, { "name": "text", "data": "[D]. " }, { "name": "text", "data": "郑州" }, { "name": "text", "data": ": " }, { "name": "text", "data": "河南大学" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2016" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "CZTSSe吸光层结晶性的改善及其对电池效率的影响" }, { "lang": "en", "text": [ { "name": "text", "data": "ZHANG Y Z" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Improving the Crystallinity of the CZTSSe Absorber and It's Impact on the Solar Cell Efficiency" } ] }, { "name": "text", "data": "[D]. " }, { "name": "text", "data": "Zhengzhou" }, { "name": "text", "data": ": " }, { "name": "text", "data": "Henan University" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2016" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "(in Chinese)" } ], "title": "Improving the Crystallinity of the CZTSSe Absorber and It's Impact on the Solar Cell Efficiency" } ] }, { "id": "R5", "label": "[5]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "ZHOU J Z" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "XU X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "DUAN B W" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Regulating crystal growth " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "via" } ] }, { "name": "text", "data": " organic lithium salt additive for efficient kesterite solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Nano Energy" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2021" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "89" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "106405" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Regulating crystal growth via organic lithium salt additive for efficient kesterite solar cells" } ] }, { "id": "R6", "label": "[6]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "葛杰" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "江锦春" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "胡古今" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "等" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "硫代硫酸钠浓度对电沉积制备铜锌锡硫硒薄膜性质的影响" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "text", "data": "红外与毫米波学报" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2013" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "32" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "4" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "289" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "293" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "硫代硫酸钠浓度对电沉积制备铜锌锡硫硒薄膜性质的影响" }, { "lang": "en", "text": [ { "name": "text", "data": "GE J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "JING J C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "HU G J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Effect of Na" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "S" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "O" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "3" } ] }, { "name": "text", "data": "·5H" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "O concentration on the properties of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin films fabricated by selenization of co-electroplated Cu-Zn-Sn-S precursors" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Infrared Millim. Waves" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2013" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "32" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "4" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "289" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "293" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "(in English)" } ], "title": "Effect of Na2S2O3·5H2O concentration on the properties of Cu2ZnSn(S,Se)4 thin films fabricated by selenization of co-electroplated Cu-Zn-Sn-S precursors" } ] }, { "id": "R7", "label": "[7]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "张克智" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "何俊" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "王伟君" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "等" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "溶胶-凝胶非硫化法制备铜锌锡硫薄膜" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "text", "data": "红外与毫米波学报" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2015" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "34" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "2" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "129" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "133" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "溶胶-凝胶非硫化法制备铜锌锡硫薄膜" }, { "lang": "en", "text": [ { "name": "text", "data": "ZHANG K Z" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "HE J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "WANG W J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " films fabricated by a simple sol-gel process without sulfurization" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Infrared Millim. Waves" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2015" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "34" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "2" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "129" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "133" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "(in English)" } ], "title": "Cu2ZnSnS4 films fabricated by a simple sol-gel process without sulfurization" } ] }, { "id": "R8", "label": "[8]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "FU J J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "FU J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "TIAN Q W" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Tuning the Se content in Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " absorber to achieve 9.7% solar cell efficiency from a thiol/amine-based solution process" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "ACS Appl. Energy Mater" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2018" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "1" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "2" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "594" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "601" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Tuning the Se content in Cu2ZnSn(S,Se)4 absorber to achieve 9.7% solar cell efficiency from a thiol/amine-based solution process" } ] }, { "id": "R9", "label": "[9]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "ZHAO Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "HAN X X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "CHANG L" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Effects of selenization conditions on microstructure evolution in solution processed Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Sol. Energy Mater. Sol. Cells" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2019" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "195" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "274" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "279" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Effects of selenization conditions on microstructure evolution in solution processed Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells" } ] }, { "id": "R10", "label": "[10]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "赵其琛" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "郝瑞亭" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "刘思佳" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "等" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "退火温度对分步溅射制备铜锌锡硫薄膜性能的影响" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "text", "data": "激光与光电子学进展" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2017" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "54" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "9" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "091601-1-5" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "退火温度对分步溅射制备铜锌锡硫薄膜性能的影响" }, { "lang": "en", "text": [ { "name": "text", "data": "ZHAO Q C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "HAO R T" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "LIU S J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Influence of annealing temperature on properties of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin films prepared by step sputtering" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Laser Optoelectron. Prog" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2017" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "54" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "9" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "091601-1-5" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "(in Chinese)" } ], "title": "Influence of annealing temperature on properties of Cu2ZnSnS4 thin films prepared by step sputtering" } ] }, { "id": "R11", "label": "[11]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "孙孪鸿" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "沈鸿烈" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "黄护林" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "等" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "硒化温度对共溅射法制备的CZTSSe薄膜与电池性能的影响" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "text", "data": "发光学报" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2019" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "40" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "1" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "82" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "88" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "硒化温度对共溅射法制备的CZTSSe薄膜与电池性能的影响" }, { "lang": "en", "text": [ { "name": "text", "data": "SUN L H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "SHEN H L" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "HUANG H L" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Influence of selenization temperature on co-sputtered CZTSSe thin films and related solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Chin. J. Lumin" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2019" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "40" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "1" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "82" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "88" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "(in Chinese)" } ], "title": "Influence of selenization temperature on co-sputtered CZTSSe thin films and related solar cells" } ] }, { "id": "R12", "label": "[12]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "YANG Y C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "KANG X J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "HUANG L J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "A general water-based precursor solution approach to deposit earth abundant Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin film solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Power Sources" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2016" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "313" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "15" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "20" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "A general water-based precursor solution approach to deposit earth abundant Cu2ZnSn(S,Se)4 thin film solar cells" } ] }, { "id": "R13", "label": "[13]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "YANG Y C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "KANG X J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "HUANG L J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Facile and low-cost sodium-doping method for high-efficiency Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnSe" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin film solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Phys. Chem" } ] }, { "name": "text", "data": ". C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2015" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "119" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "40" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "22797" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "22802" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Facile and low-cost sodium-doping method for high-efficiency Cu2ZnSnSe4 thin film solar cells" } ] }, { "id": "R14", "label": "[14]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "YANG Y C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "WANG G" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHAO W G" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Solution-processed highly efficient Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnSe" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin film solar cells by dissolution of elemental Cu, Zn, Sn, and Se powders" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "ACS Appl. Mater. Interfaces" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2015" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "7" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "1" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "460" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "464" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Solution-processed highly efficient Cu2ZnSnSe4 thin film solar cells by dissolution of elemental Cu, Zn, Sn, and Se powders" } ] }, { "id": "R15", "label": "[15]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "XIAO H Q" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHOU W H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "KOU D X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Regulation of selenium composition by supercritical carbon dioxide for CZTSSe solar cells efficiency improvement" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Sol. Energy Mater. Sol. Cells" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2021" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "231" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "111308" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Regulation of selenium composition by supercritical carbon dioxide for CZTSSe solar cells efficiency improvement" } ] }, { "id": "R16", "label": "[16]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "ZHANG P P" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "YU Q" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "MIN X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Fabrication of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " photovoltaic devices with 10% efficiency by optimizing the annealing temperature of precursor films" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "RSC Adv" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2018" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "8" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "8" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "4119" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "4124" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Fabrication of Cu2ZnSn(S,Se)4 photovoltaic devices with 10% efficiency by optimizing the annealing temperature of precursor films" } ] }, { "id": "R17", "label": "[17]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "LI Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHANG H X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHAO Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Influence of the selenization condition on the properties of ambient-air processed CZTSSe thin films and device performance" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Appl. Surf. Sci" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2020" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "516" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "145872-1-7" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Influence of the selenization condition on the properties of ambient-air processed CZTSSe thin films and device performance" } ] }, { "id": "R18", "label": "[18]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "WANG S Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "GAO S S" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "WANG D X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Room-temperature surface sulfurization for high-performance kesterite CZTSe solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Sol. RRL" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2019" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "3" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "1" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "1800236" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Room-temperature surface sulfurization for high-performance kesterite CZTSe solar cells" } ] }, { "id": "R19", "label": "[19]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "刘仪柯" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "唐雅琴" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "蒋良兴" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "等" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "溅射Cu-Zn-Sn金属预制层后硫(硒)化法制备Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Se" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "薄膜及其光伏特性" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "text", "data": "材料导报" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2018" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "32A" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "9" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "1412-1416, 1422" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "溅射Cu-Zn-Sn金属预制层后硫(硒)化法制备Cu2ZnSn(SxSe1-x)4薄膜及其光伏特性" }, { "lang": "en", "text": [ { "name": "text", "data": "LIU Y K" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "TANG Y Q" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "JIANG L X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Photovoltaic characteristics of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Se" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin films synthesized " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "via" } ] }, { "name": "text", "data": " the process of Cu-Zn-Sn presputtering and subsequent sulfurization(Selenization) annealing" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Mater Rev" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2018" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "32A" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "9" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "1412-1416, 1422" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "(in Chinese)" } ], "title": "Photovoltaic characteristics of Cu2ZnSn(SxSe1-x)4 thin films synthesized via the process of Cu-Zn-Sn presputtering and subsequent sulfurization(Selenization) annealing" } ] }, { "id": "R20", "label": "[20]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "张克智" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "陶加华" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "刘俊峰" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "等" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "简单的溶胶-凝胶法制备致密的铜锌锡硫硒薄膜" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "text", "data": "无机材料学报" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2014" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "29" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "7" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "781" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "784" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "简单的溶胶-凝胶法制备致密的铜锌锡硫硒薄膜" }, { "lang": "en", "text": [ { "name": "text", "data": "ZHANG K Z" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "TAO J H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "LIU J F" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Compact Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin films fabricated by a simple sol-gel technique" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Inorg. Mater" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2014" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "29" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "7" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "781" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "784" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "(in English)" } ], "title": "Compact Cu2ZnSn(S,Se)4 thin films fabricated by a simple sol-gel technique" } ] }, { "id": "R21", "label": "[21]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "YUAN M" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "WANG J L" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHOU W H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "-CdS heterostructured nanocrystals for enhanced photocatalytic hydrogen production" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Catal. Sci. Technol" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2017" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "7" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "18" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "3980" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "3984" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Cu2ZnSnS4-CdS heterostructured nanocrystals for enhanced photocatalytic hydrogen production" } ] }, { "id": "R22", "label": "[22]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "ZHANG A F" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "SONG Z Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHOU Z J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Engineering the band offsets at the back contact interface for efficient kesterite CZTSSe solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "ACS Appl. Energy Mater" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2020" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "3" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "11" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "10976" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "10982" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Engineering the band offsets at the back contact interface for efficient kesterite CZTSSe solar cells" } ] }, { "id": "R23", "label": "[23]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "ZHANG Z J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "YAO L Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHANG Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Modified back contact interface of CZTSe thin film solar cells:elimination of double layer distribution in absorber layer" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Adv. Sci" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2018" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "5" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "2" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "1700645-1-9" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Modified back contact interface of CZTSe thin film solar cells:elimination of double layer distribution in absorber layer" } ] }, { "id": "R24", "label": "[24]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "GAO S S" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHANG Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "AO J P" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Tailoring Mo(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": " structure for high efficient Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Sol. Energy Mater. Sol. Cells" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2018" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "176" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "302" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "309" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Tailoring Mo(S,Se)2 structure for high efficient Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells" } ] }, { "id": "R25", "label": "[25]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "宋思悦" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "刘旭炜" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "林鸿霄" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "等" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "电镀法在氧化铟锡上制备铜锌锡硫薄膜的光谱特征" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "text", "data": "光谱学与光谱分析" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2019" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "39" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "9" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "2940" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "2945" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "电镀法在氧化铟锡上制备铜锌锡硫薄膜的光谱特征" }, { "lang": "en", "text": [ { "name": "text", "data": "SONG S R" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "LIU X W" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "LIN H X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Spectral characterization of electrodeposited Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin films on fluorine-doped tin oxide" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Spectrosc. Spect. Anal" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2019" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "39" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "9" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "2940" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "2945" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "(in Chinese)" } ], "title": "Spectral characterization of electrodeposited Cu2ZnSnS4 thin films on fluorine-doped tin oxide" } ] }, { "id": "R26", "label": "[26]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "TAO J H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "LIU J F" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "CHEN L L" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "7.1% efficient co-electroplated Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin film solar cells with sputtered CdS buffer layers" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Green Chem" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2016" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "18" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "2" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "550" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "557" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "7.1% efficient co-electroplated Cu2ZnSnS4 thin film solar cells with sputtered CdS buffer layers" } ] }, { "id": "R27", "label": "[27]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "TAO J H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHANG K Z" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHANG C J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "A sputtered CdS buffer layer for co-electrodeposited Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells with 6.6% efficiency" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Chem. Commun" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2015" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "51" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "51" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "10337" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "10340" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "A sputtered CdS buffer layer for co-electrodeposited Cu2ZnSnS4 solar cells with 6.6% efficiency" } ] }, { "id": "R28", "label": "[28]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "TAO J H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "CHEN L L" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "CAO H Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Co-electrodeposited Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin-film solar cells with over 7% efficiency fabricated " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "via" } ] }, { "name": "text", "data": " fine-tuning of the Zn content in absorber layers" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Mater. Chem" } ] }, { "name": "text", "data": ". A" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2016" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "4" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "10" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "3798" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "3805" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Co-electrodeposited Cu2ZnSnS4 thin-film solar cells with over 7% efficiency fabricated via fine-tuning of the Zn content in absorber layers" } ] }, { "id": "R29", "label": "[29]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "ZHAO Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "HAN X X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "LI W" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Synthesis of the Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " alloys with tunable phase structure and composition " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "via" } ] }, { "name": "text", "data": " a novel non-toxic solution method" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "RSC Adv" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2013" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "3" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "48" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "26160" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "26165" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Synthesis of the Cu2ZnSn(S,Se)4 alloys with tunable phase structure and composition via a novel non-toxic solution method" } ] }, { "id": "R30", "label": "[30]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "PEI Y L" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "GUO J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "KOU D X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Precise-tuning the In content to achieve high fill factor in hybrid buffer structured Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Sol. Energy" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2017" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "148" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "157" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "163" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Precise-tuning the In content to achieve high fill factor in hybrid buffer structured Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells" } ] }, { "id": "R31", "label": "[31]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "XU X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "GUO L B" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHOU J Z" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Efficient and composition-tolerant kesterite Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells derived from an " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "in situ" } ] }, { "name": "text", "data": " formed multifunctional carbon framework" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Adv. Energy Mater" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2021" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "11" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "40" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "2102298" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Efficient and composition-tolerant kesterite Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells derived from an in situ formed multifunctional carbon framework" } ] }, { "id": "R32", "label": "[32]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "CUI G N" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "YANG Y C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "CHEN R L" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Influence of extra trace Mn-doping on the properties of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " absorber layer" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Opt. Mater" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2021" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "111" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "110707" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Influence of extra trace Mn-doping on the properties of Cu2ZnSn(S,Se)4 absorber layer" } ] }, { "id": "R33", "label": "[33]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "WANG D X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "WU J Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "LIU X Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Formation of the front-gradient bandgap in the Ag doped CZTSe thin films and solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Energy Chem" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2019" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "35" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "188" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "196" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Formation of the front-gradient bandgap in the Ag doped CZTSe thin films and solar cells" } ] }, { "id": "R34", "label": "[34]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "马骕驭" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "马传贺" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "卢小双" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "等" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "铜锌锡硫带边电子结构及缺陷态的光学表征" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "text", "data": "红外与毫米波学报" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2020" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "39" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "1" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "92" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "98" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "铜锌锡硫带边电子结构及缺陷态的光学表征" }, { "lang": "en", "text": [ { "name": "text", "data": "MA S Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "MA C H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "LU X S" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Optical characterization of bandedge electronic structure and defect states in Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Infrared Millim. Waves" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2020" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "39" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "1" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "92" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "98" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "(in Chinese)" } ], "title": "Optical characterization of bandedge electronic structure and defect states in Cu2ZnSnS4" } ] }, { "id": "R35", "label": "[35]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "GAO S S" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHANG Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "AO J P" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Insight into the role of post-annealing in air for high efficient Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Sol. Energy Mater. Sol. Cells" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2018" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "182" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "228" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "236" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Insight into the role of post-annealing in air for high efficient Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells" } ] }, { "id": "R36", "label": "[36]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "YU K" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "CARTER E A" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Determining and controlling the stoichiometry of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " photovoltaics:the physics and its implications" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Chem. Mater." } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2016" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "28" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "12" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "4415" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "4420" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Determining and controlling the stoichiometry of Cu2ZnSnS4 photovoltaics:the physics and its implications" } ] }, { "id": "R37", "label": "[37]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "HE M P" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "KOU D X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHOU W H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Se-assisted performance enhancement of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " quantum-dot sensitized solar cells " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "via" } ] }, { "name": "text", "data": " a simple yet versatile synthesis" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Inorg. Chem" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2019" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "58" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "19" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "13285" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "13292" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Se-assisted performance enhancement of Cu2ZnSn(S,Se)4 quantum-dot sensitized solar cells via a simple yet versatile synthesis" } ] }, { "id": "R38", "label": "[38]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "ZHAO Y C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHAO X Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "KOU D X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Local Cu component engineering to achieve continuous carrier transport for enhanced kesterite solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "ACS Appl. Mater. Interfaces" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2021" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "13" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "1" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "795" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "805" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Local Cu component engineering to achieve continuous carrier transport for enhanced kesterite solar cells" } ] }, { "id": "R39", "label": "[39]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "樊彦艳" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "索红莉" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "冯叶" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "等" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Cd掺杂的Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "光伏材料的发光光谱及其太阳能电池器件特性" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "text", "data": "发光学报" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2017" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "38" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "10" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "1338" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "1345" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Cd掺杂的Cu2ZnSnS4光伏材料的发光光谱及其太阳能电池器件特性" }, { "lang": "en", "text": [ { "name": "text", "data": "PAN Y Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "SUO H L" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "FENG Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Photoluminescence properties Cd-doped Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin films and performance of the solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Chin. J. Lumin" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2017" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "38" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "10" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "1338" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "1345" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "(in Chinese)" } ], "title": "Photoluminescence properties Cd-doped Cu2ZnSnS4 thin films and performance of the solar cells" } ] }, { "id": "R40", "label": "[40]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "NAGAI T" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "SHIMAMURA T" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "TANIGAWA K" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Band alignment of the CdS/Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn(Sn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Ge" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")Se" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " heterointerface and electronic properties at the Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn(Sn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Ge" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")Se" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " surface:" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] }, { "name": "text", "data": " = 0,0.2, and 0.4" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "ACS Appl. Mater. Interfaces" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2019" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "11" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "4" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "4637" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "4648" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Band alignment of the CdS/Cu2Zn(Sn1-xGex)Se4 heterointerface and electronic properties at the Cu2Zn(Sn1-xGex)Se4 surface:x = 0,0.2, and 0.4" } ] }, { "id": "R41", "label": "[41]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "YANG Y C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "KANG X J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "HUANG L J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Tuning the band gap of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin films " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "via" } ] }, { "name": "text", "data": " lithium alloying" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "ACS Appl. Mater. Interfaces" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2016" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "8" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "8" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "5308" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "5313" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Tuning the band gap of Cu2ZnSn(S,Se)4 thin films via lithium alloying" } ] }, { "id": "R42", "label": "[42]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "SUTTER-FELLA C M" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "STÜCKELBERGER J A" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "HAGENDORFER H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Sodium assisted sintering of chalcogenides and its application to solution processed Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin film solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Chem. Mater" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2014" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "26" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "3" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "1420" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "1425" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Sodium assisted sintering of chalcogenides and its application to solution processed Cu2ZnSn(S,Se)4 thin film solar cells" } ] }, { "id": "R43", "label": "[43]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "SHI X A" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "WANG Y X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "YU H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Significantly improving the crystal growth of a Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " absorber layer by air-annealing a Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " precursor thin film" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "ACS Appl. Mater. Interfaces" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2020" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "12" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "37" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "41590" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "41595" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Significantly improving the crystal growth of a Cu2ZnSn(S,Se)4 absorber layer by air-annealing a Cu2ZnSnS4 precursor thin film" } ] }, { "id": "R44", "label": "[44]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "COLLORD A D" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "HILLHOUSE H W" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Germanium alloyed kesterite solar cells with low voltage deficits" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Chem. Mater" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2016" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "28" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "7" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "2067" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "2073" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Germanium alloyed kesterite solar cells with low voltage deficits" } ] }, { "id": "R45", "label": "[45]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "GERSHON T" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "GUNAWAN O" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "GOKMEN T" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Analysis of loss mechanisms in Ag" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnSe" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " Schottky barrier photovoltaics" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Appl. Phys" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2017" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "121" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "17" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "174501-1-7" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Analysis of loss mechanisms in Ag2ZnSnSe4 Schottky barrier photovoltaics" } ] }, { "id": "R46", "label": "[46]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "SU Z H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "TAN J M R" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "LI X L" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Cation substitution of solution-processed Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin film solar cell with over 9% efficiency" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Adv. Energy Mater" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2015" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "5" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "19" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "1500682-1-7" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Cation substitution of solution-processed Cu2ZnSnS4 thin film solar cell with over 9% efficiency" } ] }, { "id": "R47", "label": "[47]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "CHEN S Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "WALSH A" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "YANG J H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Compositional dependence of structural and electronic properties of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " alloys for thin film solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Phys. Rev" } ] }, { "name": "text", "data": ". B" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2011" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "83" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "12" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "125201-1-5" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Compositional dependence of structural and electronic properties of Cu2ZnSn(S,Se)4 alloys for thin film solar cells" } ] }, { "id": "R48", "label": "[48]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "PAIER J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ASAHI R" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "NAGOYA A" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " as a potential photovoltaic material:a hybrid hartree-fock density functional theory study" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Phys. Rev" } ] }, { "name": "text", "data": ". B" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2009" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "79" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "11" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "115126-1-8" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Cu2ZnSnS4 as a potential photovoltaic material:a hybrid hartree-fock density functional theory study" } ] }, { "id": "R49", "label": "[49]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "YAN Q" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "CHENG S Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "YU X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Mechanism of current shunting in flexible Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Cd" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Sn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Sol. RRL" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2020" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "4" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "1" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "1900410-1-10" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Mechanism of current shunting in flexible Cu2Zn1-xCdxSn(S,Se)4 solar cells" } ] }, { "id": "R50", "label": "[50]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "WU Y J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHANG Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "SUI Y R" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Bandgap engineering of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "In" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Sn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " alloy films for photovoltaic applications" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Ceram. Int" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2018" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "44" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "2" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "1942" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "1950" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Bandgap engineering of Cu2InxZn1-xSn(S,Se)4 alloy films for photovoltaic applications" } ] }, { "id": "R51", "label": "[51]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "CABAS-VIDANI A" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "HAASS S G" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ANDRES C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "High-efficiency (Li" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " kesterite solar cells with lithium alloying" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Adv. Energy Mater" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2018" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "8" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "34" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "1801191-1-8" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "High-efficiency (LixCu1-x)2ZnSn(S,Se)4 kesterite solar cells with lithium alloying" } ] }, { "id": "R52", "label": "[52]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "GONG Y C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "QIU R C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "NIU C Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Ag incorporation with controlled grain growth enables 12.5% efficient kesterite solar cell with open circuit voltage reached 64.2% Shockley-queisser limit" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Adv. Funct. Mater" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2021" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "31" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "24" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "2101927-1-11" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Ag incorporation with controlled grain growth enables 12.5% efficient kesterite solar cell with open circuit voltage reached 64.2% Shockley-queisser limit" } ] }, { "id": "R53", "label": "[53]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "WANG Y M" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "YANG Y C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHU C J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Boosting the electrical properties of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "via" } ] }, { "name": "text", "data": " low amounts of Mg substituting Zn" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "ACS Appl. Energy Mater" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2020" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "3" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "11" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "11177" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "11182" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Boosting the electrical properties of Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells via low amounts of Mg substituting Zn" } ] }, { "id": "R54", "label": "[54]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "GUO J J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "MAO Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHANG Z J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Enhancing the photovoltaic performance of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells with Ba trace doping:large chemical mismatch cation incorporation" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Sol. RRL" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2021" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "5" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "11" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "2100607" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Enhancing the photovoltaic performance of Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells with Ba trace doping:large chemical mismatch cation incorporation" } ] }, { "id": "R55", "label": "[55]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "LI X L" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "HOU Z F" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "GAO S S" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Efficient optimization of the performance of Mn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": "-doped kesterite solar cell:machine learning aided synthesis of high efficient Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "(Mn,Zn)Sn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Sol. RRL" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2018" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "12" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "1800198" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Efficient optimization of the performance of Mn2+-doped kesterite solar cell:machine learning aided synthesis of high efficient Cu2(Mn,Zn)Sn(S,Se)4 solar cells" } ] }, { "id": "R56", "label": "[56]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "SU Z H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "LIANG G X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "FAN P" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Device postannealing enabling over 12% efficient solution-processed Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells with Cd" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": " substitution" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Adv. Mater" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2020" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "32" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "32" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "2000121-1-12" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Device postannealing enabling over 12% efficient solution-processed Cu2ZnSnS4 solar cells with Cd2+ substitution" } ] }, { "id": "R57", "label": "[57]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "KIM S" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "KIM K M" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "TAMPO H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Improvement of voltage deficit of Ge-incorporated kesterite solar cell with 12.3% conversion efficiency" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Appl. Phys. Express" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2016" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "9" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "10" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "102301-1-4" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Improvement of voltage deficit of Ge-incorporated kesterite solar cell with 12.3% conversion efficiency" } ] }, { "id": "R58", "label": "[58]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "DU Y C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "WANG S S" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "TIAN Q W" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Defect engineering in earth-abundant Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " photovoltaic materials " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "via" } ] }, { "name": "text", "data": " Ga" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "3+" } ] }, { "name": "text", "data": "-doping for over 12% efficient solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Adv. Funct. Mater" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2021" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "31" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "16" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "2010325-1-11" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Defect engineering in earth-abundant Cu2ZnSn(S,Se)4 photovoltaic materials via Ga3+-doping for over 12% efficient solar cells" } ] }, { "id": "R59", "label": "[59]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "WU Y J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "HE W J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "SUI Y R" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "A new insight of In-doped Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin films for photovoltaic application" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Alloys Compd" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2020" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "829" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "154492" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "A new insight of In-doped Cu2ZnSn(S,Se)4 thin films for photovoltaic application" } ] }, { "id": "R60", "label": "[60]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "MAEDA T" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "KAWABATA A" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "WADA T" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "First-principles study on alkali-metal effect of Li, Na, and K in Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " and Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnSe" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Phys. Stat. Sol" } ] }, { "name": "text", "data": ". C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2015" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "12" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "6" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "631" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "637" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "First-principles study on alkali-metal effect of Li, Na, and K in Cu2ZnSnS4 and Cu2ZnSnSe4" } ] }, { "id": "R61", "label": "[61]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "ALTAMURA G" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "WANG M Q" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "CHOY K L" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Influence of alkali metals (Na,Li,Rb) on the performance of electrostatic spray-assisted vapor deposited Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Sci. Rep" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2016" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "6" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "1" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "22109-1-9" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Influence of alkali metals (Na,Li,Rb) on the performance of electrostatic spray-assisted vapor deposited Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells" } ] }, { "id": "R62", "label": "[62]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "DUAN B W" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "GUO L B" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "YU Q" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Highly efficient solution-processed CZTSSe solar cells based on a convenient sodium-incorporated post-treatment method" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Energy Chem" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2020" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "40" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "196" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "203" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Highly efficient solution-processed CZTSSe solar cells based on a convenient sodium-incorporated post-treatment method" } ] }, { "id": "R63", "label": "[63]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "周家正" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "徐啸" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "段碧雯" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "等" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池一价金属替位的研究进展" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "text", "data": "化学学报" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2021" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "79" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "3" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "303" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "318" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池一价金属替位的研究进展" }, { "lang": "en", "text": [ { "name": "text", "data": "ZHOU J Z" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "XU X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "DUAN B W" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Research progress of metal(Ⅰ) substitution in Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin film solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Acta Chim. Sinica" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2021" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "79" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "3" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "303" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "318" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "(in Chinese)" } ], "title": "Research progress of metal(Ⅰ) substitution in Cu2ZnSn(S,Se)4 thin film solar cells" } ] }, { "id": "R64", "label": "[64]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "GERSHON T" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "LEE Y S" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ANTUNEZ P" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Photovoltaic materials and devices based on the alloyed kesterite absorber (Ag" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnSe" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Adv. Energy Mater" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2016" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "6" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "10" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "1502468-1-7" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Photovoltaic materials and devices based on the alloyed kesterite absorber (AgxCu1-x)2ZnSnSe4" } ] }, { "id": "R65", "label": "[65]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "XIN H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "VORPAHL S M" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "COLLORD A D" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Lithium-doping inverts the nanoscale electric field at the grain boundaries in Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " and increases photovoltaic efficiency" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Phys. Chem. Chem. Phys" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2015" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "17" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "37" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "23859" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "23866" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Lithium-doping inverts the nanoscale electric field at the grain boundaries in Cu2ZnSn(S,Se)4 and increases photovoltaic efficiency" } ] }, { "id": "R66", "label": "[66]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "ZHAO X Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "KOU D X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHOU W H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Nanoscale electrical property enhancement through antimony incorporation to pave the way for the development of low-temperature processed Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Mater. Chem" } ] }, { "name": "text", "data": ". A" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2019" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "7" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "7" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "3135" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "3142" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Nanoscale electrical property enhancement through antimony incorporation to pave the way for the development of low-temperature processed Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells" } ] }, { "id": "R67", "label": "[67]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "DONG X F" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHENG T T" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "YANG F X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "An effective Li-containing interfacial-treating strategy for performance enhancement of air-processed CZTSSe solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Sol. Energy Mater. Sol. Cells" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2021" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "227" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "111102-1-9" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "An effective Li-containing interfacial-treating strategy for performance enhancement of air-processed CZTSSe solar cells" } ] }, { "id": "R68", "label": "[68]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "ZHAO X Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "CHANG X H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "KOU D X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Lithium-assisted synergistic engineering of charge transport both in GBs and GI for Ag-substituted Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Energy Chem" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2020" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "50" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "9" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "15" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Lithium-assisted synergistic engineering of charge transport both in GBs and GI for Ag-substituted Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells" } ] }, { "id": "R69", "label": "[69]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "YANG Y C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "HUANG L J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "PAN D C" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "New insight of Li-doped Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin films:Li-induced Na diffusion from soda lime glass by a cation-exchange reaction" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "ACS Appl. Mater. Interfaces" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2017" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "9" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "28" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "23878" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "23883" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "New insight of Li-doped Cu2ZnSn(S,Se)4 thin films:Li-induced Na diffusion from soda lime glass by a cation-exchange reaction" } ] }, { "id": "R70", "label": "[70]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "QI Y F" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "LIU Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "KOU D X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Enhancing grain growth for efficient solution-processed (Cu,Ag)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells based on acetate precursor" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "ACS Appl. Mater. Interfaces" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2020" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "12" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "12" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "14213" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "14223" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Enhancing grain growth for efficient solution-processed (Cu,Ag)2ZnSn(S,Se)4 solar cells based on acetate precursor" } ] }, { "id": "R71", "label": "[71]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "YU X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "CHENG S Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "YAN Q" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Efficient (Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Ag" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells on flexible Mo foils" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "RSC Adv" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2018" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "8" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "49" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "27686" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "27694" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Efficient (Cu1-xAgx)2ZnSn(S,Se)4 solar cells on flexible Mo foils" } ] }, { "id": "R72", "label": "[72]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "ZHAO Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "HAN X X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "XU B" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Enhancing open-circuit voltage of solution-processed Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells with Ag substitution" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "IEEE J. Photovolt" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2017" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "7" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "3" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "874" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "881" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Enhancing open-circuit voltage of solution-processed Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells with Ag substitution" } ] }, { "id": "R73", "label": "[73]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "QI Y F" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "TIAN Q W" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "MENG Y N" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Elemental precursor solution processed (Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Ag" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " photovoltaic devices with over 10% efficiency" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "ACS Appl. Mater. Interfaces" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2017" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "9" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "25" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "21243" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "21250" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Elemental precursor solution processed (Cu1-xAgx)2ZnSn(S,Se)4 photovoltaic devices with over 10% efficiency" } ] }, { "id": "R74", "label": "[74]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "QI Y F" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "KOU D X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHOU W H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Engineering of interface band bending and defects elimination " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "via" } ] }, { "name": "text", "data": " a Ag-graded active layer for efficient (Cu,Ag)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Energy Environ. Sci" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2017" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "10" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "11" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "2401" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "2410" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Engineering of interface band bending and defects elimination via a Ag-graded active layer for efficient (Cu,Ag)2ZnSn(S,Se)4 solar cells" } ] }, { "id": "R75", "label": "[75]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "CHEN R Z" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "PERSSON C" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Electronic and optical properties of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "X" } ] }, { "name": "text", "data": "SnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " (" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "X" } ] }, { "name": "text", "data": " = Be,Mg,Ca,Mn,Fe,and Ni) and the impact of native defect pairs" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Appl. Phys" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2017" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "121" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "20" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "203104-1-9" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Electronic and optical properties of Cu2XSnS4 (X = Be,Mg,Ca,Mn,Fe,and Ni) and the impact of native defect pairs" } ] }, { "id": "R76", "label": "[76]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "TONG Z F" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "YUAN J Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "CHEN J R" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Optical and photoelectrochemical properties of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "SrSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin film fabricated by a facial ball-milling method" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Mater. Lett" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2019" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "237" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "130" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "133" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Optical and photoelectrochemical properties of Cu2SrSnS4 thin film fabricated by a facial ball-milling method" } ] }, { "id": "R77", "label": "[77]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "CROVETTO A" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "NIELSEN R" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "STAMATE E" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Wide band gap Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "SrSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells from oxide precursors" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "ACS Appl. Energy Mater" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2019" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "10" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "7340" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "7344" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Wide band gap Cu2SrSnS4 solar cells from oxide precursors" } ] }, { "id": "R78", "label": "[78]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "SURESH K M" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "MADHUSUDANAN S P" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "RAJAMANI A R" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Barium substitution in kesterite Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "∶Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Ba" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "-SnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " quinary alloy thin films for efficient solar energy harvesting" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Cryst. Growth Des" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2020" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "20" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "7" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "4387" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "4394" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Barium substitution in kesterite Cu2ZnSnS4∶Cu2Zn1-xBax-SnS4 quinary alloy thin films for efficient solar energy harvesting" } ] }, { "id": "R79", "label": "[79]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "SUI Y R" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHANG Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "JIANG D Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Investigation of optimum Mg doping content and annealing parameters of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Mg" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "-Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "SnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin films for solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Nanomaterials" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2019" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "9" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "7" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "955-1-13" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Investigation of optimum Mg doping content and annealing parameters of Cu2Mgx-Zn1-xSnS4 thin films for solar cells" } ] }, { "id": "R80", "label": "[80]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "HUSSEIN H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "YAZDANI A" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Investigation the influence of Fe (Ⅲ) doping in Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " semiconductor:structural, optical and magnetic properties" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Optik" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2019" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "179" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "505" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "513" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Investigation the influence of Fe (Ⅲ) doping in Cu2ZnSnS4 semiconductor:structural, optical and magnetic properties" } ] }, { "id": "R81", "label": "[81]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "KAUR K" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "NISIKA " }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "CHOWDHURY A H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Nanoscale charge transport and local surface potential distribution to probe the defect passivation in Cr-substituted earth abundant CZTS absorber layer" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Alloys Compd" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2021" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "854" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "157160-1-10" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Nanoscale charge transport and local surface potential distribution to probe the defect passivation in Cr-substituted earth abundant CZTS absorber layer" } ] }, { "id": "R82", "label": "[82]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "DIGRASKAR R V" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "SAPNER V S" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "NARWADE S S" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Enhanced electrocatalytic hydrogen generation from water " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "via" } ] }, { "name": "text", "data": " cobalt-doped Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " nanoparticles" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "RSC Adv" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2018" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "8" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "36" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "20341" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "20346" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Enhanced electrocatalytic hydrogen generation from water via cobalt-doped Cu2ZnSnS4 nanoparticles" } ] }, { "id": "R83", "label": "[83]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "ZHANG J Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "YANG Y C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "CUI G N" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Enhancing electrical properties of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin films " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "via" } ] }, { "name": "text", "data": " trace Co incorporation" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Mater. Chem. Phys" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2021" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "262" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "124318" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Enhancing electrical properties of Cu2ZnSn(S,Se)4 thin films via trace Co incorporation" } ] }, { "id": "R84", "label": "[84]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "CHIHI A" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "BOUJMI M F" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "BESSAIS B" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Synthesis and characterization of photoactive material Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "NiSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin films" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Mater" } ] }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Sci." } ] }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Mater. Electron" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2019" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "30" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "4" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "3338" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "3348" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Synthesis and characterization of photoactive material Cu2NiSnS4 thin films" } ] }, { "id": "R85", "label": "[85]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "WEI M" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "DU Q Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "WANG R" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Synthesis of new earth-abundant kesterite Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "MgSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " nanoparticles by hot-injection method" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Chem. Lett" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2014" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "43" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "7" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "1149" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "1151" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Synthesis of new earth-abundant kesterite Cu2MgSnS4 nanoparticles by hot-injection method" } ] }, { "id": "R86", "label": "[86]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "LIE S" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "LEOW S W" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "BISHOP D M" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Improving carrier-transport properties of CZTS by Mg incorporation with spray pyrolysis" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "ACS Appl. Mater. Interfaces" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2019" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "11" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "29" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "25824" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "25832" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Improving carrier-transport properties of CZTS by Mg incorporation with spray pyrolysis" } ] }, { "id": "R87", "label": "[87]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "SHIN D" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "NGABOYAMAHINA E" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHOU Y H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Synthesis and characterization of an earth-abundant Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "BaSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " chalcogenide for photoelectrochemical cell application" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Phys. Chem. Lett" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2016" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "7" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "22" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "4554" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "4561" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Synthesis and characterization of an earth-abundant Cu2BaSn(S,Se)4 chalcogenide for photoelectrochemical cell application" } ] }, { "id": "R88", "label": "[88]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "GUO H F" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "MA C H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "CHEN Z W" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "The fabrication of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "BaSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin film solar cells utilizing a maskant layer" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Sol. Energy" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2019" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "181" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "301" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "307" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "The fabrication of Cu2BaSnS4 thin film solar cells utilizing a maskant layer" } ] }, { "id": "R89", "label": "[89]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "HE W J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "SUI Y R" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZENG F C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Enhancing the performance of aqueous solution-processed Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " photovoltaic materials by Mn" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "2+" } ] }, { "name": "text", "data": " substitution" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Nanomaterials" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2020" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "10" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "7" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "1250-1-13" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Enhancing the performance of aqueous solution-processed Cu2ZnSn(S,Se)4 photovoltaic materials by Mn2+ substitution" } ] }, { "id": "R90", "label": "[90]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "LIE S" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "TAN J M R" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "LI W J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Reducing the interfacial defect density of CZTSSe solar cells by Mn substitution" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Mater. Chem" } ] }, { "name": "text", "data": ". A" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2018" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "6" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "4" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "1540" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "1550" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Reducing the interfacial defect density of CZTSSe solar cells by Mn substitution" } ] }, { "id": "R91", "label": "[91]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "LIE S" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "SANDI M I" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "TAY Y F" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Improving the charge separation and collection at the buffer/absorber interface by double-layered Mn-substituted CZTS" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Sol. Energy Mater. Sol. Cells" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2018" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "185" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "351" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "358" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Improving the charge separation and collection at the buffer/absorber interface by double-layered Mn-substituted CZTS" } ] }, { "id": "R92", "label": "[92]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "MAEDA T" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "NAKAMURA S" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "WADA T" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "First-principles study on Cd doping in Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " and Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnSe" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Jpn. J. Appl. Phys" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2012" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "51" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "10S" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "10NC11-1-6" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "First-principles study on Cd doping in Cu2ZnSnS4 and Cu2ZnSnSe4" } ] }, { "id": "R93", "label": "[93]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "ZHANG Q" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "DENG H M" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "CHEN L L" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Cation substitution induced structural transition, band gap engineering and grain growth of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Cd" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "SnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin films" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Alloys Compd" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2017" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "695" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "482" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "488" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Cation substitution induced structural transition, band gap engineering and grain growth of Cu2CdxZn1-xSnS4 thin films" } ] }, { "id": "R94", "label": "[94]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "HADKE S" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "CHEN W" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "TAN J M R" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Effect of Cd on cation redistribution and order-disorder transition in Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "(Zn,Cd)-SnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Mater. Chem" } ] }, { "name": "text", "data": ". A" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2019" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "7" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "47" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "26927" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "26933" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Effect of Cd on cation redistribution and order-disorder transition in Cu2(Zn,Cd)-SnS4" } ] }, { "id": "R95", "label": "[95]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "YAN C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "SUN K W" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "HUANG J L" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Beyond 11% efficient sulfide kesterite Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Cd" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "SnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cell:effects of cadmium alloying" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "ACS Energy Lett" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2017" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "4" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "930" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "936" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Beyond 11% efficient sulfide kesterite Cu2ZnxCd1-xSnS4 solar cell:effects of cadmium alloying" } ] }, { "id": "R96", "label": "[96]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "XIAO Z Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "LI Y F" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "YAO B" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Bandgap engineering of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Cd" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Zn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "SnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " alloy for photovoltaic applications:a complementary experimental and first-principles study" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Appl. Phys" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2013" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "114" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "18" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "183506-1-7" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Bandgap engineering of Cu2CdxZn1-xSnS4 alloy for photovoltaic applications:a complementary experimental and first-principles study" } ] }, { "id": "R97", "label": "[97]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "GUO H F" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "LI Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "GUO X H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Effect of silicon doping on electrical and optical properties of stoichiometric Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSnS" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Phys" } ] }, { "name": "text", "data": ". B:" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Condens. Matter" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2018" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "531" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "9" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "15" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Effect of silicon doping on electrical and optical properties of stoichiometric Cu2ZnSnS4 solar cells" } ] }, { "id": "R98", "label": "[98]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "DENG Y Q" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHOU Z J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "ZHANG X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Adjusting the Sn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "Zn" } ] }, { "name": "text", "data": " defects in Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " absorber layer " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "via" } ] }, { "name": "text", "data": " Ge" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "4+" } ] }, { "name": "text", "data": " implanting for efficient kesterite solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Energy Chem" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2021" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "61" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "1" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "7" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Adjusting the SnZn defects in Cu2ZnSn(S,Se)4 absorber layer via Ge4+ implanting for efficient kesterite solar cells" } ] }, { "id": "R99", "label": "[99]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "ZHANG Z J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "GAO Q" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "GUO J J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Over 10% efficient pure CZTSe solar cell fabricated by electrodeposition with Ge doping" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Sol. RRL" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2020" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "4" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "5" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "2000059-1-9" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Over 10% efficient pure CZTSe solar cell fabricated by electrodeposition with Ge doping" } ] }, { "id": "R100", "label": "[100]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "ZONG K" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "LU S H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "WANG H" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "The synthesis of Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "Zn(Ge" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": "Sn" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "1-" }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "x" } ] } ] }, { "name": "text", "data": ")Se" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " nanocrystals with tunable band gaps" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "CrystEngComm" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2013" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "15" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "35" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "6942" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "6947" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "The synthesis of Cu2Zn(GexSn1-x)Se4 nanocrystals with tunable band gaps" } ] }, { "id": "R101", "label": "[101]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "BAG S" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "GUNAWAN O" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "GOKMEN T" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Hydrazine-processed Ge-substituted CZTSe solar cells" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Chem. Mater" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2012" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "24" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "23" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "4588" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "4593" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Hydrazine-processed Ge-substituted CZTSe solar cells" } ] }, { "id": "R102", "label": "[102]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "TIAN Q W" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "LIU S Z" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Defect suppression in multinary M" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "I" } ] }, { "name": "text", "data": "-M" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "Ⅱ" } ] }, { "name": "text", "data": "-M" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "Ⅳ" } ] }, { "name": "text", "data": "-Ch" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " chalcogenide photovoltaic materials derived from kesterite:progress and outlook" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "J. Mater. Chem" } ] }, { "name": "text", "data": ". A" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2020" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "8" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "47" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "24920" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "24942" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Defect suppression in multinary M2I-MⅡ-MⅣ-Ch4 chalcogenide photovoltaic materials derived from kesterite:progress and outlook" } ] }, { "id": "R103", "label": "[103]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "DU Y C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "TIAN Q W" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "HUANG J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Heterovalent Ga" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "3+" } ] }, { "name": "text", "data": " doping in solution-processed Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells for better optoelectronic performance" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Sustainable Energy Fuels" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2020" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "4" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "4" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "1621" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "1629" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Heterovalent Ga3+ doping in solution-processed Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells for better optoelectronic performance" } ] }, { "id": "R104", "label": "[104]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "YU X" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "CHENG S Y" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "YAN Q" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Efficient flexible Mo foil-based Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " solar cells from In-doping technique" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Sol. Energy Mater. Sol. Cells" } ] }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2020" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "209" }, { "name": "text", "data": ":" }, { "name": "text", "data": "110434-1-7" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Efficient flexible Mo foil-based Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells from In-doping technique" } ] }, { "id": "R105", "label": "[105]", "citation": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "ZENG F C" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "SUI Y R" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "WU Y J" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "et al" }, { "name": "text", "data": ". " }, { "name": "text", "data": "Structural, optical and electrical properties of indium doped Cu" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "2" } ] }, { "name": "text", "data": "ZnSn(S,Se)" }, { "name": "sub", "data": [ { "name": "text", "data": "4" } ] }, { "name": "text", "data": " thin films synthesized by the DC and RF reactive magnetron cosputtering" }, { "name": "text", "data": "[J]. " }, { "name": "italic", "data": [ { "name": "text", "data": "Ceram. Int" } ] }, { "name": "text", "data": "." }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "2021" }, { "name": "text", "data": ", " }, { "name": "text", "data": "47" }, { "name": "text", "data": "(" }, { "name": "text", "data": "13" }, { "name": "text", "data": "):" }, { "name": "text", "data": "18376" }, { "name": "text", "data": "-" }, { "name": "text", "data": "18384" }, { "name": "text", "data": "." } ], "title": "Structural, optical and electrical properties of indium doped Cu2ZnSn(S,Se)4 thin films synthesized by the DC and RF reactive magnetron cosputtering" } ] } ] }, "response": [], "contributions": [], "acknowledgements": [], "conflict": [], "supportedby": [], "articlemeta": { "doi": "10.37188/CJL.20210340", "clc": [ [ { "name": "text", "data": "TM914.4" }, { "name": "sup", "data": [ { "name": "text", "data": "+" } ] }, { "name": "text", "data": "2" } ] ], "dc": [ { "name": "text", "data": "A" } ], "publisherid": "1000-7032(2022)02-0255-13", "citeme": [], "fundinggroup": [ { "lang": "zh", "text": [ { "name": "text", "data": "国家自然科学基金（61804085，62164010，62064010）；内蒙古自治区自然科学基金（2020LH6008）；中央引导地方科技发展资金（2020ZY0009）；中国博士后科学基金（2019M653806XB）；内蒙古师范大学校级研究生科研创新基金（CXJJS21130）；内蒙古师范大学校级大学生创新创业训练计划（XCY-2140）资助项目" } ] }, { "lang": "en", "text": [ { "name": "text", "data": "Supported by National Natural Science Foundation of China (61804085, 62164010, 62064010); Natural Science Foundation of Inner Mongolia Autonomous Region (2020LH6008); Local Science and Technology Development Fund Projects Guided by The Central Government (2020ZY0009); China Postdoctoral Science Foundation (2019M653806XB); Graduate Scientific Research Innovation Program of Inner Mongolia Normal University (CXJJS21130); Undergraduate Innovation and Entrepreneurship Training Program of Inner Mongolia Normal University (XCY-2140)" } ] } ], "history": { "received": "2021-11-03", "revised": "2021-11-22", "opub": "2022-02-24" }, "copyright": { "data": [], "year": "2022" } }, "appendix": [], "type": "research-article", "ethics": [], "supplementary": [], "journalTitle": "发光学报", "issue": "02", "volume": "43", "originalSource": [] }