1. 陕西科技大学 理学院,陕西 西安,710021
纸质出版日期:2015-11-10,
收稿日期:2015-8-10,
修回日期:2015-9-14,
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引用本文
丁磊, 张方辉,. 负电荷层对a-IGZO TFT阈值电压的影响[J]. 发光学报, 2015,36(11): 1320-1324
DING Lei, ZHANG Fang-hui,. Effects of Negative Charge Layer on The Threshold Voltage of a-IGZO TFT[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2015,36(11): 1320-1324
丁磊, 张方辉,. 负电荷层对a-IGZO TFT阈值电压的影响[J]. 发光学报, 2015,36(11): 1320-1324 DOI: 10.3788/fgxb20153611.1320.
DING Lei, ZHANG Fang-hui,. Effects of Negative Charge Layer on The Threshold Voltage of a-IGZO TFT[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2015,36(11): 1320-1324 DOI: 10.3788/fgxb20153611.1320.
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