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负电荷层对a-IGZO TFT阈值电压的影响

器件制备及器件物理 | 更新时间：2020-08-12

- 负电荷层对a-IGZO TFT阈值电压的影响封面论文增强出版
- Effects of Negative Charge Layer on The Threshold Voltage of a-IGZO TFT
- 发光学报 2015年 36卷第11期 (2015)
- 作者机构：
  
  陕西科技大学理学院,陕西,西安,710021
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(61076066)();陕西省科技统筹创新工程计划(2011KTCQ01-09)();陕西科技大学学术带头人专项(2013XSD14)资助项目()
- DOI：10.3788/fgxb20153611.1320 中图分类号： TN304
- 纸质出版日期：2015-11-10，
  
  网络出版日期：，
  
  收稿日期：2015-8-10，
  
  修回日期：2015-9-14，
  
  录用日期：
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引用本文
丁磊, 张方辉,. 负电荷层对a-IGZO TFT阈值电压的影响[J]. 发光学报, 2015,36(11): 1320-1324

DING Lei, ZHANG Fang-hui,. Effects of Negative Charge Layer on The Threshold Voltage of a-IGZO TFT[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2015,36(11): 1320-1324
丁磊, 张方辉,. 负电荷层对a-IGZO TFT阈值电压的影响[J]. 发光学报, 2015,36(11): 1320-1324 DOI： 10.3788/fgxb20153611.1320.

DING Lei, ZHANG Fang-hui,. Effects of Negative Charge Layer on The Threshold Voltage of a-IGZO TFT[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2015,36(11): 1320-1324 DOI： 10.3788/fgxb20153611.1320.

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