最新刊期
      2006年第27卷第1期

        专文

      • 我国老一辈著名发光学家——许少鸿教授

        蒋雪茵
        2006, 27(1): 1-5.
        摘要：许少鸿,物理学家,专长发光物理、材料和器件。1950年为了祖国的建设,他放弃了正在攻读的博士学位,从美国回到北京,参加了中国科学院物理研究所的工作。也是为了国家当时的特殊需要,开始研究发光材料。此后一直从事各种发光材料、器件的研制及其物理过程的研究,兢兢业业、不计名利,为我国发光学人才的培养及发光学事业的发展,作出了重大贡献。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜电致发光

        钟国柱
        2006, 27(1): 6-17.
        摘要：电致发光薄膜是平板显示器的重要材料之一,我们从研究ZnS:Mn,Cu直流电致发光薄膜的大面积稳定发光开始,首次将稀土离子引进直流电致发光薄膜,实现了各色的直流电致发光,并研究其激发机理、过热电子的能量分布、稀土离子的碰撞截面和稀土离子发光中心在晶格中的位置等。在国内首先研制成功ZnS:Mn交流电致发光薄膜计算机终端显示器,并扩大面积到640×480像素(对角线10英寸)。为了实现彩色化显示,研制出稀土离子掺杂的各色交流电致发光薄膜。研究不同稀土离子在薄膜中的浓度猝灭,以便提高薄膜的发光亮度。在致力于实现彩色的过程中,首要的任务是提高蓝色电致发光薄膜的亮度和探索新的蓝色电致发光薄膜材料:从ZnS:TmF3到CaS:TmF3,发光亮度有了很大的提高;使SrS:Ce薄膜蓝色电致发光的亮度超过1000cd/m2;同时探索纳米Si和非晶Si/SiO2超晶格结构的蓝色电致发光。成功地实现了ZnS:Mn/SrS:Ce白色电致发光和SrS:HoF3三基色线谱发射的白色电致发光,发光亮度也超过1000cd/m2。  
        关键词：电致发光;薄膜;平板显示   
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        更新时间：2020-08-11

        研究论文

      • 正弦平方势与小振幅近似下的弯晶沟道辐射

        胡西多, 邵明珠, 罗诗裕, 曹璎珞
        2006, 27(1): 18-22.
        摘要：在理想情况下和经典力学框架内,引入正弦平方势,把粒子在弯晶中的运动方程化为具有外力矩的摆方程。并对系统的相平面特征进行了数值分析。在小振幅近似下,把粒子运动方程化为具有硬特性的弹簧-振子系统,用Jacobian椭圆函数和椭圆积分解析地给出系统的解和粒子运动周期。讨论了弯晶沟道辐射频率、无量纲偏转角和辐射谱的一般特征。指出利用沟道辐射作为激光的可能性。以正电子在碳单晶中沟道辐射为例进行了具体计算,得到了与其他工作基本一致的结果。  
        关键词：弯晶;沟道辐射;非线性;正弦平方势   
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        更新时间：2020-08-11

      • 极性晶体中强耦合表面磁极化子特性

        张鹏, 周广刚, 宝日玛, 肖景林
        2006, 27(1): 23-26.
        摘要：研究极性晶体中表面磁极化子的特性。采用Huybrechts线性组合算符和幺正变换方法,导出了晶体中强耦合表面磁极化子处于基态的振动频率和有效哈密顿量,讨论了坐标z的两种极限情况,对RbCl晶体进行了数值计算。结果表明:振动频率和平行有效哈密顿量随磁场的增加而增大。  
        关键词：表面磁极化子;强耦合;有效哈密顿   
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        更新时间：2020-08-11

      • 双stub介观环结构中的电子输运特征

        黄有利, 肖景林
        2006, 27(1): 27-30.
        摘要：采用量子波导理论研究了双stub介观环结构中电子输运特性。结果表明电子透射系数随stub的长度和环的大小而周期地振动,对环的周长和stub的长度做适当的调整,能使电子输运达到100%。并且比较了单stub介观环结构和双stub介观环结构对电子输运的影响,发现双stub的介观环结构对电子输运调制要比单stub介观环结构好。理论研究不仅对基础物理而且对量子器件研究均有重要意义。  
        关键词：量子波导理论;介观系统;电子输运   
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnS中电子陷阱能级对光生电子弛豫过程的影响

        董国义, 窦军红, 韦志仁, 葛世艳, 郑一博, 林琳, 田少华
        2006, 27(1): 31-35.
        摘要：采用微波吸收法,测量了在不同助熔剂条件及不同气氛下烧制的ZnS材料受到超短激光脉冲激发后的光电子衰减过程,并且测量了材料的热释光曲线。样品A采用过量的SrCl作为助熔剂,在1150℃下灼烧制备而成;其热释光曲线显示材料中有浅电子陷阱,电子陷阱密度小,光生电子衰减过程为双指数衰减过程,快过程寿命为45ns,慢过程寿命为312ns。样品B中加入了少量的NaCl作为助熔剂;热释光曲线显示有浅电子陷阱和深电子陷阱,且都有较高的密度,其光电子寿命为1615ns。在NH4Br气氛中烧制样品C,热释光谱显示只有浅电子陷阱形成,光电子寿命为1413ns。结果表明材料的光电子寿命和浅电子陷阱密切相关,浅电子陷阱密度越大,光生电子寿命越长,深电子陷阱对光生电子瞬态过程影响很小。  
        关键词：ZnS;微波吸收技术;热释光;光电子   
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        更新时间：2020-08-11
      • 沈祥, 聂秋华, 徐铁峰, 戴世勋, 王训四
        2006, 27(1): 36-40.
        摘要：制备了Er3+/Yb3+共掺的碲钨酸盐玻璃样品,TeO2-WO3-RmOn(RmOn=PbO,BaO,La2O3,Bi2O3),研究了样品的热稳定性和1.5μm波段的光谱性质。碲酸盐中引入WO3的目的是为提高基质的声子能量,使Er3+离子4I13/2→4I15/2的多声子弛豫速率增加,从而提高4I13/2能级上的Er3+离子数,这对提高1.5μm处的荧光强度有利,另外加入WO3也能提高碲酸盐玻璃的抗析晶能力。测试了样品的FT-IR光谱,发现碲钨酸盐玻璃样品中存在着TeO4、TeO3、WO4和WO6结构体。周围环境的不对称性导致Er3+在1.5μm处的光谱有非均匀的展宽和大的受激发射截面。Er3+在70TeO2-20WO3-10Bi2O3玻璃中4I13/2→4I15/2能级发射的荧光半峰全宽(FWHM)为77nm,应用McCumber理论计算的受激发射截面(σpeak)为1.03×10-20cm2。其FWHM×σpeak乘积远大于掺Er3+的铋酸盐、磷酸盐、碲酸盐和硅酸盐玻璃,说明碲钨酸盐玻璃是一种制备宽带光纤放大器优良基质材料。  
        关键词：光谱性质;Er3+/Yb3+共掺杂;碲钨酸盐玻璃;热稳定性   
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        更新时间：2020-08-11

      • Er3+/Yb3+共掺锗碲酸盐玻璃的光谱性质及Judd-Ofelt理论分析

        高媛, 聂秋华, 徐铁峰, 侯帅, 沈祥
        2006, 27(1): 47-52.
        摘要：用高温熔融法制备了一种Er3+/Yb3+共掺的70TeO2-5Li2O-10B2O3-15GeO2玻璃,测试和分析了其热稳定性、吸收光谱、荧光光谱以及红外吸收谱。应用Judd-Ofelt理论计算了玻璃中Er3+的强度参数、自发辐射跃迁几率、辐射寿命以及荧光分支比,同时比较了OH-的存在对玻璃发光特性的影响。结果表明:这种玻璃具有较好的热稳定性,较宽的荧光半峰全宽和较大的受激发射截面,是一种较为合适的宽带光纤放大器的基质材料,OH-的存在使得Er3+离子的荧光强度降低,荧光寿命减小。  
        关键词：锗碲酸盐玻璃;热稳定性;光谱特性;Judd-Ofelt理论;OH~-   
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        更新时间：2020-08-11

      • Er3+,Yb3+共掺杂SrTiO3超细粉末的可见上转换发光

        郭海, 董宁, 周民杰, 尹民, 张慰萍, 楼立人, 夏上达
        2006, 27(1): 53-58.
        摘要：钛酸锶(SrTiO3)具有高介电常数、良好的绝缘性质、优良的物理化学稳定性和在可见光范围内的优异的透明度等优点,是一种重要的无机功能材料。近年来,Al3+,Ga3+等离子共掺杂的SrTiO3:Pr3+做为一种优异的红色场发射显示(FED)荧光粉引起了人们的兴趣。另外,SrTiO3具有相对较小的声子频率,因而它可以作为一种有利于上转换发光的基质材料。以NaCl为助熔剂制备了Er3+,Yb3+共掺杂的SrTiO3超细粉末。在980nm激发下,样品发出很强的来自于Er3+离子的2H11/2→4I15/2,4S3/2→4I15/2(绿光)和4F9/2→4I15/2(红光)跃迁的上转换发光。Yb3+离子的共掺杂对Er3+离子的上转换发光起明显的增强作用。研究了上转换发光强度与稀土离子浓度以及激发光强度之间的依赖关系,表明在Er3+单掺杂和Er3+,Yb3+共掺杂的样品中,绿光和红光都是被双光子激发过程激发的。还对上转换发光的机理做了初步分析。  
        关键词：上转换发光;SrTiO3;能量传递;激发态吸收   
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        更新时间：2020-08-11

      • 一步溶液法制备ZnO亚微米晶体棒及其发光性能

        陈建刚, 郭常新, 张琳丽, 胡俊涛
        2006, 27(1): 59-65.
        摘要：用硝酸锌(Zn(NO3)2·4H2O)或醋酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)分别与六亚甲基四胺((CH2)6N4)以等浓度0.005mol/L配制成两种反应溶液,通过化学溶液法在玻璃衬底上生长出ZnO六角型亚微米棒(长5~8μm,直径300~700nm)。测量了样品的XRD和扫描电镜像。经XRD分析,所得样品均为纤锌矿的ZnO六角型晶体。扫描电镜(SEM)像表明,生长时间为3h或5h时,样品为细长条的棒状结构,长径比超过10:1;生长48h后的ZnO亚微米棒的一端被腐蚀成一定深度的ZnO亚微米管。用负离子配位四面体生长模型分析了ZnO亚微米棒的生长机理。ZnO亚微米棒退火前后的光致发光谱表明,退火处理后的发射谱中的紫外峰消失,而红色发光峰红移并且增强(峰值由630nm左右移到710nm),同时它的激发光谱中的室温激子激发峰也增强。  
        关键词：氧化锌;光致发光;晶体生长;化学溶液法;纳米晶   
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        更新时间：2020-08-11

      • 富锌条件下生长氮掺杂氧化锌薄膜的光学和电学性质

        樊晓峰, 吕有明, 王新, 申德振, 张振中, 李炳辉, 姚斌, 张吉英, 赵东旭, 范希武
        2006, 27(1): 66-68.
        摘要：报道了采用等离子体辅助分子束外延方法(P-MBE),利用NO作为N源和O源,在c-面蓝宝石(c-Al2O3)衬底上外延生长了N掺杂ZnO薄膜。X射线衍射谱(XRD)和吸收谱中都出现了不同于未掺杂样品的特性,X射线光电子谱(XPS)中也发现了N的受主信号。但是在霍尔效应(Hall-effect)测量中,发现该样品并没有出现预期的p型导电特性,而是出现载流子浓度很高(2.15×1020cm-3)的n型导电特性。结合XPS结果和理论分析,认为在富Zn条件下生长会导致过量的填隙Zn原子,补偿了全部的受主后,又促使其出现了从半导体-金属的Mott转变。  
        关键词：氧化锌薄膜;X射线光电子谱;Mott转变   
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        更新时间：2020-08-11

      • GaN基紫光LED的高反射率p型欧姆接触

        张敬东, 于彤军, 杨志坚, 阎和平, 张宁, 穆森, 张国义
        2006, 27(1): 69-74.
        摘要：研究用于GaN基大功率倒装焊(Flip-chip)紫光LED(UV-LED)的高反射率p型欧姆接触的电学和光学性能。用磁控溅射的方法在GaN基LED外延片表面沉积了不同厚度Ag,Al,Au和Pd四种金属,测量了样品的反射率和透射率。结合同步辐射高强度X射线衍射和AFM对金属薄膜的晶体结构进行分析,并对表面形貌进行了观测,对由金属薄膜构成的多层膜结构及其对光反射率的作用机理进行了研究。测量结果表明,在入射光波长为400nm时,Ni/Au/Ag和Ni/Au/Al电极的反射率比Ni/Au的反射率提高了三倍。同时与p-GaN有良好的欧姆接触特性。  
        关键词：紫光LED;氧化镓;反射率;欧姆接触   
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        更新时间：2020-08-11

      • 高反射率p-GaN欧姆接触电极

        康香宁, 章蓓, 胡成余, 王琦, 陈志忠, 张国义
        2006, 27(1): 75-79.
        摘要：根据光学薄膜原理计算了GaN/Ti/Ag、GaN/Al和GaN/Ni/Au/Ti/Ag、GaN/Ni/Au/Al多层电极结构的反射率,得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提供较高的反射率。实验测量结果表明,反射率能高于80%的Ag基反射电极,具有低欧姆接触的电学特性。并将GaN/Ni/Au/Ti/Ag多层反射电极应用在上下电极结构的GaN基LED中。实验上采用两步合金法获得了低接触电阻、高反射率的电极结构,并引入Ni/Au覆盖层克服了Ag高温时的团聚和氧化现象。解决了Ag电极的稳定性问题,显著地提高了LED的出光效率,成功制备了具有上下电极结构的GaN基LED管芯。  
        关键词：p-GaN;欧姆接触;反射电极;两步合金法;激光剥离;垂直结构LED   
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        更新时间：2020-08-11

      • 含芴聚合物电子亲合能和电离能的确定

        李茂, 路萍, 张海全, 陆丹, 马於光
        2006, 27(1): 80-84.
        摘要：通过循环伏安法测量了若干含芴交替共聚物的氧化还原电位,并通过氧化还原的起始电位点来确定聚合物的能级结构。从结果分析,在聚芴中引入系列的基团改变了聚合物的电离能、电子亲合能及带隙能。其中引入联吡啶后,带隙能变化不大,但电子亲合能明显升高,增加了电子的注入能力;引入带有七元环的联苯,特别是引入间位连接带有七元环的联苯后,带隙能明显增加。与聚芴比较,七元环聚合物电离能(Ip)从5.60eV增加到5.81eV,而电子亲合能(Ea)从2.05eV增加到2.42eV,带隙能从3.55eV增加到3.82eV。这与光谱得到的带隙能得到了较好的对应。  
        关键词：聚芴;循环伏安;电子亲合能;电离能   
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        更新时间：2020-08-11

      • TBVB用作蓝光发光层的非掺杂有机电致蓝光和白光器件

        程刚, 何凤, 赵毅, 马於光, 刘式墉
        2006, 27(1): 85-90.
        摘要：利用一种来源于PPV的发蓝光的齐聚物材料2,5,2',5'-tetra(4'-biphenylenevinyl)-biphenyl(TBVB)制作非掺杂的有机电致蓝光和白光器件。蓝光器件的结构为ITO/NPB/TBVB/Alq3/LiF/Al,其中TBVB用作发光层;白光器件的结构为ITO/NPB/TBVB/rubrene/Alq3/LiF/Al,其中TBVB与超薄层(平均“厚度”0.05~0.20nm)的Rubrene相结合用作发光层,二者分别发蓝光和黄光。在蓝光器件中,当TBVB的厚度为30nm时,器件发出色坐标为(0.20,0.26)的蓝光,其最大亮度和效率分别达到2154cd/m2和1.62cd/A。在白光器件中,可通过调节TBVB和Rubrene的厚度实现对器件发光色度的调节。当TBVB和Rubrene的厚度分别为10,0.15nm时,器件在亮度为4000cd/m2时发光色坐标为(0.33,0.34),非常接近白光等能点,且随着电压的变化始终处于白光区。当电压为16V时该器件达到最高亮度4025cd/m2;当电压为6V时器件有最高的效率3.2cd/A。  
        关键词：TBVB;蓝光;白光;有机电致发光器件;非掺杂   
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        更新时间：2020-08-11

      • 互混型有机电致发光器件

        庞宏启, 袁永波, 周云飞, 连加荣, 曹玲芳, 张洁, 刘彭义, 周翔
        2006, 27(1): 91-94.
        摘要：通过共蒸镀空穴传输材料TPD和电子传输材料Alq3,在普通双层器件的异质结界面引入了均匀互混层,并研究了互混层的厚度变化对器件光电性能的影响。互混层的引入在一定程度上改善了普通双层器件的异质结界面由于高浓度载流子积聚导致的高电场和界面缺陷对器件主要性能(效率和寿命)的负面影响。我们发现一定厚度的互混层使器件的性能有所提高。  
        关键词：互混层;有机电致发光器件;效率;寿命   
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        更新时间：2020-08-11

      • 迫呫吨并呫吨的快速合成及其光电性能

        宋继国, 刘彭义, 周翔, 沈培康
        2006, 27(1): 95-99.
        摘要：用微波碳浴法,以2-萘酚为原料,快速合成了迫呫吨并呫吨.优化后的反应条件:醋酸铜(Cu(OAc)2)做氧化剂;Cu(OAc)2与2-萘酚的量的比为3:1;加热时间为210s左右。在氯仿溶液中,其吸收光谱与发射光谱呈镜面对称关系,最大发射峰波长约为445nm,且呈现较高的荧光量子效率。循环伏安法测得该化合物的最高占有分子轨道(HOMO)和最低未占有分子轨道(LUMO)分别为5.45eV,3.00eV。  
        关键词：迫呫吨并呫吨;微波碳浴法;2-萘酚   
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        更新时间：2020-08-11

      • MEH-CN-PPV中Z/E的构型

        李昱鹏, 何琳, 陆丹, 马於光, 李国文
        2006, 27(1): 100-104.
        摘要：用Knoevenagel方法,合成了MEH-CN-PPV,通过对其1H-核磁共振(1H-NMR)谱的研究,在MEH-CN-PPV的1H-NMR谱中发现烯键的Z/E两种构型的信号,通过积分面积初步估算E构型占15%,Z构型占85%。并且合成了模型化合物——齐聚物(E,E)-1,4-二(1-氰基-2-苯乙烯基)-2-(2-乙基己氧基)-5-甲氧基苯,其发生异构时,1H-NMR谱的变化与MEH-CN-PPV的Z/E两种构型在1H-NMR谱中的信号吻合。  
        关键词：MEH-CN-PPV;Z/E构型;核磁共振   
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        更新时间：2020-08-11

      • 新型双β-二酮稀土配合物的荧光性质

        尹显洪, 冯宇, 白丽娟, 马少妹, 石展望, 黄忠京, 刁开盛
        2006, 27(1): 105-112.
        摘要：稀土离子因其特有的结构,具有较好的荧光特性,能与许多有机配体形成有良好荧光性能的配合物。简要介绍了双β-二酮配体的合成,研究了Eu3+、Tb3+双β-二酮配合物体系的荧光性能,该体系具有良好的荧光特性。通过对其紫外光谱、荧光光谱测定和对比,分析了不同因素,包括溶剂、配体结构、pH值等因素对体系荧光强度的影响。实验结果表明:稀土(Eu3+,Tb3+)-β-二酮体系在乙醇溶液中其荧光强度比在水溶液中大得多;乳化剂OP能增强体系荧光强度;在pH约为6时荧光最强;不同结构的β-二酮配体与稀土离子所形成的配合物的荧光强度顺序为H2L1>H2L2>H2L3;Eu3+比Tb3+能更好地与这些β-二酮匹配,其中Eu3+与β-二酮配体H2L1形成的配合物荧光性能最好。  
        关键词：Eu3+;Tb3+;双β-二酮;稀土配合物;荧光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 基于超短脉冲的癌细胞荧光光谱

        刘天夫, 陈碧芳, 文汝红
        2006, 27(1): 113-117.
        摘要：研究用于癌症诊断与治疗的光敏剂血卟啉(hematoporphyrin derivative,HPD)的超快光动力学过程。采用超短脉冲激光光谱技术和皮秒时间相关单光子计数系统,测量经血卟啉培养的活体癌细胞与正常细胞的荧光光谱、荧光寿命特性及荧光峰值强度随时间的变化,观测到:癌细胞样品在645nm处具有特征发射光谱峰;癌细胞与正常细胞样品荧光寿命的快成分分别为150,300ps;癌细胞与正常细胞的荧光峰值强度经12h分别衰减10%和55%。对测量所得的荧光光谱曲线及时间分辨荧光衰减曲线分析,计算出:在癌细胞内部血卟啉浓度增大了约2个数量级;癌细胞与正常细胞的荧光寿命分别为824,1798ps;血卟啉在癌细胞与正常细胞样品中滞留时间分别为17,6d。测量结果确认了荧光光谱技术诊断与治疗癌症的可行性,并对发展超短脉冲激光光谱技术早期诊断与治疗癌症具有重要的指导意义和临床应用价值。  
        关键词：荧光光谱测量;超短脉冲激光;时间相关单光子计数;癌细胞   
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        更新时间：2020-08-11

      • 多孔硅的后处理及其发光特性

        王水凤, 姜乐, 戴丽丽, 元美玲, 唐小迅
        2006, 27(1): 118-122.
        摘要：采用一种新颖而简便的方法,改善多孔硅的发光特性。该方法包括酸处理和阴极还原两步。实验证明通过对多孔硅进行酸处理,能有效提高多孔硅的发光强度;通过对多孔硅进行阴极还原处理,能明显改善多孔硅的发光稳定性,而且发光强度也得到了提高。综合酸处理和阴极还原两技术的特点,对所制备的多孔硅立即先进行酸处理,然后再对其进行阴极还原处理,结果表明该方法能较好地提高多孔硅的发光效率和发光稳定性。而且还对其发光机制进行了探讨。  
        关键词：多孔硅;酸处理;阴极还原   
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        更新时间：2020-08-11

      • 生长温度对碳纳米管阴极场发射性能的影响

        王莉莉, 孙卓, 陈婷
        2006, 27(1): 123-128.
        摘要：碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30~60英寸(76.2~152.4cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高(750℃),CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论。  
        关键词：碳纳米管;场发射平面显示器;丝网印刷;生长温度   
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        更新时间：2020-08-11

      • 沉积工艺参数对碳纳米管薄膜场发射性能的影响

        樊志琴, 闫书霞, 姚宁, 鲁占灵, 杨仕娥, 马丙现, 张兵临
        2006, 27(1): 129-133.
        摘要：利用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)方法,在不锈钢衬底上直接沉积碳纳米管膜。通过SEM、拉曼光谱和XRD表征,讨论了制备温度和甲烷浓度对碳纳米管膜场发射的影响。结果表明:不同条件下制备的碳纳米管膜的场发射性能有很大差异,保持氢气的流量(100sccm)、生长时间(10min)、反应室压力不变,当甲烷流量为8sccm、温度为700~800℃时,场发射性能最好,开启场强仅为0.8V/μm,发射点分布密集、均匀。  
        关键词：碳纳米管;微波等离子体化学气相沉积;场发射;拉曼光谱   
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        更新时间：2020-08-11

        材料合成及性能

      • 长余辉材料Sr2MgSi2O7：Eu2+,Dy3+中稀土离子的发光特性

        陈永虎, 施朝淑, KIRM M, TRUE M, VIELHAUER S, ZIMMERER G
        2006, 27(1): 41-46.
        摘要：利用同步辐射光源(德国HASYLAB实验室的SUPERLUMI实验站)和真空紫外激光(157.6nm)对新型蓝光发射长余辉材料Sr2MgSi2O7:Eu2+(0.2%),Dy3+(8%)进行了光谱研究。在170nm同步辐射光源激发下,观察到对应Eu2+:5d-4f跃迁的477nm发射带和对应Dy3+:4f-4f跃迁的两组线谱发射,其中只有来自Eu2+的5d-4f发射对长余辉光谱有贡献。在157.6nm激光激发下,除了上述发射外,还明显观察到对应Eu3+的红色线谱(590,614,626nm)。结合这些光谱特性,对Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+中稀土离子的发光特性以及长余辉发光机理进行了讨论,并提出了Eu2+充当空穴陷阱的可能性。  
        关键词：长余辉材料;稀土;Sr2MgSi2O7：Eu2+;Dy3+;发光   
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        更新时间：2020-08-11

        研究快报

      • Ce3+-冠醚配合物的紫外有机电致发光

        俞天智, 苏文明, 李文连, 华瑞年, 李明涛, 李斌
        2006, 27(1): 134-136.
        摘要：采用5d-4f跃迁的稀土Ce3+-冠醚配合物(Ce-二环己基并-18-冠-6,Ce-DC18C6)作为发光掺杂剂,4,4'-二(9-咔唑基)联苯(CBP)为基质,设计制备了紫外发光器件:ITO/CuPc/Ce-DC18C6:CBP/Bu-PBD/LiF/Al,首次观测到峰位于376nm的Ce3+离子的紫外电致发光。通过对比器件的EL谱与Ce3+-冠醚配合物薄膜的PL谱发现,EL光谱中有部分来自Ce3+配合物中的Ce3+离子的。这种5d-4f电子跃迁的掺杂质量分数为3%时,该UV-发光器件的最大辐射功率为13μW/cm2。  
        关键词：UV-OLED;Ce3+-配合物;5d-4f跃迁;紫外辐射光源   
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        更新时间：2020-08-11
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