一步溶液法制备ZnO亚微米晶体棒及其发光性能

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

一步溶液法制备ZnO亚微米晶体棒及其发光性能

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- 一步溶液法制备ZnO亚微米晶体棒及其发光性能
- Crystal Growth and Luminescent Properties of ZnO Sub-microrods Prepared by One Step Solution Growth Method
- 发光学报 2006年27卷第1期页码：59-65
- 作者机构：
  
  1. 中国科学技术大学, 物理系, 安徽, 合肥, 230026
  2. 中国科学院, 结构分析开放实验室, 安徽, 合肥, 230026
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(19874057)();安徽省自然科学基金(01044904)资助项目()
- DOI：
  中图分类号： O782.1;O482.31
- 收稿：2004-08-26，
  
  修回：2005-1-15，
  
  纸质出版：2006-01-20
- 稿件说明：
移动端阅览
陈建刚, 郭常新, 张琳丽, 胡俊涛. 一步溶液法制备ZnO亚微米晶体棒及其发光性能[J]. 发光学报, 2006,27(1): 59-65

CHEN Jian-gang, GUO Chang-xin, ZHANG Lin-li, HU Jun-tao. Crystal Growth and Luminescent Properties of ZnO Sub-microrods Prepared by One Step Solution Growth Method[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(1): 59-65
陈建刚, 郭常新, 张琳丽, 胡俊涛. 一步溶液法制备ZnO亚微米晶体棒及其发光性能[J]. 发光学报, 2006,27(1): 59-65 DOI：

CHEN Jian-gang, GUO Chang-xin, ZHANG Lin-li, HU Jun-tao. Crystal Growth and Luminescent Properties of ZnO Sub-microrods Prepared by One Step Solution Growth Method[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(1): 59-65 DOI：

摘要

用硝酸锌(Zn(NO

3

)

2

&

#183;4H2O)或醋酸锌(Zn(CH

3

COO)

2

&

#183;2H2O)分别与六亚甲基四胺((CH

2

)

6

N

4

)以等浓度0.005mol/L配制成两种反应溶液

通过化学溶液法在玻璃衬底上生长出ZnO六角型亚微米棒(长5~8μm

直径300~700nm)。测量了样品的XRD和扫描电镜像。经XRD分析

所得样品均为纤锌矿的ZnO六角型晶体。扫描电镜(SEM)像表明

生长时间为3h或5h时

样品为细长条的棒状结构

长径比超过10:1;生长48h后的ZnO亚微米棒的一端被腐蚀成一定深度的ZnO亚微米管。用负离子配位四面体生长模型分析了ZnO亚微米棒的生长机理。ZnO亚微米棒退火前后的光致发光谱表明

退火处理后的发射谱中的紫外峰消失

而红色发光峰红移并且增强(峰值由630nm左右移到710nm)

同时它的激发光谱中的室温激子激发峰也增强。

Abstract

关键词

Keywords

references

Huang M,Mao S,Feick H,et al.Room-temperature ultraviolet nanowire nanolasers[J].Science,2001,292:1897-1899.

Pan Z W,Dai Z R,Wang Z L.Nanobelts of semiconducting oxides[J].Science,2001,291:1947-1949.

Wen J G,Lao J Y,Wang D Z,et al.Self-assembly of semiconducting oxide nanowires,nanorods,and nanoribbons[J].Chem.Phys.Lett.,2003,372(5,6):717-722.

Hu Juntao,Guo Changxin,Chen Jiangang,et al.Crystal growth and luminescent properties of ZnO nanowires prepared by thermal vapor condensition[J].Chin.J.Lumin.(发光学报),2005,26(6):781-784 (in Chinese).

Chen J G,Guo C X,Zhang L L,et al.Preparation and luminescent properties of ZnO microrods and microtubes[J].Chin.Phys.Lett.,2004,21(7):1366-1369.

Cullity B D.Elements of X-ray Diffraction[M].Addition-Wesley,Reading,MA,1978,102.

Shi E W,Zhong W Z,Hua S K,et al.About the growth unit model of anion coordination polyhedron[J].Science in China (Series E)(中国科学,E),1998,28(1):37-45 (in Chinese).

Li W J,Shi E W,Zhong W Z,et al.Growth unit model of anion coordination polyhedron and the particle size of powders in the hydrothermal formation[J].J.Chin.Ceramic Soc.(中国陶瓷),1999,27(2):164-171 (in Chinese).

Li W J,Shi E W,Zhong W Z,et al.Anion coordination polyhedron growth unit theory mode and crystal morphology[J].J.Synth.Cryst.(人工晶体学报),1999,28(2):117-125 (in Chinese).

Hua S K,Zhong W Z.Mechanism of forming ZnO crystal under hydrothermal condition[J].J.Synth.Cryst.(人工晶体学报),1994,23(3):177-180 (in Chinese).

Vayssieres L,Keis K,Hagfeldt A,et al.Three-dimensional array of highly oriented crystalline ZnO microtubes[J].Chem.Mater.,2001,13(12):4395-4398.

Vanheusden K,Seager C H,Warren W,et al.Correlation between photoluminescence and oxygen vacancies in ZnO phosphors[J].Appl.Phys.Lett.,1996,68(3):403-405.

Look D C,Reynolds D C,Fang Z Q,et al.Point defect characterization of GaN and ZnO[J].Materials Sci.and Engin.B,1999,66:30-32.

Mei Z X,Zhang X Q,Yi L X,et al.Preparation and photoluminescent properties of ZnO thin film[J].Chin.J.Lumin.(发光学报),2002,23(4):389-392 (in Chinese).

Xu X L,Xu J,Xu C M,et al.Cathodoluminescence of ZnO films on silicon[J].Chin.J.Lumin.(发光学报),2003,24(2):171-176 (in Chinese).

Fu Z X,Lin B X,Liao G H,et al.The effect of Zn buffer layer on growth and luminescence of ZnO films deposited on Si substrates[J].J.Cryst.Growth,1998,193:316-321.

Bagnall D M,Chen Y F,Shen M Y,et al.Room temperature excitonic stimulated emission from zinc oxide epilayers grown by plasma-assisted MBE[J].J.Cryst.Growth,1998,185:605-609.

Xu P S,Sun Y M,Shi C S,et al.Electronic structure of ZnO and its defects[J].Science in China (Series A)(中国科学,A),2001,44(9):1174-1181.

0

浏览量

244

下载量

10

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

相关文章

氮气氛中高温退火对ZnO薄膜发光性质的影响

ZnO薄膜的分子束外延生长及性能

纳米结构ZnO薄膜的制备及其疏水特性

纳米晶Gd2O3 ∶ Eu3+的制备与发光性质

界面生长中断对GaAs (111)衬底上 AlGaAs/GaAs量子阱电子自旋寿命的影响

相关作者

钟泽

孙利杰

徐小秋

陈小庆

邬小鹏

傅竹西

周映雪

俞根才

相关机构

中国科学技术大学物理系

复旦大学, 同步辐射研究中心

复旦大学, 物理系, 应用表面物理国家重点实验室

西安理工大学材料科学与工程学院

西北大学物理学院

AI问答

地址：长春市经济技术开发区东南湖大路3888号邮编：130033
联系电话：0431-86176862 Email：fgxbt@126.com
本系统由Light学术出版中心、北京北大方正电子有限公司共建吉ICP备11002662号-17 京公网安备11010802024621
本系统建议在Chrome、 IE9+ 以上版本浏览器阅读本站内容，360浏览器请切换至极速模式
Cookies帮助我们提供服务并提供个性化体验。使用本网站，即表示您同意我们使用Cookies

⁰