最新刊期
      1988年第9卷第4期

        发光的一般问题

      • LiYF4:Nd3+的发光

        宋增福, 华道宏, 贾惟义, 王彦云, 刘竞青
        1988, 9(4): 279-284.
        摘要：首次研究了LiYF4:Nd3+由Ar+激光5145Å激发的发光(Laser excited photo-luminescence,LEPL)以及由X射线激发的发光(X-Ray excited photo luminescence,XEPL).仔细地研究了它的荧光谱的偏振特性.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 硼酸盐玻璃中某些稀土离子的浓度效应及其能量传递过程

        吴佩芳, 蒋雪茵, 李卓棠, 张志林, 许少鸿
        1988, 9(4): 285-291.
        摘要：本文系统地报道了硼酸盐玻璃中Ce3+、Sm33+、Eu3+、Ga3+、Tb3+、Dy3+浓度效应,观察到Eu3+、Gd3+、Tb3+在硼酸盐玻璃中随浓度增加其发光强度增强,而Ce3+、Sm3+、Dy3+当其浓度增加到一定数值后,发光强度反而减弱,初步探讨了不同浓度效应的原因.本文还观察到硼玻璃中某些稀土离子对Eu3+、Tb3+离子发光的敏化作用,及讨论了Gd3+和Eu3+、Tb3+之间的能量传递过程,计算其能量传递的效率和几率.估计了能量传递的规律机理.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 有源层掺杂剂对Ga1-xAlxAs/GaAs双异质结发光管特性的影响

        张桂成, 沈彭年
        1988, 9(4): 324-329.
        摘要：本文研究了由液相外延技术生长的GaAIAs/GaAs双异质结材料制成的发光管,有源层掺杂剂对器件特性的影响结果表明,器件结构和器件制作工艺相同的GaAIAs/GaAs发光管,有源层掺Si可获得较大的光输出功率,而频响特性<15MHz,波长在8700Å以上;对有源层掺Ge器件,光输出功率低于掺Si器件,而频响特性则>15MHz,波长可控制在8200Å~8500Å.深能级测量表明二者有不同的深能级位置,对掺Si(氧沾污)器件,Ec-ET≈0.29eV,而掺Ge器件ET-Ev≈0.42eV.两种掺杂剂对有源层暗缺陷的影响尚无明显区别.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        其他

      • BeAl2O4:Cr3+紫外光谱的研究

        刘世宇, 严非男, 楼立人
        1988, 9(4): 292-296.
        摘要：在强场理论的基础上,本文考虑了组态相互作用,拟合了各能级位置,并对其紫外光谱进行了讨论.  
          
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        更新时间：2020-08-11
      • 张晓波
        1988, 9(4): 317-323.
        摘要：本文报道了一种脊型波导有源-吸收分段结构半导体激光器中的光双稳输出特性的实验研究结果及其理论分析.给出了实验中发现的获取最大光滞回线宽度(Hysterisis)、所对应的器件结构参数以及电注入水平.此外,一种光线近似理论模型被采用来求解光输出特性从而得到了与实验近似一致的结果.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • FF荧光膜的研究

        徐愉, 魏玮, 石道钧, 栾京海, 郑广霖, 徐国
        1988, 9(4): 330-337.
        摘要：本文介绍了一种新型发光材料——FF荧光膜,这种膜在国内是我们首先研制成功的.可以广泛地应用于装饰、广告,安全防护等领域,其性能与国外同类产品相当.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 2H-ZnS单晶层错几率的旋进法测定中影响因素的研究

        葛中久, 刘维娜
        1988, 9(4): 338-345.
        摘要：作者首次使用X光旋进照相法测定了2H-ZnS单晶rp的层错组态和层错几率.并对测定方法中的符种影响因素进行了研究:比较了两种“定向”方法(定向照相法和锥轴照相法),指出了它们各自的适用条件;分析了倒易点阵面“定向”偏差对衍射强度分布的影响;研究了反射时问对衍射强度分布的影响,征明罗伦兹-偏振修正的必要性.同时对测定方法中其他应注意的问题也进行了讨论.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • ACEL矩阵屏的拓扑与容抗特性

        王洪流, 金圣经
        1988, 9(4): 346-353.
        摘要：交流矩阵显示屏在直流脉冲驱动过程中存在“交叉效应”问题,其原因在子象元点之间电容互相耦合作用.分析并定量计算这种耦合作用,以及确定备象元上的电压分布关系,对于改善图象质量、降低电源功耗有着重大意义.本文提出一个三维拓扑结构来模拟交流矩阵屏.避过分折该拓扑中节点与支路关系,推导出直流脉冲驱动时各种情况下屏的等效电容计算公式和象元电压分布公式.文章所提出的公式简单、直观、严格,并给出了证明.这些公式对指导此类屏的驱动电路设计具有一定意义.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 原子层外延及其进展

        吕安德
        1988, 9(4): 354-370.
        摘要：近十年来发展起来的原子层外延技术(ALE)实际上是对现有气相外延技术(蒸发、沉积、分子束外延、氯化物外延和MOCVL)的一种改进.它以固体衬底表面的化学反应为基础.因此用ALE方法可以获得精确膜厚、符合化学比、高化学稳定性和结构完整而均匀的化合物薄膜.本综述介绍了ALE的工作原理、特点及其进展概况.指出,ALE方法除了用于研制成功性能优良的太面积薄膜电致发光显示器以外,近年来还在单晶衬底上生长出突变异质结、多量子阱结构和超晶格,从而为研究低维数半导体薄层结构提供了一个媒介.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        电致发光

      • 正向电压激发下ZnSe:Er3+MIS二极管的高场电致发光

        田华, 范希武, 许少鸿
        1988, 9(4): 297-303.
        摘要：本文研究了在室温下经Er离子注入ZnSe晶体的电致发光.报导了三价稀土离子在ZnSe MIS结二极管中的发光.阐明了Er3+离子是在高电场下通过过热电子直接碰撞激发的,根据分立中心是高场激发的有效发光中心,可望在这类器件中有较高的效率.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • Ag或Cu离子注入形成的ZnS MIS结及其蓝色电致发光

        于敬华, 范希武, 宫廷干
        1988, 9(4): 304-309.
        摘要：本文叙述了在室温下用能量为70~100keV,剂量为1~3×1015cm-2的Ag或Cu离子注入到低阻ZnS晶体中,经N2气流350℃下退火处理,并用扫描电镜观测晶片断面的反射电子像(REI),吸收电子像(AEI)和二次电子像(5EI),发现了经离子注入的ZnS晶片表面存在一个厚约1μ的绝缘层,还根据对MIS结C-V特性测量,计算了二极管Ⅰ层的厚度为1.1μ,它与用扫描电镜观测的结果一致.文中还测量了ZnS:Ag(或Cu)MIS二极管在正向电压下的发光光谱,根据谱峰位置表明发光分别起源于Ag(或Cu)发光中心.在室温下用肉眼观察二者皆为蓝色电致发光.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        有机发光

      • 醌对卟啉荧光猝灭的溶剂效应

        冯扬波, 郭础
        1988, 9(4): 310-316.
        摘要：测定了在室温和未脱氧条件下不同浓度的苯醌(BQ)对卟啉衍生物四苯基卟吩(TPP),四苯基卟吩锌(ZnTPP)激发一重态的猝灭.由猝灭而引起的荧光强度的变化和荧光寿命的变化均可用Stern-Volmer关系式描述.由此根据寿命计算出的猝灭常数均比据荧光强度计算出的猝灭常数小.这是由于荧光强度测量中的自吸收效应引起的.实验结果表明;猝灭常数Kq与溶剂极性无关而只与粘度有关.说明这种猝灭是受扩散控制的动态猝灭.动力学分析表明,这是一种强猝灭,电荷转移猝灭速度比卟啉和醌的复合物的分解速度大或与之相近.比较实验结果和我们以前及其他作者发表的结果后,可以得出结论.苯醌对卟啉衍生物激发态电荷转移猝灭的溶剂效应随分子状态的不同而异:分子内的和通过三重态进行的分子间电荷转移猝灭受溶剂极性影响,但通过一重态进行的分子间电荷转移猝灭则与溶剂极性无关.  
          
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        更新时间：2020-08-11
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