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中国科学院长春物理研究所
纸质出版:1988-11-30
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吕安德. 原子层外延及其进展[J]. 发光学报, 1988,9(4): 354-370
Lü Ande. ATOMIC LAYER EPITAXY AND ITS PROGRESS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(4): 354-370
吕安德. 原子层外延及其进展[J]. 发光学报, 1988,9(4): 354-370 DOI:
Lü Ande. ATOMIC LAYER EPITAXY AND ITS PROGRESS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(4): 354-370 DOI:
近十年来发展起来的原子层外延技术(ALE)实际上是对现有气相外延技术(蒸发、沉积、分子束外延、氯化物外延和MOCVL)的一种改进.它以固体衬底表面的化学反应为基础.因此用ALE方法可以获得精确膜厚、符合化学比、高化学稳定性和结构完整而均匀的化合物薄膜.本综述介绍了ALE的工作原理、特点及其进展概况.指出
ALE方法除了用于研制成功性能优良的太面积薄膜电致发光显示器以外
近年来还在单晶衬底上生长出突变异质结、多量子阱结构和超晶格
从而为研究低维数半导体薄层结构提供了一个媒介.
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