有源层掺杂剂对Ga1-xAlxAs/GaAs双异质结发光管特性的影响

张桂成; 沈彭年

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有源层掺杂剂对Ga_1-xAl_xAs/GaAs双异质结发光管特性的影响

发光的一般问题 | 更新时间：2020-08-11

- 有源层掺杂剂对Ga_1-xAl_xAs/GaAs双异质结发光管特性的影响
- DEPENDENCE OF CHARACTERISTICS OF GaAlAs/GaAs DH LEDS ON DOPANT OF ACTIVE LAYER
- 发光学报 1988年9卷第4期页码：324-329
- 作者机构：
  
  中国科学院上海冶金研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1988-11-30
- 稿件说明：
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张桂成, 沈彭年. 有源层掺杂剂对Ga1-xAlxAs/GaAs双异质结发光管特性的影响[J]. 发光学报, 1988,9(4): 324-329

Zhang Guicheng, Shen Pengnian. DEPENDENCE OF CHARACTERISTICS OF GaAlAs/GaAs DH LEDS ON DOPANT OF ACTIVE LAYER[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(4): 324-329
张桂成, 沈彭年. 有源层掺杂剂对Ga1-xAlxAs/GaAs双异质结发光管特性的影响[J]. 发光学报, 1988,9(4): 324-329 DOI：

Zhang Guicheng, Shen Pengnian. DEPENDENCE OF CHARACTERISTICS OF GaAlAs/GaAs DH LEDS ON DOPANT OF ACTIVE LAYER[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988,9(4): 324-329 DOI：

摘要

本文研究了由液相外延技术生长的GaAIAs/GaAs双异质结材料制成的发光管

有源层掺杂剂对器件特性的影响结果表明

器件结构和器件制作工艺相同的GaAIAs/GaAs发光管

有源层掺Si可获得较大的光输出功率

而频响特性

lt;15MHz

波长在8700

#197;以上;对有源层掺Ge器件

光输出功率低于掺Si器件

而频响特性则

gt;15MHz

波长可控制在8200

#197;~8500

#197;.深能级测量表明二者有不同的深能级位置

对掺Si(氧沾污)器件

T≈0.29eV

而掺Ge器件

T-

v≈0.42eV.两种掺杂剂对有源层暗缺陷的影响尚无明显区别.

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