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具有高响应度与外量子效率的p-NiO/n-Ga2O3/p-Si异质结双极型光电晶体管
更新时间：2026-09-08

    • 具有高响应度与外量子效率的p-NiO/n-Ga2O3/p-Si异质结双极型光电晶体管

    • Solar blind p-NiO/n-Ga2O3/p-Si ultraviolet heterojunction bipolar phototransistor with high responsivity and high external quantum efficiency

    • 发光学报   2026年 页码：1-8

    • DOI：10.3724/CJL.20260245    

      中图分类号： O482.31
    • CSTR：32170.14.CJL.20260245    

    • 网络首发：2026-09-08，

    移动端阅览

  • 王者,程思远,李轶涵等.具有高响应度与外量子效率的p-NiO/n-Ga2O3/p-Si异质结双极型光电晶体管[J].发光学报,DOI:10.3724/CJL.20260245 CSTR: 32170.14.CJL.20260245. DOI：

    WANG Zhe,CHENG Siyuan,LI Yihan,et al.Solar blind p-NiO/n-Ga2O3/p-Si ultraviolet heterojunction bipolar phototransistor with high responsivity and high external quantum efficiency[J].Chinese Journal of Luminescence,DOI:10.3724/CJL.20260245 CSTR: 32170.14.CJL.20260245. DOI：

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