يمكن لكاشفات الأشعة فوق البنفسجية العمياء للشمس الاستفادة من امتصاص الأوزون في الغلاف الجوي لتحقيق ضوضاء خلفية منخفضة جدًا، مع آفاق تطبيق واسعة في المجالات العسكرية والمدنية. ومع ذلك، تعاني الكاشفات التقليدية من إشارة كشف أضعف عند الأشعة فوق البنفسجية العمياء للشمس واستجابة منخفضة. في هذا البحث، تم تصنيع ترانزستور ضوئي ثنائي القطبية بتقنية الوصلات الحاجزة يتكون من Si كمجمع، وأكسيد الغاليوم (Ga₂O₃) كقاعدة، وأكسيد النيكل (NiO) كمصدر على ركيزة Si. أظهرت نتائج اختبار حيود الأشعة السينية والمجهر القوى الذري أن طبقة Ga₂O₃ المصنوعة على ركيزة Si بواسطة تقنية الترسيب الكيميائي للبخار العضوي المعدني (MOCVD) هي طبقة متعددة البلورات بسطح أملس، وأن نموها الإيبيتاكسي يتبع نموذج فولمر-ويبر، في حين أن طبقة NiO المترسبة بواسطة الترصيع المغناطيسي بالحث RF على طبقة Ga₂O₃ هي طبقة غير متبلورة بخشونة سطحية. عند شدة إضاءة 254 نانومتر و200 ميكرواط/سم² وتحيز تشغيل 15 فولت، يمكن لعملية الجهاز تحقيق استجابة ضوئية تصل إلى 4×10³ أمبير/واط وكفاءة كمية خارجية تصل إلى 1.9×10⁶٪، مع قدرة عالية على الكشف عن إشارات الأشعة فوق البنفسجية العمياء للشمس الضعيفة. تستغل هذه الدراسة آلية تكبير التيار الأصلية في الترانزستور، مما يوفر أفكارًا مبتكرة لتصميم وتصنيع كاشف ضوئي عالي الأداء قائم على Ga₂O₃ للأشعة فوق البنفسجية العمياء للشمس.

الترسيب الكيميائي للبخار العضوي المعدني;أكسيد الغاليوم;الكشف عن الأشعة فوق البنفسجية العمياء للشمس;ترانزستور ضوئي ثنائي القطبية من الوصلات الحاجزة;ركيزة السيليكون