Солнечно-слепые ультрафиолетовые фотодетекторы могут использовать поглощение атмосферным озоном для достижения сверхнизкого фонового шума, открывая широкие перспективы применения в военной и гражданской сферах. Однако традиционные детекторы имеют недостатки в виде слабых сигналов солнечно-слепого ультрафиолетового излучения и низкой чувствительности. В данной работе на кремниевой подложке был создан биполярный фототранзистор с гетероструктурой Si/Ga₂O₃/NiO, где Si служит коллектором, Ga₂O₃ — базой, а NiO — эмиттером. Результаты рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии показали, что пленка Ga₂O₃, изготовленная методом металлоорганического химического газофазного осаждения (MOCVD) на кремниевой подложке, имеет поликристаллическую структуру с отличной ровностью поверхности, а ее эпитаксиальный рост следует модели Вольмера-Вебера. Пленка NiO, осажденная с помощью высокочастотного магнетронного распыления на пленку Ga₂O₃, является аморфной с шероховатой поверхностью. При освещении с длиной волны 254 нм и интенсивности 200 мкВт/см², на рабочем смещении 15 В, фоточувствительность устройства достигает 4×10³ А/Вт, а внешняя квантовая эффективность — 1,9×10⁶ %, обеспечивая высокоэффективное детектирование слабых солнечно-слепых ультрафиолетовых сигналов. Исследование использует внутренний механизм усиления тока транзистора, что дает новые идеи для разработки и изготовления высокопроизводительных солнечно-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе Ga₂O₃.

металлоорганическое химическое газофазное осаждение;оксид галлия;солнечно-слепое ультрафиолетовое обнаружение;биполярный фототранзистор с гетероструктурой;кремниевая подложка