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六方氮化硼的外延生长与器件应用
特邀综述 | 更新时间：2025-10-30

    • 六方氮化硼的外延生长与器件应用

      增强出版

    • Epitaxial Growth of Hexagonal Boron Nitride and Device Application

    • “报道：六方氮化硼作为低维材料，在光电子学等领域展现卓越性能。专家系统介绍了其结构和性能，探讨了制备方法和应用进展，为未来发展提供方向。”
    • 发光学报   2025年46卷第10期 页码：1798-1818

    • DOI：10.37188/CJL.20250128    

      中图分类号： O482.31
    • CSTR：32170.14.CJL.20250128    

    • 收稿：2025-04-26，

      修回：2025-05-11，

      纸质出版：2025-10-25

    移动端阅览

  • 董婧楠,多亦威,羊建坤等.六方氮化硼的外延生长与器件应用[J].发光学报,2025,46(10):1798-1818. DOI： 10.37188/CJL.20250128. CSTR： 32170.14.CJL.20250128.

    DONG Jingnan,DUO Yiwei,YANG Jiankun,et al.Epitaxial Growth of Hexagonal Boron Nitride and Device Application[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(10):1798-1818. DOI： 10.37188/CJL.20250128. CSTR： 32170.14.CJL.20250128.

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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室
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