Luminescence Mechanism of Bi<sup>3+</sup> Doped Materials: First Principles Studies

LOU Bi-bo; YIN Min

doi:10.37188/CJL.20220245

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

Luminescence Mechanism of Bi³⁺ Doped Materials: First Principles Studies

Invited Paper | 更新时间：2026-09-12

- Luminescence Mechanism of Bi³⁺ Doped Materials: First Principles Studies
  增强出版
- Chinese Journal of Luminescence Vol. 43, Issue 9, Pages: 1446-1458(2022)
- 作者机构：
  
  1.重庆邮电大学光电工程学院，重庆　400065
  2.中国科学技术大学物理学院，安徽合肥　230026
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  National Natural Science Foundation of China(52161135110;11974338);China⁃Poland Intergovernmental Science and Technology Cooperation Program（2020［15］/10）
- DOI：10.37188/CJL.20220245
  CLC： O482.31
- Received：17 June 2022，
  
  Revised：2022-07-05，
  
  Published：05 September 2022
- 稿件说明：
移动端阅览
楼碧波,尹民.Bi³⁺掺杂体系的发光机理：第一性原理研究[J].发光学报,2022,43(09):1446-1458. DOI: 10.37188/CJL.20220245.

LOU Bi-bo,YIN Min.Luminescence Mechanism of Bi³⁺ Doped Materials: First Principles Studies[J].Chinese Journal of Luminescence,2022,43(09):1446-1458. DOI: 10.37188/CJL.20220245.
楼碧波,尹民.Bi³⁺掺杂体系的发光机理：第一性原理研究[J].发光学报,2022,43(09):1446-1458. DOI: 10.37188/CJL.20220245. DOI：

LOU Bi-bo,YIN Min.Luminescence Mechanism of Bi³⁺ Doped Materials: First Principles Studies[J].Chinese Journal of Luminescence,2022,43(09):1446-1458. DOI: 10.37188/CJL.20220245. DOI：

摘要

随基质材料的不同，Bi

离子可以产生深紫外、可见乃至近红外区域的发光，经常被用作各类发光材料中的激活离子。对Bi

掺杂的能级结构和发光机理研究有助于新型发光材料的设计和性能改进。本文对近期开展的第一性原理计算的相关方法和结果进行分析总结，讨论了Bi

掺杂体系基态和激发态的局域结构和电子结构共性，借助位形坐标图分析讨论了该类材料激发、弛豫以及发射的动力学过程。所研究的激发态主要涵盖了Bi

的6s

电子组态、配体⁃掺杂离子电荷迁移态6s

加束缚空穴、金属⁃金属电荷迁移态6s

加束缚电子以及电子在离子对间迁移形成的Bi

⁃Bi

离子对等4种类型。全文力图从Bi

光谱学特征的实验指认出发，通过总结各种发光过程的物理图像及理论描述，以若干代表性例子作为依托，展示有关理论和计算对实验现象的分析和指引作用。同时，也简要讨论了发光中心局域结构、基质带隙、缺陷能级等与Bi

离子发光性质之间的联系。

Abstract

The trivalent bismuth ions can produce， depending on the host， luminescence in deep ultraviolet， visible and even near-infrared wavelengths， which are often adopted as activators for various luminescent materials. The theoretical studies on energy level structures and the luminescence mechanism of Bi

dopants can support the design and performance improvement of new luminescent materials. Here， after providing a brief summary of the calculation methods developed and the formula derived to bridge the data from calculations based on density functional theory， we presented the theoretical results from the first-principles calculations on several prototype systems and provided an interpretation of the reported experimental results. The configurational coordinate diagrams with structures and energies from first-principles calculations played a central role in the analyses. Four different types of excited states of Bi

ions are covered： the internal excitation of 6s

electron configuration， the ligand-dopant charge transfer excitation of 6s

plus a localized hole， the metal to metal charge transfer excitation of 6s

plus a bound electron， and the inter-valent Bi

-Bi

state as an excited state of a Bi

pair. Great efforts have been done to provide

detailed quantitative predictions on the spectroscopy of Bi

ions in solids. The results clearly show the role played by theoretical studies in designing and optimizing novel luminescent materials. In addition， the relationship of luminescent properties of Bi

ions with local coordination environment of dopant centers， band gap of hosts and defect levels was briefly discussed.

关键词

Keywords

references

SUN H T ， ZHOU J J ， QIU J R . Recent advances in bismuth activated photonic materials ［J］. Prog. Mater. Sci. ， 2014 ， 64 ： 1 - 72 . doi: 10.1016/j.pmatsci.2014.02.002 http://dx.doi.org/10.1016/j.pmatsci.2014.02.002

KRASNIKOV A ， MIHOKOVA E ， NIKL M ， et al . Luminescence spectroscopy and origin of luminescence centers in Bi-doped materials ［J］. Crystals ， 2020 ， 10 （ 3 ）： 208 . doi: 10.3390/cryst10030208 http://dx.doi.org/10.3390/cryst10030208

DANG P P ， LIU D J ， LI G G ， et al . Recent advances in bismuth ion-doped phosphor materials： structure design， tunable photoluminescence properties， and application in white LEDs ［J］. Adv. Opt. Mater. ， 2020 ， 8 （ 16 ）： 1901993-1-33 . doi: 10.1002/adom.201901993 http://dx.doi.org/10.1002/adom.201901993

WEI Y ， XING G C ， LIU K ， et al . New strategy for designing orangish-red-emitting phosphor via oxygen-vacancy-induced electronic localization ［J］. Light Sci. Appl. ， 2019 ， 8 ： 15-1 - 9 . doi: 10.1038/s41377-019-0126-1 http://dx.doi.org/10.1038/s41377-019-0126-1

LIU D J ， YUN X H ， DANG P P ， et al . Yellow/orange-emitting AB Zn 2 Ga 2 O 7 ∶Bi 3+ （ A =Ca， Sr; B =Ba， Sr） phosphors： optical temperature sensing and white light-emitting diode applications ［J］. Chem. Mater. ， 2020 ， 32 （ 7 ）： 3065 - 3077 . doi: 10.1021/acs.chemmater.0c00054 http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemmater.0c00054

ZENG Z C ， HUANG B L ， WANG X ， et al . Multimodal luminescent Yb 3+ /Er 3+ /Bi 3+ -doped perovskite single crystals for X-ray detection and anti-counterfeiting ［J］. Adv. Mater. ， 2020 ， 32 （ 43 ）： 2004506-1-10 . doi: 10.1002/adma.202004506 http://dx.doi.org/10.1002/adma.202004506

KEEVEND K ， PUUST L ， KURVITS K ， et al . Ultrabright and stable luminescent labels for correlative cathodoluminescence electron microscopy bioimaging ［J］. Nano Lett. ， 2019 ， 19 （ 9 ）： 6013 - 6018 . doi: 10.1021/acs.nanolett.9b01819 http://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.9b01819

SUN W Z ， PANG R ， LI H M ， et al . Investigation of a novel color tunable long afterglow phosphor KGaGeO 4 ∶Bi 3+ ： luminescence properties and mechanism ［J］. J. Mater. Chem. C ， 2017 ， 5 （ 6 ）： 1346 - 1355 . doi: 10.1039/c6tc04012h http://dx.doi.org/10.1039/c6tc04012h

SHI J P ， SUN X ， ZHENG S H ， et al . Super-long persistent luminescence in the ultraviolet a region from a Bi 3+ -doped LiYGeO 4 phosphor ［J］. Adv. Opt. Mater. ， 2019 ， 7 （ 19 ）： 1900526-1-6 . doi: 10.1002/adom.201900526 http://dx.doi.org/10.1002/adom.201900526

ZHUANG Y X ， UEDA J ， TANABE S . Photochromism and white long-lasting persistent luminescence in Bi 3+ -doped ZnGa 2 O 4 ceramics ［J］. Opt. Mater. Express ， 2012 ， 2 （ 10 ）： 1378 - 1383 . doi: 10.1364/ome.2.001378 http://dx.doi.org/10.1364/ome.2.001378

LI X ， LI P L ， WANG Z J ， et al . Color-tunable luminescence properties of Bi 3+ in Ca 5 （B O 3 ） 3 via changing site occupation and energy transfer ［J］. Chem. Mater. ， 2017 ， 29 （ 20 ）： 8792 - 8803 . doi: 10.1021/acs.chemmater.7b03151 http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemmater.7b03151

BOUTINAUD P . Revisiting the spectroscopy of the Bi 3+ ion in oxide compounds ［J］. Inorg. Chem. 2013 ， 52 （ 10 ）： 6028 - 6038 . doi: 10.1021/ic400382k http://dx.doi.org/10.1021/ic400382k

BOUTINAUD P . On the luminescence of Bi 3+ pairs in oxidic compounds ［J］. J. Lumin. ， 2018 ， 197 ： 228 - 232 . doi: 10.1016/j.jlumin.2018.01.052 http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2018.01.052

DORENBOS P . Electronic structure of Bi-activated luminescent compounds and pure bismuth photocatalytic compounds ［J］ . ECS J. Solid State Sci. Technol. ， 2021 ， 10 （ 8 ）： 086002-1-13 . doi: 10.1149/2162-8777/ac19c6 http://dx.doi.org/10.1149/2162-8777/ac19c6

SWART H C ， KROON R E . （INVITED） Ultraviolet and visible luminescence from bismuth doped materials ［J］. Opt. Mater. Ⅹ ， 2019 ， 2 ： 100025-1 - 22 . doi: 10.1016/j.omx.2019.100025 http://dx.doi.org/10.1016/j.omx.2019.100025

WEN J ， JIANG G S ， ZHONG J Y ， et al . Site occupation and 4f→5d transitions of Ce 3+ ions at mixed Ca 2+ /Y 3+ sites in CaYAlO 4 ： insights from first-principles calculations ［J］. J. Lumin. ， 2019 ， 216 ： 116726-1 - 6 . doi: 10.1016/j.jlumin.2019.116726 http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2019.116726

WEN J ， WANG Y ， JIANG G S ， et al . First-principles study on self-activated luminescence and 4f→5d transitions of Ce 3+ in M 5 （PO 4 ） 3 X （ M = Sr， Ba； X = Cl， Br）［J］. Inorg. Chem. ， 2020 ， 59 （ 7 ）： 5170 - 5181 . doi: 10.1021/acs.inorgchem.0c00406 http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.0c00406

NING L X ， CHENG W P ， ZHOU C C ， et al . Energetic， optical， and electronic properties of intrinsic electron-trapping defects in YAlO 3 ： a hybrid dft study ［J］. J. Phys. Chem. C ， 2014 ， 118 （ 34 ）： 19940 - 19947 . doi: 10.1021/jp5050404 http://dx.doi.org/10.1021/jp5050404

FREYSOLDT C ， GRABOWSKI B ， HICKEL T ， et al . First-principles calculations for point defects in solids ［J］. Rev. Mod. Phys. ， 2014 ， 86 （ 1 ）： 253 - 305 . doi: 10.1103/revmodphys.86.253 http://dx.doi.org/10.1103/revmodphys.86.253

DU M H . Emission trend of multiple self-trapped excitons in luminescent 1d copper halides ［J］. ACS Energy Lett. ， 2020 ， 5 （ 2 ）： 464 - 469 . doi: 10.1021/acsenergylett.9b02688 http://dx.doi.org/10.1021/acsenergylett.9b02688

LOU B B ， WEN J ， CAI J J ， et al . First-principles study of Bi 3+ related luminescence and traps in the perovskites Ca M O 3 （ M = Zr， Sn， Ti）［J］. Phys. Rev. B ， 2021 ， 103 （ 7 ）： 075109-1-9 . doi: 10.1103/physrevb.103.075109 http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.103.075109

LOU B B ， WEN J ， NING L X ， et al . Understanding the defect levels and photoluminescence in a series of bismuth-doped perovskite oxides： first-principles study ［J］. Phys. Rev. B ， 2021 ， 104 （ 11 ）： 115101-1-11 . doi: 10.1103/physrevb.104.115101 http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.104.115101

FENG Z Y ， LOU B B ， YIN M ， et al . First-principles study of Bi 3+ -related luminescence and electron and hole traps in （Y/Lu/La）PO 4 ［J］. Inorg. Chem. ， 2021 ， 60 （ 7 ）： 4434 - 4446 . doi: 10.1021/acs.inorgchem.0c03217 http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.0c03217

FENG Z Y ， LOU B B ， CHEN Q L ， et al . Self-activated and bismuth-related photoluminescence in rare-earth vanadate， niobate， and tantalate series—a first-principles study ［J］. Inorg. Chem. ， 2021 ， 60 （ 21 ）： 16614 - 16625 . doi: 10.1021/acs.inorgchem.1c02508 http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.1c02508

LIU M Z ， DUAN C K ， TANNER P A ， et al . Rationalizing the photoluminescence of Bi 3+ and Sb 3+ in double perovskite halide crystals ［J］. J. Phys. Chem. C ， 2021 ， 125 （ 48 ）： 26670 - 26678 . doi: 10.1021/acs.jpcc.1c09069 http://dx.doi.org/10.1021/acs.jpcc.1c09069

AWATER R H P ， DORENBOS P . The Bi 3+ 6s a nd 6p electron binding energies in relation to the chemical environment of inorganic compounds ［J］. J. Lumin. ， 2017 ， 184 ： 221 - 231 . doi: 10.1016/j.jlumin.2016.12.021 http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2016.12.021

BABIN V ， GORBENKO V ， KRASNIKOV A ， et al . Origin of Bi 3+ -related luminescence centres in Lu 3 Al 5 O 12 ∶Bi and Y 3 Al 5 O 12 ∶Bi single crystalline films and the structure of their relaxed excited states ［J］. Phys. Status Solidi B Basic Solid State Phys. ， 2012 ， 249 （ 5 ）： 1039 - 1045 . doi: 10.1002/pssb.201147444 http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201147444

ZHANG Z H ， WANG X ， WANG L L ， et al . The position shifting of charge transfer band in Eu 3+ -doped Re 2 O 3 phosphors ［J］. Chem. Phys. Lett. ， 2019 ， 731 ： 136611-1 - 5 . doi: 10.1016/j.cplett.2019.136611 http://dx.doi.org/10.1016/j.cplett.2019.136611

KRASNIKOV A ， TSIUMRA V ， VASYLECHKO L ， et al . Photoluminescence origin in Bi 3+ -doped YVO 4 ， LuVO 4 ， and GdVO 4 orthovanadates ［J］. J. Lumin. ， 2019 ， 212 ： 52 - 60 . doi: 10.1016/j.jlumin.2019.04.019 http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2019.04.019

SRIVASTAVA A M ， COMANZO H A . The ultraviolet and visible luminescence of Bi 3+ in the orthorhombic perovskite， GdAlO 3 ［J］. Opt. Mater. ， 2017 ， 63 ： 118 - 121 . doi: 10.1016/j.optmat.2016.05.042 http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2016.05.042

CAVALLI E ， ANGIULI F ， MEZZADRI F ， et al . Tunable luminescence of Bi 3+ -doped YP x V 1- x O 4 （0 ≤ x ≤1）［J］. J. Phys. Condes. Matter ， 2014 ， 26 （ 38 ）： 385503-1-14 . doi: 10.1088/0953-8984/26/38/385503 http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/26/38/385503

XIA Y J ， HUANG F Q ， WANG W D ， et al . A reinvestigation of luminescence properties of Bi 3+ -activated M Sb 2 O 6 （ M = Ca， Sr） phosphors ［J］. J. Alloys Compd. ， 2009 ， 476 （ 1-2 ）： 534 - 538 . doi: 10.1016/j.jallcom.2008.09.071 http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2008.09.071

JACOBS P W M . Alkali halide crystals containing impurity ions with the ns 2 ground-state electronic configuration ［J］. J. Phys. Chem. Solids ， 1991 ， 52 （ 1 ）： 35 - 67 . doi: 10.1016/0022-3697(91)90059-9 http://dx.doi.org/10.1016/0022-3697(91)90059-9

JACQUIER B . Molecular orbital theory for heavy-metal luminescent centers： application to the La 2 O 3 ∶Bi phosphor ［J］. J. Chem. Phys. 1975 ， 63 （ 6 ）： 2442 - 2452 . doi: 10.1063/1.431674 http://dx.doi.org/10.1063/1.431674

RÉAL F ， VALLET V ， FLAMENT J P ， et al . Ab initio embedded cluster study of the excitation spectrum and Stokes shifts of Bi 3+ -doped Y 2 O 3 ［J］. J. Chem. Phys. ， 2007 ， 127 （ 10 ）： 104705-1-9 . doi: 10.1063/1.2768532 http://dx.doi.org/10.1063/1.2768532

DU M H . Chemical trends of electronic and optical properties of ns 2 ions in halides ［J］. J. Mater. Chem. C ， 2014 ， 2 （ 24 ）： 4784 - 4791 . doi: 10.1039/c4tc00485j http://dx.doi.org/10.1039/c4tc00485j

CAI J J ， JING W G ， CHENG J ， et al . First-principles calculations of photoluminescence and defect states of Ce 3+ -doped （Ca/Sr） 2 B 5 O 9 Cl ［J］. Phys. Rev. B ， 2019 ， 99 （ 12 ）： 125107-1-12 . doi: 10.1103/physrevb.99.125107 http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.99.125107

JIA Y C ， MIGLIO A ， PONCÉ S ， et al . First-principles study of Ce 3+ -doped lanthanum silicate nitride phosphors： neutral excitation， Stokes shift ， and luminescent center identification ［J］. Phys. Rev. B ， 2016 ， 93 （ 15 ）： 155111-1-11 . doi: 10.1103/physrevb.93.155111 http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.93.155111

LANY S ， ZUNGER A . Assessment of correction methods for the band-gap problem and for finite-size effects in supercell defect calculations： case studies for ZnO and GaAs ［J］. Phys. Rev. B ， 2008 ， 78 （ 23 ）： 235104-1-25 . doi: 10.1103/physrevb.78.235104 http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.78.235104

DURRANT T R ， MURPHY S T ， WATKINS M B ， et al . Relation between image charge and potential alignment corrections for charged defects in periodic boundary conditions ［J］. J. Chem. Phys. ， 2018 ， 149 （ 2 ）： 024103-1-17 . doi: 10.1063/1.5029818 http://dx.doi.org/10.1063/1.5029818

CAO R P ， FU T ， XU H D ， et al . Synthesis and luminescence enhancement of CaTiO 3 ∶Bi 3+ yellow phosphor by codoping Al 3+ /B 3+ ions ［J］. J. Alloys Compd. ， 2016 ， 674 ： 51 - 55 . doi: 10.1016/j.jallcom.2016.02.252 http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2016.02.252

CAO R P ， ZHANG J L ， WANG W D ， et al . Synthesis and luminescence properties of CaSnO 3 ∶Bi 3+ blue phosphor and the emission improvement by Li + ion ［J］. Luminescence ， 2017 ， 32 （ 6 ）： 908 - 912 . doi: 10.1002/bio.3268 http://dx.doi.org/10.1002/bio.3268

TIAN X N ， DOU H J ， WU L Y . Bi 3+ -based luminescent thermometry in perovskite-type CaZrO 3 phosphor ［J］. J. Mater. Sci. Mater. Electron. ， 2020 ， 31 （ 5 ）： 3944 - 3950 . doi: 10.1007/s10854-020-02942-6 http://dx.doi.org/10.1007/s10854-020-02942-6

BLASSE G ， BRIL A . Investigations on Bi 3+ -activated phosphors ［J］. J. Chem. Phys. ， 1968 ， 48 （ 1 ）： 217 - 222 . doi: 10.1063/1.1667905 http://dx.doi.org/10.1063/1.1667905

JÜSTEL T ， HUPPERTZ P ， MAYR W ， et al . Temperature-dependent spectra of YPO 4 ∶ Me （ Me =Ce， Pr， Nd， Bi）［J］. J. Lumin. ， 2004 ， 106 （ 3-4 ）： 225 - 233 . doi: 10.1016/j.jlumin.2003.10.004 http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2003.10.004

SRIVASTAVA A M ， CAMARDELLO S J . Concentration dependence of the Bi 3+ luminescence in Ln PO 4 （ Ln =Y 3+ ， Lu 3+ ）［J］. Opt. Mater. ， 2015 ， 39 ： 130 - 133 . doi: 10.1016/j.optmat.2014.11.011 http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2014.11.011

BLASSE G . The ultraviolet absorption bands of Bi 3+ and Eu 3+ in oxides ［J］. J. Solid State Chem. ， 1972 ， 4 （ 1 ）： 52 - 54 . doi: 10.1016/0022-4596(72)90131-4 http://dx.doi.org/10.1016/0022-4596(72)90131-4

MONCORGE R ， BOULON G ， DENIS J P . Fluorescence properties of bismuth- doped LaPO 4 ［J］. J. Phys. C Solid State Phys. ， 1979 ， 12 （ 6 ）： 1165 - 1171 . doi: 10.1088/0022-3719/12/6/028 http://dx.doi.org/10.1088/0022-3719/12/6/028

SETLUR A A ， SRIVASTAVA A M . The nature of Bi 3+ luminescence in garnet hosts ［J］. Opt. Mater. ， 2006 ， 29 （ 4 ）： 410 - 415 . doi: 10.1016/j.optmat.2005.09.076 http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2005.09.076

CHEN Q L ， JING W G ， YEUNG Y Y ， et al . Mechanisms of bismuth-activated near-infrared photoluminescence-a first-principles study on the MXCl 3 series ［J］. Phys. Chem. Chem. Phys. ， 2021 ， 23 （ 32 ）： 17420 - 17429 . doi: 10.1039/d1cp01632f http://dx.doi.org/10.1039/d1cp01632f

CHEN Q L ， LOU B B ， JING W G ， et al . First-principles study onlow valence states photoluminescence in Bi-doped M 2 B 5 O 9 Cl crystals ［J］. J. Alloys Compd. ， 2021 ， 863 ： 158704-1 - 8 . doi: 10.1016/j.jallcom.2021.158704 http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.158704

QIAO Z ， WANG X S ， HENG C ， et al . Exploring intrinsic electron-trapping centers for persistent luminescence in Bi 3+ -doped Li RE GeO 4 （ RE =Y， Sc， Lu）： mechanistic origin from first-principles calculations ［J］. Inorg. Chem. ， 2021 ， 60 （ 21 ）： 16604 - 16613 . doi: 10.1021/acs.inorgchem.1c02507 http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.1c02507

WANG X S ， ZHENG C ， QIAO Z ， et al . First-principles study on luminescent properties of Bi 3+ -doped A LuGeO 4 （ A = Li， Na）： insights into effects of host cation on emission wavelength ［J］. J. Lumin. ， 2022 ， 244 ： 118700-1 - 9 . doi: 10.1016/j.jlumin.2021.118700 http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2021.118700

Views

2982

下载量

CSCD

Alert me when the article has been cited

提交

Tools

Publicity Resources

CJL | Bi³⁺ Luminescence mechanisms in doped systems: First principles studies

Effects of Pr3+ on Luminescence Performance and Energy Transfer Mechanisms in Ce3+-doped High-gadolinium Aluminoborosilicate Oxyfluoride Glass

Energy Transfer and Photoluminescence Properties of Sr6GdAl（BO3）6∶Dy3+ Phosphor

One-step in-situ Synthesis of Cs₂NaInCl₆@PVDF Films: Doping Regulation and Optical Properties

An Organic-inorganic Manganese Halide to Improve LED Light Output Stability and Its Brightness Optimization

High-sensitivity Detection of Silver Ions and L-Cysteine by Carbon Dots Fluorescence Sensing System Based on Logic Gate Regulation

Related Author

Bibo LOU

Min YIN

ZHOU Chenggong

CHEN Danping

TANG Jingping

LI Weichang

ZHAO Mingjun

DING Xuening

Related Institution

College of Materials Science and Engineering， Hunan University

Advanced Laser and Optoelectronic Functional Materials Department， Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics， Chinese Academy of Sciences

Rare Earth Advanced Materials Technology Innovation Center， Inner Mongolia Northern Rare Earth Advanced Materials Technology Innovation Co.， Ltd.

Department of Physics， Changchun Normal University

Department of Chemistry， Jilin Normal University

AI问答

Address：No.3888 Dong Nanhu Road, Changchun, Jilin, China Postal code：130033
Tel：0431-86176862 Email：fgxbt@126.com
Technical support is provided by Beijing Founder electronics co., LTD 吉ICP备11002662号-17 京公网安备11010802024621
It is recommended to read the content of this site in Chrome&IE9+. Please switch to extreme mode in browser 360.
Cookies We use cookies to help provide and enhance our service and tailor content. By continuing, you agree to the use of cookies.

⁰

Luminescence Mechanism of Bi3+ Doped Materials: First Principles Studies

DOI：10.37188/CJL.20220245

摘要

Abstract

关键词

Keywords

references

Luminescence Mechanism of Bi³⁺ Doped Materials: First Principles Studies