Dependiendo del material matriz, los iones Bi³⁺ pueden emitir luz en la región de ultravioleta profundo, visible e incluso infrarrojo cercano, y con frecuencia se utilizan como iones activadores en diversos materiales luminiscentes. El estudio de la estructura de niveles y el mecanismo de emisión de iones Bi³⁺ dopados ayuda en el diseño y mejora de nuevos materiales luminiscentes. Este artículo analiza y resume métodos y resultados recientes basados en cálculos desde primeros principios, discutiendo las características comunes de la estructura local y electrónica en estados fundamentales y excitados en sistemas dopados con Bi³⁺. Mediante el análisis de diagramas de coordenadas de configuración, se discuten los procesos dinámicos de excitación, relajación y emisión en este tipo de materiales. Los estados excitados estudiados cubren principalmente cuatro tipos: configuración electrónica 6s¹6p¹ de Bi³⁺, estado de transferencia de carga ión-ligando 6s²6p¹ con hueco ligado, estado de transferencia de carga metal-metal 6s¹ con electrón ligado, y migración de electrones entre pares iónicos Bi²⁺-Bi⁴⁺. El artículo intenta, partiendo de la identificación experimental de las características espectroscópicas de Bi³⁺, mostrar mediante la síntesis de imágenes físicas y descripciones teóricas de los procesos de emisión, apoyado en varios ejemplos representativos, el papel de la teoría y el cálculo en el análisis e interpretación de los fenómenos experimentales. También discute brevemente la relación entre la estructura local del centro luminiscente, la brecha de banda de la matriz, los niveles de defectos y las propiedades de emisión de los iones Bi³⁺.

primeros principios;iones Bi³⁺;fotoluminiscencia;estado excitado